公开(公告)号：CN112243568A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201980036450.7

申请日：2019-04-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中，抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；接合层2A，其设置于压电性单晶基板4、4A上，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。

公开(公告)号：CN111066243A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880003452.1

申请日：2018-09-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  滑川政彦 ,  鹈野雄大 ,  服部良祐 ,  浅井圭一郎

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件，提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备：压电性材料基板1A；中间层2，所述中间层2设置于压电性材料基板1A上，并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成；接合层3，所述接合层3设置于中间层2上，并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成；支撑基板5，所述支撑基板5由多晶陶瓷构成，并与接合层3直接接合；以及电极9，所述电极9设置于压电性材料基板1A上。

公开(公告)号：CN116491070A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180019530.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山本岳士 ,  鹈野雄大 ,  伊奈弘善 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供将弹性波的能量限制于压电层且耐热性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和在所述压电层的背面侧所配置的反射层，所述反射层包括高阻抗层和包含氧化硅的低阻抗层，所述高阻抗层中的第一结构的区域超过70％。

公开(公告)号：CN114815329A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210482598.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  多井知义 ,  近藤顺悟

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应，所述电光结晶基板为c轴与电光结晶基板的水平面形成10°以内的角度的偏置基板；低折射率层，其与电光结晶基板接触，且折射率比电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中，在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。

公开(公告)号：CN112955811B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201980061122.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  多井知义 ,  近藤顺悟

IPC: G02F1/03 ,  G02B6/12 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；低折射率层，其与电光结晶基板接触，且折射率比电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中，在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。

公开(公告)号：CN112243568B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201980036450.7

申请日：2019-04-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中，抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；接合层2A，其设置于压电性单晶基板4、4A上，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。

公开(公告)号：CN112868178A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980067455.6

申请日：2019-08-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)，其包含金属氧化物；压电性材料基板(4、4A)；接合层(2B)，其设置于支撑基板与压电性材料基板之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层(10)，其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。

公开(公告)号：CN109075758A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780013563.6

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  金子真也

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在包含陶瓷的支撑基板上设置接合层，将接合层和压电性单晶基板接合时，使压电性单晶基板与接合层之间的接合强度提高，同时防止接合层与支撑基板之间的剥离。接合体8具有：包含陶瓷的支撑基板1；在支撑基板1的表面1a设置的接合层3A，接合层3A包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质；和与接合层3A接合的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra为0.5nm～5.0nm。