公开(公告)号：CN103329268B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280005804.X

申请日：2012-03-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 丰田善昭

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体器件包括垂直沟槽栅极MOSFET(30)和用于控制的横向n沟道MOSFET元件部分(22)，该用于控制的横向n沟道MOSFET元件部分包括p-阱扩散区(4a)，以及围绕垂直沟槽栅极MOSFET(30)和用于控制的横向n沟道MOSFET元件部分(22)的结边缘终止区(23)。结边缘终止区(23)包括LOCOS氧化层(llc)，设置在端部处且与沟槽形成接触的p型维持区(50)，以及与p型维持区(50)形成接触的p-扩散区(4b)。p-扩散区(4b)比p型基极区(5)深，并且具有低浓度。p型维持区(50)比p-扩散区(4b)窄，并且具有高浓度。p-扩散区(4a)比p型基极区(5)和p型维持区(50)深，并且具有低浓度。结边缘终止区(23)和p-阱扩散区(4a)的击穿电压比MOSFET元件部分(30)的击穿电压高。

公开(公告)号：CN104969342A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480006722.6

申请日：2014-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 丰田善昭

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H03K17/161 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8613

Abstract: 与水平式MOSFET(53)并联地配置水平式MOSFET(64)，将流过线性螺线管(56)的反馈电流IL的一部分作为电流(203)流过水平式MOSFET(64)，从而能减小流过寄生晶体管(63)的电流(201、202)，能抑制水平式MOSFET中内置的寄生晶体管(63)中流过的电流。通过使得流过寄生晶体管(63)的电流(201、202)减小，从而能防止构成同步整流电路的半导体装置(100)发生误动作及损坏。

公开(公告)号：CN104113323A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410151818.3

申请日：2014-04-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 丰田善昭

IPC: H03K19/0944

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括具有熔丝电阻的微调电路的低成本且小型的半导体装置。本发明的半导体装置，通过由MOSFET（11）、保护电路（17）以及熔丝电阻（3）构成微调电路（100），能够通过熔丝电阻（3）的熔断使其从开路状态变为短路状态。另外，通过以双层结构形成构成微调电路（100）的保护电路（17）以及熔丝电阻（3），可以使微调电路（100）小型化，从而可以得到具有占有面积较小的微调电路（100）的低成本且小型的半导体装置（300）。