公开(公告)号：CN111489874A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010076516.X

申请日：2020-01-23

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 提供降低重稀土RH的使用量且具有高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备RL－RH－M系合金的工序和扩散工序，扩散工序中的对于R－T－B系烧结磁体原材料的RL－RH－M系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下且RH的附着量为0.1mass％以上0.6mass％以下，在R－T－B系烧结磁体原材料中，R的含量为R－T－B系烧结磁体原材料整体的27mass％以上35mass％以下，Fe相对于T整体的含量为80mass％以上，在RL－RH－M系合金中，RL的含量为RL－RH－M系合金整体的60mass％以上97mass％以下，RH的含量为RL－RH－M系合金整体的1mass％以上8mass％以下，M的含量为RL－RH－M系合金整体的2mass％以上39mass％以下。

公开(公告)号：CN107710351B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201680036852.3

申请日：2016-06-17

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 佐藤铁兵 ,  国吉太 ,  石井伦太郎 ,  西内武司 ,  野泽宣介

IPC: H01F1/057 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，其含有R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M(M为Nb和/或Zr)：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，满足下述式(1)、(2)和(3)。[T]‑72.3([B]‑0.45[Ti])＞0(1)，([T]‑72.3([B]‑0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，[Ga]≥[Cu](3)。

公开(公告)号：CN106030736B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201580009812.5

申请日：2015-03-25

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/24 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0266 ,  B22F1/0085 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D1/773 ,  C22C38/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  H01F1/0577 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/044 ,  B22F3/02 ,  B22F3/22 ,  B22F3/1028 ,  B22F2003/248 ,  B22F2202/05

Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材以式uRwBxGayCuzAlqM(100－u－w－x－y－z－q)T来表示，上述RH为R－T－B系烧结磁体的5质量％以下，在29.5≤u≤32.0、0.86≤w≤0.93、0.2≤x≤1.0、0.3≤y≤1.0、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1且p＝[B]/10.811×14－[Fe]/55.847－[Co]/58.933时，满足p＜0的关系；和将上述R－T－B系烧结磁体原材在450℃以上且470℃以下的温度加热4小时以上且12小时以下的热处理工序。

公开(公告)号：CN107251175A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680010497.2

申请日：2016-02-16

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 重本恭孝 ,  西内武司 ,  国吉太 ,  野泽宣介

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F1/0011 ,  B22F3/24 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C2202/02 ,  H01F41/0266 ,  H01F41/0293 ,  B22F3/02 ,  B22F2202/05 ,  B22F9/04 ,  B22F3/10 ,  B22F2003/248 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20

Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1－T1－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd，且为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。

公开(公告)号：CN102918611B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180024008.6

申请日：2011-05-19

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 ,  日立金属株式会社

Inventor： 宝野和博 ,  大久保忠胜 ,  H·塞佩赫里阿米尼 ,  野泽宣介 ,  西内武司 ,  广泽哲

IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C21D6/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/053 ,  H01F1/06

CPC classification number: C22C33/0278 ,  B22F2998/10 ,  C21D6/00 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0573 ,  H01F41/0266 ,  H01F41/0293 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/14

Abstract: 准备通过HDDR法进行制造并且平均晶体粒径从0.1μm到1μm、晶粒的长径比（长轴/短轴之比）为2以下的R-T-B系永磁体粉末（工序A）。R为相对于R整体含有95原子%以上的Nd和／或Pr的稀土类元素，T为Fe或将Fe的一部分取代为Co和／或Ni且含有50原子%以上Fe的过渡金属元素。另一方面，准备包括R’和Cu且Cu为2原子%以上50原子%以下的R’-Cu系合金粉末（工序B）。R’为相对于R’整体含有90原子%以上的Nd和／或Pr且不含Dy和Tb的稀土类元素。混合R-T-B系永磁体粉末和R’-Cu系合金粉末（工序C），之后，在不活泼气氛或真空中，在500℃以上900℃以下的温度，对混合粉末进行热处理（工序D）。

公开(公告)号：CN102918611A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180024008.6

