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公开(公告)号:CN101645309A
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:CN200810021556.3
申请日:2008-08-05
Applicant: 威刚科技(苏州)有限公司 , 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/3495
Abstract: 本发明公开了一种非挥发性存储装置及其控制方法,特别的提供了一种在快闪存储装置中执行损耗平衡的方法和设备。本发明统计所有记忆区块的抹除次数,以掌控记忆区块被抹除次数的分布情况,再利用标准差决定执行静态抹除平均的时机与程度,藉此避免过度执行静态抹除平均而影响快闪存储器的供存取速率以及应有的寿命。再者,通过纪录快闪存储器的总抹除次数与记忆区块的抹除时间记号,可正确判断出存储静态资料的记忆区块,进而将静态资料搬移至抹除次数较高的空记忆区块,将原存储静态资料的记忆区块释放,可避免不当的静态抹除动作的发生。
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公开(公告)号:CN101615422A
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200810126522.0
申请日:2008-06-24
Applicant: 威刚科技股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种自动切换内存接口模式的闪存控制器,应用于一具有多个闪存的储存装置,包括:一内存接口、一微处理单元及一接口模式控制单元。其中,微处理单元在初始设定程序时,是辨识内存接口所连接的各个闪存所支持的接口模式,进而分别设定对应的接口模式设定值于接口模式控制单元。于是当储存装置运作于一正常运作状态时,接口模式控制单元便会依据目前所致能的闪存而输出对应的接口模式设定值,使内存接口依据接口模式设定值来调整及切换接口模式。借此,以达到让储存装置充分发挥存取速度的目的。
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公开(公告)号:CN101430923A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200710166222.0
申请日:2007-11-06
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有温度控制功能的固态半导体储存装置及其应用系统与控制组件,其中固态半导体储存装置,包括一非易失性存储器单元、一温度感测组件及一控制单元。温度感测组件用于感测该固态半导体储存装置的操作温度,以提供温度感测信号给控制单元,而控制单元根据温度感测信号值判断固态半导体储存装置的操作温度,并执行对应程序,进而达到温度控制的目的。
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