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公开(公告)号:CN115985668A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211684783.0
申请日:2022-12-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域,提供了一种复合羰基铁芯材料的制备方法,包括:对微米级羰基铁粉进行绝缘包覆,得第一复合粉末;对所述第一复合粉末进行过筛处理后,加入纳米级羰基铁粉进行球磨处理,得第二复合粉末;将所述第二复合粉末进行压制成型,得复合羰基铁块体;对所述复合羰基铁块进行去应力退火处理,即得。本发明通过向传统羰基铁粉中添加纳米级羰基铁粉,可以显著增加磁性相之间的交互耦合作用,降低磁晶各向异性及磁致伸缩系数,从而达到提升饱和磁感应强度和磁导率的目的。另外,本发明制备工艺简单,反应条件容易控制,可应用于工业化规模化生产。
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公开(公告)号:CN114456456B
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202210107039.8
申请日:2022-01-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种耐低温耐油的丁腈橡胶复合材料及其制备方法,其按重量份数计包括如下组分:丁腈橡胶100份,活性剂1‑10份,防老剂0.05‑5份,补强剂30‑50份,增塑剂5‑20份,硫化剂1‑2份,促进剂1‑5份,球状纳米硅粉1‑10份,其中纳米硅粉粒径
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公开(公告)号:CN115000396A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210615772.0
申请日:2022-06-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M4/505 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种表面多组分改性无钴富锂锰基正极材料及制备方法。利用离子交换法在材料次外层形成一层尖晶石相,具有三维Li+扩散通道,同时在表层Li位中掺杂Ce减缓TM离子的转移,有效稳定晶格氧的演化,抑制结构畸变。此外,最外层形成CePO4和Li3PO4包覆层有效阻止电解液与活性物质直接接触,稳定固/液界面,从而提升电池循环性能。本发明所述的表面多组分改性无钴富锂锰基正极材料制备锂离子电池,其制备工艺简单、耗能少、成本低易工业化,制得的电池首效高、循环稳定性能好,在0.1C电流密度下放电容量达到257.73mAh g‑1,首效为85.88%,1C下循环100圈其容量保持率为87.9%。
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公开(公告)号:CN111039318A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201911235558.7
申请日:2019-12-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法,其特征在于具有如下步骤:将纯锡块通过直流电弧等离子体技术制备成纯Sn纳米粒子作为前驱体,并将其与单质硫以摩尔比1:1~1:3的比例混合均匀,得到锡硫混合物;将锡硫混合物转移至密封腔中,将密封腔抽真空后密封,将密封腔至于硫化反应炉体进行硫化反应,硫化反应温度为200℃~250℃;硫化反应结束后,随炉冷却至室温,对密封腔内的样品进行研磨并进行去硫处理,之后,随炉冷却至室温,得到SnS纳米材料。本发明使用纯锡和单质硫作为锡源和硫源,成本低廉,通过控制锡硫用量,反应时间,反应温度得到SnS纳米材料,操作简单,适合商业化生产。
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公开(公告)号:CN109930124A
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201910291577.5
申请日:2019-04-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种应用于探头表面高温导电耐蚀Ti-Nb-Ta合金薄膜材料及其制备方法,属于金属材料表面改性和新材料技术领域。该合金薄膜材料包括Ti、Nb、Ta三种元素,其合金成分的原子百分比表达为Tix-Nby-Ta1-x-y,其中,x=97~98.4%,y=0.8~1.5%;该材料成分设计依据团簇+链接原子的结构模型,结合键逾渗模型来完成。该Ti、Nb、Ta三元合金薄膜材料利用高真空多靶磁控溅射技术在基底表面制备。本发明制备方法简单、沉积速度快、生产效率高、成本低,制备得到的薄膜材料在高温下具有良好的耐腐蚀、耐氧化和导电性能,适用于加工技术领域。
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公开(公告)号:CN109759708A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201910074764.8
申请日:2019-01-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K26/348
