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公开(公告)号：CN101740100A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810179062.8
申请日：2008-11-27
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具平均抹除机制的闪存装置及其控制方法。所述闪存装置，包括：至少一闪存、一热门清单、一位元对应表、一来源指针及一控制单元。其中，控制单元是透过热门清单、一实体记忆区块的抹除次数及闪存装置的一整体平均抹除次数来取得一抹除次数较高的实体记忆区块，并且再透过位元对应表及来源指针的管理，以正确地追踪出储存冷门数据的实体记忆区块。然后控制单元再将冷门数据搬移至抹除次数较高的实体记忆区块中，藉此释放冷门数据所占用的实体记忆区块，以防止抹除次数高的实体记忆区块继续磨损，而达到闪存平均抹除的目的。
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公开(公告)号：CN101645309A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810021556.3
申请日：2008-08-05
Applicant: 威刚科技(苏州)有限公司 , 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/3495
Abstract: 本发明公开了一种非挥发性存储装置及其控制方法，特别的提供了一种在快闪存储装置中执行损耗平衡的方法和设备。本发明统计所有记忆区块的抹除次数，以掌控记忆区块被抹除次数的分布情况，再利用标准差决定执行静态抹除平均的时机与程度，藉此避免过度执行静态抹除平均而影响快闪存储器的供存取速率以及应有的寿命。再者，通过纪录快闪存储器的总抹除次数与记忆区块的抹除时间记号，可正确判断出存储静态资料的记忆区块，进而将静态资料搬移至抹除次数较高的空记忆区块，将原存储静态资料的记忆区块释放，可避免不当的静态抹除动作的发生。
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公开(公告)号：CN101615422A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810126522.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 威刚科技股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种自动切换内存接口模式的闪存控制器，应用于一具有多个闪存的储存装置，包括：一内存接口、一微处理单元及一接口模式控制单元。其中，微处理单元在初始设定程序时，是辨识内存接口所连接的各个闪存所支持的接口模式，进而分别设定对应的接口模式设定值于接口模式控制单元。于是当储存装置运作于一正常运作状态时，接口模式控制单元便会依据目前所致能的闪存而输出对应的接口模式设定值，使内存接口依据接口模式设定值来调整及切换接口模式。借此，以达到让储存装置充分发挥存取速度的目的。
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公开(公告)号：CN100536029C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610098781.8
申请日：2006-07-14
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非挥发性储存装置及其控制方法，利用储存单元本身的识别代码，产生控制信号，使电源管理单元内的电源控制及开关电路能根据控制信号及外部电压的电压位准，来控制第二升压电路来提高外部电压的电压位准，或控制第二稳压电压来稳定或降低外部电压的电压位准，以符合储存单元运作所需的电压位准，如此一来便能支持不同规格的储存单元。
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公开(公告)号：CN101430923A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710166222.0
申请日：2007-11-06
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有温度控制功能的固态半导体储存装置及其应用系统与控制组件，其中固态半导体储存装置，包括一非易失性存储器单元、一温度感测组件及一控制单元。温度感测组件用于感测该固态半导体储存装置的操作温度，以提供温度感测信号给控制单元，而控制单元根据温度感测信号值判断固态半导体储存装置的操作温度，并执行对应程序，进而达到温度控制的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101615420B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200810126102.2
申请日：2008-06-26
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 一种闪存储存装置，是在对一闪存执行一复制回存程序时，进行数据修正功能，闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区，而闪存控制器包括：一传输缓冲区、一错误修正单元、一修正信息暂存器及一微处理单元。微处理单元是在对闪存产生一复制记忆页的读取指令后，读取记忆页缓冲区的数据而暂存至传输缓冲区，进而控制错误修正单元检测及修正传输缓冲区的数据以产生一检测结果。最后依据检测结果中的一数据错误数量来产生相异的一烧录指令，以将修正后的数据烧录至记忆单元。以达到改善可靠度及存取效率的目的。
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公开(公告)号：CN101271730B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200710129461.9
申请日：2007-07-17
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明公开了一种具混合密度存储器的存储器系统。所述的存储器系统包括有多个具不同抹除耐用次数的存储储存空间，以及对应该存储储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值。其中该系统在执行对一存储储存空间的特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的存储储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。借此，可使得分属不同密度的存储储存空间尽可能同时到达抹除耐用次数。
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公开(公告)号：CN101430923B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200710166222.0
申请日：2007-11-06
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有温度控制功能的固态半导体储存装置及其应用系统与控制组件，其中固态半导体储存装置，包括一非易失性存储器单元、一温度感测组件及一控制单元。温度感测组件用于感测该固态半导体储存装置的操作温度，以提供温度感测信号给控制单元，而控制单元根据温度感测信号值判断固态半导体储存装置的操作温度，并执行对应程序，进而达到温度控制的目的。
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公开(公告)号：CN101599305B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810109903.8
申请日：2008-06-04
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法，主要是利用反复一或多次的测试与修复流程，使记忆媒体中的错误能降低至一般使用的错误侦测及校正(ECC)功能可以修复的范围，以确保资料读取的正确性，有效提升数据可靠度，其中数据修复步骤之较佳方式包括利用储存系统中的测试数据产生器提供一笔测试数据，并写入发生数据错误的记忆区块中，并通过读取其中数据来找到错误位，再通过修复程序使之能处于ECC技术可以修复的范围中，但是，若测试次数超过一测试的上限次数都无法找出错误位或无法将错误修复降低至错误侦测及校正技术可修复的范围，则将此记忆区块标记为损毁区块。
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公开(公告)号：CN101727400B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810171683.1
申请日：2008-10-23
Applicant: 威刚科技股份有限公司
IPC: G06F12/06
Abstract: 本发明涉及一种混合密度存储系统的控制方法，其适用于在一主机与该存储系统之间数据的处理，其中主机具有多个逻辑区段的储存空间来存取数据，而存储系统具有一高密度存储器以及一低密度存储器，该高密度存储器中具有多个实体区段的储存空间来存取数据。所述的控制方法的步骤为首先，提供一低密度记忆分配表于该存储系统中的预定位置，用以记录低密度存储器的储存空间的配置信息；最后，根据数据的性质以及低密度记忆分配表的内容，将数据写至高密度存储器或低密度存储器中。
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