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公开(公告)号：CN115881537A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211575582.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/12 , H01L21/223 , H01L21/283
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管制备方法。本发明方法包括：提供低维半导体材料结构的工件并制备成样品；在真空腔室中通入气体电离形成等离子体，与源极/漏极接触区域的低维半导体材料发生反应；原位真空沉积电极，形成低维半导体材料与电极的源极/漏极接触区域；最后进行剥离工艺，完成晶体管的制备。本发明可降低低维半导体材料与电极的源极/漏极接触区域的界面态缺陷密度、费米钉扎效应，提高晶体管的开态电流密度，并增加半导体材料晶圆上芯片元器件的可靠性和器件良率。
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公开(公告)号：CN115722045A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111010478.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种基于碳中和的催化还原二氧化碳为甲酸的提纯方法，包括以下步骤：步骤1，使用处理过的铜锡合金作为催化剂，将该催化剂制作成电化学器件并进行封装后置于电解液中进行电催化还原二氧化碳反应来将二氧化碳还原为甲酸，得到含有甲酸盐的电解液；步骤2，连续多次收集含有甲酸盐的电解液于广口容器中，经太阳能、风能蒸发获得干燥的太阳盐；步骤3，将收集的太阳盐加入一定体积分数的硫酸进行酸化，并采用氧化硼二次提纯蒸馏方法，获得甲酸溶液，其中，太阳盐的主要成分为甲酸盐和碳酸盐的混合物，甲酸溶液中的甲酸浓度大于等于85％。
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公开(公告)号：CN111470496B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202010154765.6
申请日：2020-03-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , G01N27/12 , C08G83/00
Abstract: 本发明属于气体分子识别技术领域，具体为金属有机框架/石墨烯复合结构及其识别气体分子的应用。本发明的金属有机框架/石墨烯复合结构，是根据晶格对称性匹配原则，以单层石墨烯为模板，外延生长金属有机框架得到具有高透明度和导电率的复合结构；以该材料为基础设计的电子化学器件，可识别不同气体分子。该复合结构在室温下可对气体分子进行实时监测，灵敏度高，检测信号的线性范围广。通过化学反应动力学对气体分子响应曲线进行拟合可以进一步对气体分子进行识别。该复合结构集成在柔性透明基底上，连续折叠200次后，器件仍然保持稳定。本发明可针对不同的气体分子选择或修饰金属有机框架材料，以实现其它的选择性识别。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113582173A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110951221.7
申请日：2021-08-18
IPC: C01B32/28 , C01B32/186
Abstract: 一种通过共价键连接的石墨烯‑金刚石共价异质结构及其制备方法，以金刚石为基体，采用低熔点金属作为催化剂覆盖在金刚石基体表面，采用低熔点金属作为催化剂，通过加热后CVD反应使得金刚石的表面转化为石墨烯，并且以共价键方式与下层金刚石基体连接。本发明可以将金刚石基体作为石墨烯结构形成的碳源，也可以在反应过程中加入其他气态或固态碳源。制备获得的石墨烯片层多为1‑10层的高质量少层石墨烯，片层内缺陷含量极低。
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公开(公告)号：CN113451139A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110700563.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/385 , H01L21/02 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体，属于先进半导体器件技术领域，方法为：将TMDCs材料转移到含氟的超平PTFE基底上，从而构建了一种TMDs和PTFE的垂直异质界面，该界面对TMDCs具有高效的空穴掺杂调控，通过测定转移后的TMDCs的光谱结构和荧光寿命，表征其能带结构的变化，可确定实现对TMDCs的p型掺杂，获得p型掺杂的TMDCs半导体，从而扩展了在光电或电子器件上的应用。本发明实现了在室温下对二维TMDCs从n型到p型掺杂的转换，调节效果长期、稳定且适合大规模生产要求，方法操作简便，具有单原子层可控掺杂精度，通过含氟化合物的强电负性效应实现对二维TMDCs的空穴掺杂型。
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公开(公告)号：CN111470496A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010154765.6
申请日：2020-03-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , G01N27/12 , C08G83/00
Abstract: 本发明属于气体分子识别技术领域，具体为金属有机框架/石墨烯复合结构及其识别气体分子的应用。本发明的金属有机框架/石墨烯复合结构，是根据晶格对称性匹配原则，以单层石墨烯为模板，外延生长金属有机框架得到具有高透明度和导电率的复合结构；以该材料为基础设计的电子化学器件，可识别不同气体分子。该复合结构在室温下可对气体分子进行实时监测，灵敏度高，检测信号的线性范围广。通过化学反应动力学对气体分子响应曲线进行拟合可以进一步对气体分子进行识别。该复合结构集成在柔性透明基底上，连续折叠200次后，器件仍然保持稳定。本发明可针对不同的气体分子选择或修饰金属有机框架材料，以实现其它的选择性识别。
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公开(公告)号：CN106245001B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610635718.7
申请日：2016-08-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于六方氮化硼（h‑BN）及其杂化结构制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备六方氮化硼及其杂化结构的方法。本发明以铜箔为基底，以固态硼烷氨络合物为硼源和氮源，利用等离子体增强化学气相沉积法制备六方氮化硼杂化结构，具体步骤包括：将基底和硼烷氨络合物置于石英舟中，然后置入等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空；将反应炉加热到相应温度，通入气体，然后将基底移动到炉子中心；调节系统压力，进行热处理；生长六方氮化硼及其杂化结构；冷却到室温。本发明工艺简单，操作简便，可控性强，并且能够实现对六方氮化硼及其杂化结构带隙的连续调控。
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公开(公告)号：CN106637391A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610667259.0
申请日：2016-08-15
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/186 , C30B29/02
Abstract: 本发明属于石墨烯合成技术领域，具体为一种化学气相沉积法合成单晶石墨烯过程中降低晶核密度的方法。在工业化合成大尺寸石墨烯单晶的过程中，晶核密度是决定单晶尺寸的一个重要因素，晶核密度越小，越有利于获得大尺寸的单晶。本发明在控制压力的氧气或氢气气氛下，高温退火处理石墨烯的金属生长基底，并联合计算模拟碳含量在金属表面和内部的演变，优化退火条件，最终得到适合工业标准化生产的低成核密度的金属基底。
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