公开(公告)号：CN102024845B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201010251699.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  市村干也 ,  角谷茂明 ,  杉山智彦 ,  仓冈义孝 ,  田中光浩

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种可实现肖特基接合的逆方向特性的可靠性高的半导体元件的半导体元件用外延基板。该半导体元件用外延基板由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其具有由组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物构成的沟道层和由组成为Inx2Aly2N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物构成的势垒层，第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。

公开(公告)号：CN102024845A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010251699.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  市村干也 ,  角谷茂明 ,  杉山智彦 ,  仓冈义孝 ,  田中光浩

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种可实现肖特基接合的逆方向特性的可靠性高的半导体元件的半导体元件用外延基板。该半导体元件用外延基板由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其具有由组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物构成的沟道层和由组成为Inx2Aly2N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物构成的势垒层，第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。

公开(公告)号：CN102005470A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010251741.9

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  杉山智彦 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现肖特基接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要小。

公开(公告)号：CN101981658A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110484.2

申请日：2009-03-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C23C16/303 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够制作具有良好的二维电子气特性且能实现常闭动作的HEMT元件。以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成位于，在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的四条直线所围成的范围内，且使所述势垒层的厚度在5nm以下。

公开(公告)号：CN101743346A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024501.6

申请日：2008-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  三好实人 ,  今枝美能留

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406

Abstract: 通过气相生长法在基板(1)上形成由Ⅲ族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由Ⅲ族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养Ⅲ族氮化物单晶(5)。