用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法

    公开(公告)号:CN101785057B

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN200880102843.5

    申请日:2008-05-16

    CPC classification number: G11B7/261 B41M5/24 Y10T428/21

    Abstract: 本发明提供一种在无机物质制成的基板上直接且容易地形成凸凹(凹坑图案)的方法。用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法包括以下步骤:在由无机材料制成的基板(11)上形成记录材料层(21),所述记录材料层能够进行热模式热变形;通过向所述记录材料层(21)照射会聚光,形成多个孔(15);以及在所述基板中形成与所述多个孔(15)对应的多个凹坑(16),其中所述多个凹坑(16)是通过使用其中形成所述多个孔的所述记录材料层(21)作为掩模蚀刻而形成的。

    用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法

    公开(公告)号:CN101785057A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200880102843.5

    申请日:2008-05-16

    CPC classification number: G11B7/261 B41M5/24 Y10T428/21

    Abstract: 本发明提供一种在无机物质制成的基板上直接且容易地形成凸凹(凹坑图案)的方法。用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法包括以下步骤:在由无机材料制成的基板(11)上形成记录材料层(21),所述记录材料层能够进行热模式热变形;通过向所述记录材料层(21)照射会聚光,形成多个孔(15);以及在所述基板中形成与所述多个孔(15)对应的多个凹坑(16),其中所述多个凹坑(16)是通过使用其中形成所述多个孔的所述记录材料层(21)作为掩模蚀刻而形成的。

    光信息记录介质和信息记录方法以及色素化合物

    公开(公告)号:CN1609973A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN200410085072.7

    申请日:2004-10-12

    CPC classification number: C09B47/0678 G11B7/248

    Abstract: 一种光信息记录介质和信息记录方法以及色素化合物,所述光信息记录介质,其特征在于记录层包含具有下记通式(I)取代基的酞菁衍生物,通式(I)中,R1、R2、R3分别独立表示氢原子以外的取代基。所述信息记录方法是对该光信息记录介质照射450nm以下波长的激光光线而记录信息的信息记录方法。所述色素化合物是由下式(II)表示的色素化合物。通式(II)中,M表示铜、镍、钒等金属、氧化物、具有配位基的金属或氧化物中的任何物质。R4、R5、R6分别独立表示氢原子以外的取代基,n为1~8的整数。根据本发明,经短波长的激光光线照射能对信息作高密度记录和再生,记录灵敏度特别优良。

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