公开(公告)号：CN103493231B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180015491.1

申请日：2011-10-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  铃木健司 ,  近藤顺悟

IPC: H01L37/02 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L37/02 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/34 ,  H01L37/025

Abstract: 热电元件(10)包括：为具有作为结晶轴的X轴、Y轴和Z轴钽酸锂单晶基板的热电基板(20)、设于该热电基板(20)的表面的表面电极(41，42)、和与各表面电极(41、42)成对的背面电极(51、52)。热电基板(20)为将钽酸锂的单晶以绕与沿电极的面的方向一致的X轴、从Y轴开始向Z轴方向仅转动切割角θ后的角度切出的Y切割板，切割角θ为30～60°、120～150°。热电基板（20）的厚度优选为10μm以下，更优选为5～10μm。

公开(公告)号：CN102822646B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201280001000.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  铃木健司 ,  近藤顺悟

IPC: G01J1/02 ,  H01L37/02

CPC classification number: H01L37/02 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/34 ,  H01L37/025

Abstract: 本发明涉及一种热电元件（10），该热电元件（10）包括：热电基板（20）；由表面电极（41）、背面电极（51）、受光区域（21）构成的受光部（61）；由表面电极（42）、背面电极（52）、受光区域（22）构成的受光部（62）。其中，由于与空洞（38）相对的部分的空洞相对区域（26）产生有弯曲部，因此较之于无弯曲的情况，受光部（61、62）的受光面积增大。因此，不会令热电元件（10）的较无弯曲的情况变大，并提升检测灵敏度。

公开(公告)号：CN101741344B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200910221852.2

申请日：2009-11-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  坂井正宏 ,  大杉幸久

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H03H9/02228

Abstract: 本发明提供一种频率的不均小的兰姆波装置。兰姆波装置(102)具有压电体薄膜(106)、设置于上述压电体薄膜(106)的主表面上的IDT电极(108)、支持上述IDT电极(108)与压电体薄膜(106)的层叠体(104)且形成有隔离层叠体(104)的空腔(180)的支持结构体(122)。选择压电体薄膜(106)的膜厚h以及IDT电极(108)的电极条的间距p，使得相对于压电体薄膜(106)的膜厚h的音速v分散性小的兰姆波在目标频率下被激发。

公开(公告)号：CN112840563B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980067483.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1A)；第一接合层(4A)，其设置于支撑基板(3)上，且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)；第二接合层(2A)，其设置于压电性材料基板(1A)上，且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408)；以及非晶质层(7)，其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。

公开(公告)号：CN117859417A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280056274.5

申请日：2022-08-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  多井知义 ,  滑川政彦

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/87 ,  H10N30/06 ,  H10N30/097 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供翘曲的发生得以抑制的复合基板。本发明的实施方式的复合基板具有：支撑基板、以及配置于所述支撑基板的上方的压电膜，所述压电膜由利用Lotgering法求出的c轴取向度为80％以下的多晶体构成。

公开(公告)号：CN114868266A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202180007200.8

申请日：2021-01-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  鹈野雄大 ,  浅井圭一郎 ,  服部良祐 ,  丹羽真人 ,  滑川政彦

IPC: H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/31

Abstract: 本发明的课题在于，能够抑制由压电振动元件安装时施加的加热、超声波振动及施重所导致的裂纹或缺口。[0012]压电振动元件11具备：由块状的压电性材料形成的压电层2A、压电层2A的第一面2a上的下部电极3以及接合于下部电极3的支撑基板5。

公开(公告)号：CN112272920A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201980034943.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。

公开(公告)号：CN110574290B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201880025872.X

申请日：2018-02-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  滑川政彦 ,  吉野隆史

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明提供一种弹性波元件，是将压电性材料基板与支撑基板借助接合层而接合的弹性波元件，其结构能够进一步改善弹性波的传播损失及频率的温度特性。弹性波元件具备：压电性材料基板2A、压电性材料基板2A上的电极4、支撑基板3、以及将压电性材料基板2A与支撑基板3接合的接合层1A。接合层1A包含水晶。

公开(公告)号：CN111919385A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980018675.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/312

Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下，氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。

公开(公告)号：CN111684717A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201880088584.9

申请日：2018-12-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  服部良祐

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明在支撑基板与由选自由铌酸锂等构成的组中的材质形成的压电性材料基板的接合体中，使接合体的接合强度提高。接合体7、7A具备：支撑基板4；压电性材料基板1、1A，它们由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层5，其存在于支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间。非晶质层5包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板的原子以及氧原子。非晶质层5中的所述金属原子的浓度高于氧原子的浓度，且为20～65原子％。