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公开(公告)号：CN112018078A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010746391.7
申请日：2020-07-29
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种铜互连结构及其制作方法。该铜互连结构包括：第一沟槽，形成在绝缘介质(200)内，所述第一沟槽内填充有第一层铜互连线(201)；通孔和第二沟槽，形成在所述介质层(209)中且垂直相连通，其中，所述通孔内部填充有铜材料(204)；所述第二沟槽底部形成有籽晶层(205)，内部填充有第二层铜互连线(207)；铜扩散阻挡层(208)，覆盖所述第一层铜互连线(201)表面和所述绝缘介质(200)表面，同时包覆所述通孔和所述第二沟槽的侧壁表面以及所述第二沟槽的下表面；铜扩散覆盖层(210)，形成在上述结构的上表面。
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公开(公告)号：CN111900127A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010626938.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/02 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了用于三维系统级封装的TSV无源转接板制备方法。采用离子注入工艺向单晶硅衬底中注入低能离子至较浅深度，然后进行高温退火在硅衬底内部形成一层硅化合物，从而硅化合物将硅衬底分为上方的顶层硅和下方的体硅。接着在顶层硅表面采用分子束外延的方法生长一定厚度的单晶硅，作为基底。本发明能够充分利用硅材料，节约成本，同时有利于实现芯片的高密度封装。
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公开(公告)号：CN111882017A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010618775.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: G06K19/077 , H01G11/08 , H01G11/84 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种RFID芯片与超级电容三维集成系统及其制备方法。该RFID芯片与超级电容三维集成系统包括：硅衬底(200)；RFID芯片(201)，其位于所述硅衬底(200)正面；超级电容，其位于所述硅衬底(200)背面，位置与所述RFID芯片(201)相对应，但不相互接触；硅通孔结构，其贯穿所述硅衬底(200)，位于所述RFID芯片(201)的两侧；其中，所述RFID芯片(201)的芯片正电极(2021)和芯片负电极(2022)分别通过两侧的所述硅通孔结构与所述超级电容的电容接触正电极(2131)和电容接触负电极(2132)电气连通；封装基板218，其与所述电容接触正电极(2131)和所述电容接触负电极(2132)电气连接。
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公开(公告)号：CN111769078A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010562314.6
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于系统级封装的TSV无源转接板制备方法。本发明通过在硅衬底上外延一层SiGe材料；然后在SiGe材料表面外延一层Si材料，之后选择性去除SiGe材料，从而使顶层Si材料与底部硅衬底分离，获得TSV无源转接板基底。本发明简化了制造工艺，而且无需损坏硅衬底，有利于获得厚度只有几微米的TSV无源转接板基底。
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公开(公告)号：CN111540740A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010400726.X
申请日：2020-05-13
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法。本发明公开的半浮栅存储器，是在浮栅晶体管内部同时嵌入pn结和肖特基二极管，分别作为电荷擦写的通道；pn结具有整流特性，即正向导通、反向截止，而且开启电压非常小；利用pn结作为电荷擦除的通道，可以极大提高擦除速度；肖特基二极管同样具有整流特性，而且开启电压也非常小；利用肖特基二极管作为电荷写入的通道，可以极大提高电荷写入速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111508961A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010346662.X
申请日：2020-04-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种高隧穿效率半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底；半浮栅阱区，位于所述半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿所述半浮栅阱区；第一栅极叠层，包括第一栅介质层和浮栅；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和控制栅；栅极侧墙；源区和漏区，位于所述第一栅极叠层和所述第二栅极叠层两侧；通过在整个器件表面淀积高应力的覆盖层Si3N4，并高温热退火，在隧穿晶体管的沟道中产生单轴张应力，减小沿沟道方向的电子电导有效质量和散射概率，即增大隧穿效率，从而极大增加隧穿晶体管的驱动电流，并进一步提高存储器擦写速度。
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公开(公告)号：CN111508960A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010346656.4
申请日：2020-04-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种低操作电压半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，具有第二掺杂类型；U型槽，贯穿半浮栅阱区，底部处于半浮栅阱区的下边界；第一栅介质层，覆盖U型槽的表面；第一金属栅覆盖第一栅介质层；第二栅介质层覆盖第一金属栅表面和部分半浮栅阱区表面，第二金属栅覆盖第二栅介质层，且第二栅介质层和第二金属栅在U型槽内部均有覆盖；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源电极和漏电极，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧。本发明半浮栅晶体管的开关速度增加，操作电压降低；控制栅对U型槽附近的沟道的控制能力有极大增加。
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公开(公告)号：CN111446254A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010172770.X
申请日：2020-03-12
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L29/06 , H01L29/267
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于金属氧化物半导体的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：作为底栅的衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为第一类绝缘介质；覆盖阻挡层的半浮栅，其为第一类金属氧化物半导体；在半浮栅表面的隧穿层，其为第二类绝缘介质；异质结，其第一端为第二类金属氧化物半导体，与隧穿层平行邻接形成在半浮栅表面，异质结的第二端为第三类金属氧化物半导体，覆盖隧穿层和异质结的第一端；源极和漏极，形成在异质结的第二端的表面；其中，第一类金属氧化物半导体、第二类金属氧化物半导体和第三类金属氧化物半导体的能带构成阶梯层状能带结构。本发明能够加快数据写入速度，增加数据保持时间。
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公开(公告)号：CN111446083A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010172768.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种硅基超级电容及其制备方法。本发明的硅基超级电容包括：硅衬底；硅纳米结构阵列，分布在所述硅衬底背面；绝缘介质层，覆盖所述硅纳米结构阵列表面；正电极和负电极，形成在所述绝缘介质层上，且彼此分隔；固态电解质凝胶，形成在所述正电极和负电极之间的绝缘介质层上，并部分覆盖所述正电极和所述负电极。本发明的硅基超级电容，在同一硅片的背面形成电容的正负电极，并与硅基集成电路工艺兼容，能够充分利用硅材料，简化工艺步骤，节约成本，此外还进一步提升了超级电容的能量密度。
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公开(公告)号：CN108987376A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810660178.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , C23C16/30 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料，该阻挡层材料为由Mn、O、N三种元素组成的薄膜，其中，各元素的比例为：O原子含量：1份；N原子含量：1.05~1.25份；Mn原子含量：2.45~3.11份，以上原子含量是指的原子数含量。本发明提供的锰氧氮阻挡层材料兼备高导电性和高抗Cu扩散能力的特点，在~2.4 nm的情况下便可在550℃退火30分钟的条件下有效地阻挡Cu的扩散。该材料可以通过调控原子比例实现材料电阻率的控制，并且可以利用与集成电路工艺兼容的磁控溅射沉积技术、化学气相沉积技术和原子层沉积技术等方法制备，工艺简单，易于推广。
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