公开(公告)号：CN112466874B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202011234815.8

申请日：2020-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  汪超 ,  江钧 ,  柴晓杰 ,  张伟

IPC: H01L27/11504 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597

Abstract: 本发明属于存储技术领域，具体为一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内读写铁电存储器阵列，其中字线集成于铁电存储单元层面内，位线包括第一位线和第二位线层，布局于铁电存储单元层面外，各位线层具有沿第一方向排列的多条位线及多个间隙，间隙包括交替排列的第一间隙群与第二间隙群。第一导电柱阵列连接字线层和第一位线层，第二导电柱阵列连接字线层和第二位线层，二者错开排列。各导电柱与邻接的字线交叉点间隙区域配置有存储器构件。本发明的铁电存储结构具有不破坏存储层器件的存储功能，能够提高存储单元的存储能力，N层字线层存储单元尺寸为4F2/N，F为特征尺寸，适用于高密度器件，且制备简单、成本低。

公开(公告)号：CN104637949B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510036586.1

申请日：2015-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平 ,  江钧

IPC: H01L27/11507 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法。该非破坏性读出铁电存储器包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层与第二电极层之间的铁电薄膜层，其中，第一电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不垂直且基本不平行第一电极层的法线方向；其中，在第一电极层中的邻接间隙的两个部分之间偏置某一方向的读信号时，对应间隙的部分铁电薄膜层的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。

公开(公告)号：CN104637949A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510036586.1

申请日：2015-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平 ,  江钧

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法。该非破坏性读出铁电存储器包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层与第二电极层之间的铁电薄膜层，其中，第一电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不垂直且基本不平行第一电极层的法线方向；其中，在第一电极层中的邻接间隙的两个部分之间偏置某一方向的读信号时，对应间隙的部分铁电薄膜层的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。