申请日：2011-05-19

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 ,  日立金属株式会社

Inventor： 宝野和博 ,  大久保忠胜 ,  H·塞佩赫里阿米尼 ,  野泽宣介 ,  西内武司 ,  广泽哲

IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C21D6/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/053 ,  H01F1/06

CPC classification number: C22C33/0278 ,  B22F2998/10 ,  C21D6/00 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0573 ,  H01F41/0266 ,  H01F41/0293 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/14

Abstract: 准备通过HDDR法进行制造并且平均晶体粒径从0.1μm到1μm、晶粒的长径比（长轴/短轴之比）为2以下的R-T-B系永磁体粉末（工序A）。R为相对于R整体含有95原子%以上的Nd和／或Pr的稀土类元素，T为Fe或将Fe的一部分取代为Co和／或Ni且含有50原子%以上Fe的过渡金属元素。另一方面，准备包括R’和Cu且Cu为2原子%以上50原子%以下的R’-Cu系合金粉末（工序B）。R’为相对于R’整体含有90原子%以上的Nd和／或Pr且不含Dy和Tb的稀土类元素。混合R-T-B系永磁体粉末和R’-Cu系合金粉末（工序C），之后，在不活泼气氛或真空中，在500℃以上900℃以下的温度，对混合粉末进行热处理（工序D）。

公开(公告)号：CN101379574A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004156.5

申请日：2007-11-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  西内武司 ,  广泽哲 ,  槙智仁

IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  B22F3/26 ,  B22F9/04 ,  C22C38/00 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0273 ,  B22F3/11 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/10 ,  C22C38/005 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0573 ,  H01F1/0576 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/0578 ,  H01F41/0293 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24

Abstract: 在本发明中，准备平均粒径小于20μm的R－Fe－B系稀土合金粉末，将R－Fe－B系稀土合金粉末成形、制作压粉体。本发明实施以下工序：HD工序，在氢气中，在550℃以上小于1000℃的温度下，对压粉体实施热处理，由此引起氢化和歧化反应；和DR工序，在真空或惰性气氛中，在550℃以上小于1000℃的温度下，对压粉体实施热处理，由此引起脱氢和再化合反应，制作密度为真密度的60％以上90％以下且具有平均粒径0.01～2μm的微晶粒的多孔体。然后，在真空或惰性气氛中，在750℃以上小于1000℃的温度下，对多孔材料实施热处理，由此进行致密化，使密度达到真密度的93％以上，制作R－Fe－B系微晶高密度磁铁。

公开(公告)号：CN101370606A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200680045347.1

申请日：2006-11-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  小高智织 ,  松浦裕

IPC: B22D11/06 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

CPC classification number: B22D11/0611 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0273 ,  H01F41/0293 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F2202/05

Abstract: 本发明提供一种稀土类烧结磁体，其为以Nd2Fe14B型结晶相为主相、并添加有Al的稀土类烧结磁体，含有稀土类元素，该稀土类元素包括选自除Dy、Ho及Tb外的稀土类元素和钇中的至少一种轻稀土类LR，和选自Dy、Ho及Tb中的至少一种重稀土类HR。轻稀土类LR的组成比例α1、重稀土类HR的组成比例α2和Al的组成比例β满足25≤α1+α2≤40质量％、0＜α2≤40质量％、β＞0.20质量％、0.04≤β/α2≤0.12的关系式。

公开(公告)号：CN101346780A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200780000911.2

申请日：2007-05-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 西内武司 ,  野泽宣介 ,  广泽哲 ,  槙智仁 ,  户次克典

IPC: H01F1/08 ,  H01F1/06 ,  H01F1/053 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F1/0573 ,  H01F1/0576 ,  H01F1/0578 ,  H01F1/0579 ,  H01F41/028 ,  Y10T428/12153

Abstract: 本发明提供一种R－Fe－B系多孔质磁铁和其制造方法。本发明的R－Fe－B系多孔质磁铁是具有平均结晶粒径0.1μm以上1μm以下的Nd2Fe14B型结晶相的集合组织，至少一部分具有长径1μm以上20μm以下的细孔的多孔质。