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公开(公告)号：CN106795648A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054987.8
申请日：2015-10-07
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , C30B30/04 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/14 , C30B9/06 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/36 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成，用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。
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公开(公告)号：CN103562443B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180069491.X
申请日：2011-07-27
CPC classification number: C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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公开(公告)号：CN104603336A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045663.9
申请日：2013-08-12
CPC classification number: H01L21/02628 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598
Abstract: 在溶液法中，提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法，使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si-C溶液，而晶体生长SiC单晶体，其中，所述坩埚的深度/内径小于1.71，从Si-C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。
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公开(公告)号：CN103597129A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN103562443A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201180069491.X
申请日：2011-07-27
CPC classification number: C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662211B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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公开(公告)号：CN106029959A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008068.7
申请日：2015-02-12
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/06 , C30B9/12 , C30B19/062 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。
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公开(公告)号：CN104471117B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC classification number: C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN105264126A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032742.0
申请日：2014-04-09
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
Abstract: 提供即使形成弯液面、进行晶体生长的情况下，也可以提高单晶的品质的SiC单晶的制造方法。本实施方式的制造方法中的生长工序包含形成工序和第一维持工序。形成工序中，在SiC单晶的生长界面与Si-C溶液的液面之间形成弯液面。第一维持工序中，使籽晶轴和坩埚中的至少一者相对于另一者在高度方向相对移动，由此将弯液面的高度的变动幅度维持于规定范围内。
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公开(公告)号：CN104662213A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046179.8
申请日：2013-09-02
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36 , C30B19/06 , C30B19/064
Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
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