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公开(公告)号：CN1470946A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03147412.8
申请日：2003-07-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/117 , Y10S430/12 , Y10S430/121 , Y10S430/122
Abstract: 一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。还公开了一种使用它的图案化方法。
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公开(公告)号：CN101021682B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610094195.6
申请日：2006-06-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/106
Abstract: 本发明提供一种抗蚀覆盖膜形成材料，其可适用于液浸曝光用的抗蚀覆盖膜，并可以透射ArF受激准分子激光，并且提供使用抗蚀覆盖膜形成材料来形成抗蚀图的方法。该抗蚀覆盖膜形成材料包含在任一主链和侧链上具有脂环骨架的树脂；它是非光敏的，并且用于形成在液浸曝光时覆盖抗蚀膜的抗蚀覆盖膜。形成抗蚀图的方法包括在要处理的工件表面上形成抗蚀膜，用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜，使用来曝光的光透过抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜进行液浸曝光，并使抗蚀膜显影。
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公开(公告)号：CN101833243A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010179701.8
申请日：2006-07-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物能够通过抗蚀剂图案增厚材料使抗蚀剂图案均匀地增厚，而与抗蚀剂图案的方向、间隔变化以及抗蚀剂图案增厚材料的成分无关；并且能够以低成本、容易并有效地形成精细的抗蚀剂空间图案，突破曝光设备的光源的曝光极限。该抗蚀剂组合物包含脂环化合物(熔点：90℃-150℃)和树脂。制造半导体器件的方法包括如下步骤：使用抗蚀剂组合物在待处理的工件表面上形成抗蚀剂图案，并在该工件表面上涂覆抗蚀剂图案增厚材料，使其覆盖该抗蚀剂图案的表面，由此使该抗蚀剂图案增厚；以及通过使用增厚的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻该工件表面而对该工件表面进行图案化。
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公开(公告)号：CN101609254A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910137846.9
申请日：2003-01-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0275 , Y02E50/343 , Y02W30/47
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀图形改进材料以及使用该材料制备抗蚀图形的方法。该方法包括：形成抗蚀图形；和在抗蚀图形的表面上涂覆抗蚀图形改进材料，其中，抗蚀图形改进材料与抗蚀图形在它们之间的界面上混合，其中所述抗蚀图形改进材料包括：(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：(i)一种树脂，和(ii)一种交联剂或者非离子表面活性剂，和(b)一种水溶性芳香族化合物；其中水溶性芳香族化合物选自包含以下物质的组中：多元酚，代表性的有五倍子酸，以及它的衍生物；萘多元醇，代表性的有萘二醇，萘三醇，以及它们的衍生物；和苯甲酮衍生物，代表性的有茜素黄A，其中抗蚀图形通过照射ArF受激准分子激光或者波长短于ArF受激准分子激光的波长的激光来形成，并且其中抗蚀图形改进材料的图形包括一种基本上不透过ArF受激准分子激光的基础树脂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100516135C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03149911.2
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C08K9/08
Abstract: 本发明提供了一种生物可降解树脂复合物，其中生物可降解树脂复合物具有优异的物理性能，如强度、耐水性、成型可加工性、耐热性，并适合于用于各种电器产品的模塑制品。本发明的生物可降解树脂复合物包含生物可降解树脂和用生物可降解包覆树脂包覆的填料，其中将用生物可降解包覆树脂包覆的填料包含在生物可降解树脂之中。优选的方案为：填料是云母、滑石和蒙脱土中的至少一种；生物可降解树脂的填料含量在质量含量5%至50%的范围中；填料的平均直径在0.01μm至200μm的范围中；以及生物可降解树脂是聚乳酸。
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公开(公告)号：CN100478780C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN100426472C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN03825348.8
申请日：2003-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543
Abstract: 本发明目的在于提供一种固化耐腐蚀性差的抗蚀剂图形的表面以提高其耐腐蚀性且适合于微细、高精细的图形形成的表面固化抗蚀剂图形及其有效的制造方法。本发明的表面固化抗蚀剂图形的制造方法是一种表面具有耐腐蚀性的表面固化抗蚀剂图形的制造方法，其特征在于，在抗蚀剂图形上选择性地淀积有机化合物。优选地，使用介电气体的等离子体来进行上述淀积的方式、对向设置在衬底上淀积的有机化合物和被处理对象来进行上述淀积的方式，优选从与淀积有有机化合物的衬底侧相反的一侧导入上述介电气体的等离子体等。
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公开(公告)号：CN1282902C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03150307.1
申请日：2003-07-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: H01L27/105 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L27/10844 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543 , H01L28/10
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料可以增厚光刻胶图案并形成精细的中空图案。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；和选自阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种，其中非离子表面活性剂选自烷氧基化物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性剂和乙二胺表面活性剂。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，在形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：在下层上形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面以增厚图案；以及通过利用图案刻蚀对下层制图的步骤。
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公开(公告)号：CN1637602A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410092179.4
申请日：2004-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/029 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11543 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂图案增厚材料，其能够增厚抗蚀剂图案并形成微细的间隔图案，并超越构图期间使用的曝光的曝光限度。抗蚀剂图案增厚材料包括树脂和相转移催化剂。本发明也提供了形成抗蚀剂图案的工艺和制造半导体器件的工艺，其中适合地利用了本发明的抗蚀剂图案增厚材料。
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