温度传感器薄膜、导电薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:CN113474626A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202080012751.9

    申请日:2020-01-24

    Abstract: 温度传感器薄膜的制作中使用的导电薄膜(101)在树脂薄膜基材(50)的一个主表面上具备镍薄膜(10)。镍薄膜中的碳原子浓度优选1.0×1021atm/cm3以下。镍薄膜的X射线衍射图案中的镍的(111)面的衍射峰的半值宽度优选0.4°以下。通过将镍薄膜图案化,形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部,由此可得到温度传感器薄膜。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN104484081A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410594671.5

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系,所述图案部与所述图案开口部正下方之间的反射率差的绝对值为0.38%以上且5.38%以下。

    透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104360765A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410594622.1

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜的制造方法,其为在透明基材上依次形成有第1透明电介质层及透明导电层的透明导电性薄膜的制造方法,其具备以下工序:在透明基材上从该透明基材侧开始依次形成第1透明电介质层及透明导电层的工序;利用蚀刻液蚀刻所述透明导电层而进行图案化的工序;和对图案化了的所述透明导电层进行热处理,使该透明导电层结晶化的工序,所述第1透明电介质层由无机物形成,所述透明导电层通过图案化形成有图案部和图案开口部,在将对所述图案部照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对所述图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。

    透明导电性薄膜及触摸面板

    公开(公告)号:CN102511023A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201080042102.X

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: G06F3/044 G06F3/045

    Abstract: 本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜,以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是,在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时,满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系,且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系。

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