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公开(公告)号：CN104560033A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410784325.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 宁波工程学院
IPC: C09K11/62
Abstract: 本发明公开的新型高效发光Mn掺杂量子点的制备方法，包括将硫粉加入到1-十八烯中，混合，得到硫前驱体溶液；将Zn盐、In盐、掺杂剂Mn盐和有机包覆剂加入到1-十八烯中，加热，得到透明溶液，将上述透明溶液在保护气体下加热，然后和硫前驱体溶液混合，反应得到Mn:Zn-In-S裸核量子点。通过在本法得到的Mn:Zn-In-S裸核量子点表面包覆ZnS壳层，可以有效的提高量子点的光学性能，并且可以对量子点的荧光寿命进行调控。本方法提供的合成条件简单安全，不含Cd、Se等重金属元素，颗粒尺寸分布均匀，发光量子效率达56%，荧光寿命可达4.8ms。并且，本方法获得的Mn掺杂量子点具有优异的耐热稳定性，能承受200℃的热耐候性，在光电子器件、生物荧光标记等方面显示出诱人的应用前景。
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公开(公告)号：CN103509558B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310456580.0
申请日：2013-09-29
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明公开了一种提高Mn掺杂量子点的热稳定性的方法，即通过调控Mn掺杂量子点的基体合金量子点的组份，增大基体材料的禁带宽度，从而提高量子点的热稳定性。利用该方法得到的Mn掺杂量子点，其发光强度可以从80-500K一直不衰减，远远高于非掺杂量子点及基体禁带宽度较小的Mn掺杂量子点，具有明显的应用价值。本方法在理论上具有普适性，即通过增大Mn掺杂量子点的基体材料的禁带宽度，可大幅度提高掺杂量子点的热稳定性。
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公开(公告)号：CN103928276A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410176393.1
申请日：2014-04-29
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)以碳纸为衬底，在0.05mol/L的Co(NO3)2(纯度：99%)乙醇溶液中浸渍处理，取出自然晾干备用；3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚底部，浸渍处理的碳纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛保护炉中；4)在纯度为99.9%的Ar气氛保护下，从室温以25℃/min加热至1550℃；5)以15℃/min从1550℃降温至1100℃；6)随炉冷却至室温，实现原位B掺杂SiC纳米线的制备；7)将SiC纳米线用作场发射阴极进行电子发射性能检测和分析。通过B掺杂，SiC场发射阴极材料的高温电子发射稳定性得到了有效提高。
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公开(公告)号：CN114591738B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210164869.4
申请日：2022-02-23
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种可独立改变卤素含量的Mn2+掺杂CsPbCl3纳米晶的制备方法，属于半导体发光领域。本发明通过卤素热注法合成Mn2+掺杂CsPbCl3钙钛矿纳米晶，首次实现了在Mn2+掺杂浓度固定的情况下单独改变卤素密度，通过调节卤素含量，减少缺陷(陷阱)态，减小电子‑声子耦合效应和高温下的热降解作用，使其光学性能和稳定性更优；本发明钙钛矿纳米晶实现了通过改变卤素含量调控激子和Mn2+的光学性质，具有潜在的纳米荧光粉应用。
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公开(公告)号：CN115746841B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211332995.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用，属于光学膜技术领域。本发明公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜，所述Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜通过将CdBr2加入到包含FABr、PbBr2、PVDF、N,N‑二甲基‑N‑(3‑磺丙基)‑1‑十八烷铵内盐、辛基溴化胺的前驱体溶液后制得。本发明还公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜的制备方法，所述制备方法包括：将加入CdBr2的前驱体溶液经超声、离心脱泡、刀片刮涂、干燥后制得。本发明也公开了Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜在发光器件领域中的应用，所述应用包括将Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜用于发光器件，在60～90℃及蓝光环境下均能保持74％以上的量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115746841A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211332995.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用，属于光学膜技术领域。本发明公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜，所述Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜通过将CdBr2加入到包含FABr、PbBr2、PVDF、N,N‑二甲基‑N‑(3‑磺丙基)‑1‑十八烷铵内盐、辛基溴化胺的前驱体溶液后制得。本发明还公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜的制备方法，所述制备方法包括：将加入CdBr2的前驱体溶液经超声、离心脱泡、刀片刮涂、干燥后制得。本发明也公开了Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜在发光器件领域中的应用，所述应用包括将Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜用于发光器件，在60～90℃及蓝光环境下均能保持74％以上的量子效率。
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公开(公告)号：CN105222918B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201510615729.4
申请日：2015-09-24
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器，包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件，双掺杂量子点材料的制备方法如下：a、硫前驱体和锌前驱体的制备；b、在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体，在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液，表面配体为DDT和OLA；透明溶液升温，加入硫前驱体，保温生长加入锌前驱体，得到含Cu(Ag)，Mn共掺杂Zn‑In‑S量子点的溶液；溶液冷却后经提纯得到量子点。本发明传感器灵敏度高，测试范围大，稳定性好，通过调控双掺杂离子的掺杂浓度，可以实现对双荧光发射强度的调控，性能突出。
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公开(公告)号：CN111564549B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010111699.4
申请日：2020-02-24
Applicant: 宁波工程学院
IPC: H01L41/04 , H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/316 , H01L41/35 , H01L41/37
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，涉及一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法。所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法包括以下步骤：(1)制备SiC/ZnO纳米异质结：将SiC纳米线分散于乙醇溶液中，取含有SiC纳米线的乙醇溶液滴在Si片上，自然晾干；然后将载有SiC纳米线的Si片面朝上放入原子层沉积系统，在惰性气氛中，以二乙基锌和水作为生长ZnO层的前驱体，在SiC纳米线表面生长ZnO层，从而获得SiC/ZnO纳米异质结；(2)压力传感器构建：将载有SiC/ZnO纳米异质结的Si片，在原子力显微镜导电模式下构建Pt/Ir‑SiC/ZnO‑Si压力传感器。
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公开(公告)号：CN108117095B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711187597.5
申请日：2017-11-24
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种CsPbBr3纳米棒及合成不同尺寸CsPbBr3纳米棒方法，属于材料制备技术领域。所述CsPbBr3纳米棒尺寸可调，且长度为200‑800nm。一种基于微波法合成不同尺寸CsPbBr3纳米棒的方法，包括：将Cs前驱体及PbBr2前驱体在氮气保护下进行混合，在100‑1000W的微波下进行合成，1‑60min后取出冰水降温，得CsPbBr3纳米棒原液；用己烷和丙酮对CsPbBr3纳米棒原液进行离心清洗，将沉淀物CsPbBr3纳米棒重新分散在己烷或甲苯中保存。本发明实现了微波法可控且快速合成CsPbBr3钙钛矿纳米棒，其能有效实现CsPbBr3钙钛矿纳米棒尺寸的精细调控。
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公开(公告)号：CN108493082B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810311138.1
申请日：2018-04-09
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种无机半导体异质结材料的制备方法，特别是石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)异质结纳米阵列的制备方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520‑1600℃下保温30‑40min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC异质结纳米阵列。本发明能够实现高定向Graphene/SiC异质结纳米阵列结构的生长；且周期短，工艺可控。
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