Abstract: 本发明涉及纳米粉体生产技术领域,具体是一种热弧与激光复合热源蒸发金属/碳纳米粉体连续生产方法。通过利用热弧与激光复合热源蒸发多腔体钠米粉体制备装置,将激光功率与热弧功率均增加,通过对激光与热弧功率的控制,来改变阳极的蒸发效率,通过控制腔体中的温度梯度,形成不同粒径的纳米粉体,可实现连续生产。本发明可实现多种不同成分粉体的同时制备,避免了粉体制备过程中的相互污染,提高了粉体的纯度,生产效率大大提高、成本降低,在产业上可以实现不同腔体之间不断切换、持续蒸发纳米粉体的生产效果,在真空系统满足持续工作的前提下可以实现连续化生产。
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公开(公告)号:CN105590753B
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201510789516.3
申请日:2015-11-17
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种壳核型碳包覆锰及其合金氧化物纳米复合粒子的制备方法,首先使用自动控制直流电弧金属纳米粉体生产设备,加入适量金属锰或锰合金原料,在一定比例的惰性气体和含碳气体的混合气氛中蒸发块状金属锰或锰合金原料,获得碳包覆锰或碳包覆锰合金纳米复合粒子前驱体。然后将前驱体在反应气氛中经过加热氧化处理,得到碳包覆锰氧化物或碳包覆锰合金氧化物的纳米复合粒子。用该方法制备的纳米复合粒子具有石墨碳为壳,锰及锰合金的氧化物为核的壳‑核型结构,兼有双电层电容和赝电容两种特性,大大提高了超级电容器电极的容量。
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公开(公告)号:CN105399099B
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201510796885.5
申请日:2015-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/021 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种利用掺杂气体制备掺杂纳米硅的方法,使纳米硅材料的尺寸和性能得到精确控制的同时,实现掺杂纳米硅材料的规模化制备;本发明在合成的过程中对纳米硅进行原位可控元素掺杂,提高纳米硅材料的导电性和光响应性能,并将制备的掺杂纳米硅作为光电极材料应用在光超级电容器领域。首先使用自动控制直流电弧金属纳米粉体生产设备,在通入氢气、惰性气体和含有掺杂元素气体的混合气氛中,以钨电极为电弧阴极,硅块为电弧阳极,引弧蒸发硅块原料,在原位制备的基础上一次性得到掺杂的纳米硅材料。本发明原料来源丰富,制备过程简单,可规模化制备;产物环境友好无污染,结构新颖;掺杂元素的加入,提高了纳米硅结构的光电特性。
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公开(公告)号:CN107482197A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201710664378.5
申请日:2017-08-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/362 , H01M4/0426 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/62 , H01M4/626 , H01M10/0525
Abstract: 一种非晶铁硅薄膜锂离子电池负极材料及其制备方法与应用,属于锂离子电池负极材料技术领域。该负极材料是一种非晶铁硅薄膜,具有如下成分通式:FexSi(100-x),0<x≤29(x为原子百分比),且始终为非晶态,随成分变化其电阻率变化范围为6.12×10-3-5.17Ω·cm,使用此负极材料的锂离子电池满足比容量峰值范围为877mAh/g-3200mAh/g,并且满足150次循环内效率都在90%以上。使用非晶FeSi薄膜来制备锂离子电池的负极,不但可以通过改变非晶中的Fe含量灵活地控制负极薄膜的电阻率;更重要的是Fe的引入对缓解非晶硅较大的体积膨胀有较明显的作用,使锂离子电池在具有较高比容量的前提下显著提高了循环特性。
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公开(公告)号:CN106119807A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610536965.1
申请日:2016-07-09
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C23C16/271 , C01P2002/82 , C23C16/02 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于新材料合成领域,提供了一种掺硼金刚石粉末的制备方法。将硼源的乙醇溶液超声振荡形成分散液,滴到载体上,烘干即得衬底;采用HFCVD法制备金刚石薄膜,在100%氢气环境下,对衬底进行精细净化和活化处理,活化处理时间为20‑40min;活化处理与金刚石薄膜沉积过程中,温度维持2000‑2200℃,控制衬底温度为650‑950℃,反应室内总压强20‑70Torr;金刚石薄膜沉积时,甲烷浓度为0.5%‑2%,沉积时间1‑6h;将金刚石薄膜放入管式炉中,抽真空后通入保护气体,扩散退火处理。此方法具有简单、方便、安全、掺硼量可控等优点。特别适用于作燃料电池阴极催化剂的BDD电极制备。
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