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公开(公告)号：CN110610009A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810614800.0
申请日：2018-06-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属集成电路技术领域，涉及集成电路可制造性设计中静态随机存储电路良率分析方法，本方法中，首先使用互信息和序列二次规划，对高维SRAM电路的扰动空间进行降维，实现高维SRAM电路最佳平移矢量的快速计算；然后建立低维和高维SRAM电路性能分布的贝叶斯模型；最后，使用低维SRAM电路的先验知识，可极大地加速高维SRAM电路性能分布的拟合，大幅减小高维SRAM电路仿真次数，获得符合精度要求的SRAM失效率。实验结果表明，本发明提出的方法明显优于目前国际上已知的最好方法，可实现6-7倍加速比。
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公开(公告)号：CN108268688A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201710004676.1
申请日：2017-01-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路可制造性设计中电子束光刻技术领域，具体涉及字符投影的电子束光刻中，利用光刻字符间隙可交叠的性质，通过优化放置在字符盘上光刻字符的位置和数量，最终减少芯片制造所需的总曝光次数，提升电子束光刻的吞吐率。本发明的关键在于提出一个考虑字符空白交叠面积和字符使用频次/复杂度的综合指标f/A；并提出了一种准确、有效的估算字符实际占用面积的方法；通过修改2-D装箱算法，最终实现字符盘的优化设计。实验结果表明，本发明提出的方法明显优于目前国际上已知的最好方法。
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公开(公告)号：CN105893645A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410802288.4
申请日：2014-12-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体制造技术领域，涉及一种电子束和多重图案光刻混合工艺中版图图案分解方法，该方法将最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点K划分问题。所述方法包括步骤：根据输入版图文件和冲突距离B，构建冲突图G；然后随机产生删点K划分初始解，应用已有的删点两划分算法对当前最优解重复迭代优化，直到当前最优解若干次未发生更新；最后从中挑选最优的删点K划分结果作为输出。本发明迭代应用已有的删点两划分算法，并采用随机多起始点策略试图寻找全局最优解，达到电子束和多重图案混合刻蚀工艺中版图图案分解的目的。
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公开(公告)号：CN101964002B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910055285.8
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程中根据网格密度代价函数和近似精度，动态确定向待填充网格内填充哑元金属密度的数量，同时通过近似常数ε调整每次迭代时网格内哑元金属密度的增加量，能实现最终结果精度和计算速度的折衷。本方法可行性高，处理速度极高效，其计算速度和结果精度均优于流行的Monte-Carlo方法，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号：CN102467586A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010535297.3
申请日：2010-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路领域，涉及一种用于集成电路设计的分布式并行最小代价流方法及装置。本发明的方法为每个处理器维持一个任务队列进行分布式的调度，能够有效减小任务队列访问冲突，在更多处理器核的情况下，能够得到更好的加速比。应用本发明方法的装置包括输入单元、输出单元、程序存储单元、外部总线、内存、存储管理单元、输入输出桥接单元、系统总线和多核处理器。本发明的分布式并行最小代价流方法相比中央队列调度的并行最小代价流方法可以获得更高的加速比。本发明可应用于求解一大类集成电路设计自动化问题的多核并行实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102402635A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010286461.1
申请日：2010-09-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50 , H01L21/768
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明能保证最终结果的最优性，在满足给定金属密度约束的前提下，最终获得的哑元金属带来的耦合电容增加量不超过最小增加量的倍。本方法解决了以往方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题，可以应用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号：CN102142046A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010567839.5
申请日：2010-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路领域，涉及针对考虑工艺偏差影响下的带有透明锁存器的数字集成电路进行最优化速度分级的方法，包括计算带有透明锁存器的数字集成电路的最小时钟周期累计密度分布函数，以及根据最小时钟周期累计密度分布函数确定最优时钟周期等级分界点和分界点的最优测试顺序，以最大化总收益。本方法能通过随机配置法以很低的计算复杂度和很高的求解精度得到透明锁存器电路的工作时钟周期分布，避免随机到达时间求解中的收敛性问题；能以计算复杂度仅为O(n log n)的优化方法确定周期等级分界点的最优测试顺序，从而最小化测试成本；还能从理论上保证在采用贪婪算法确定周期等级分界点位置以最大化电路设计收益时，每次迭代计算的最优性。
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公开(公告)号：CN102054089A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010510296.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及针对工艺偏差影响下带有透明锁存器的数字集成电路进行速度分级的方法，包括：步骤1，计算带有透明锁存器的数字集成电路的最小时钟周期累计密度分布函数；步骤2，根据上述最小时钟周期累计密度分布函数采用贪婪算法来计算最优时钟周期等级分界点以最大化销售利润；步骤3，通过求解字母序二叉树带权最短路径问题确定时钟周期等级分界点的最优测试顺序以最小化测试成本，从而在同时考虑销售利润和测试成本的情况下，以低计算复杂度和高计算精度最大化集成电路的设计价值。
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公开(公告)号：CN101964002A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055285.8
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程中根据网格密度代价函数和近似精度，动态确定向待填充网格内填充哑元金属密度的数量，同时通过近似常数ε调整每次迭代时网格内哑元金属密度的增加量，能实现最终结果精度和计算速度的折衷。本方法可行性高，处理速度极高效，其计算速度和结果精度均优于流行的Monte-Carlo方法，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号：CN101964001A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055196.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时间近似算法FPTAS来求解最小哑元填充问题。该方法既可以保证最终结果的ε最优性，又可以实现最终结果精度和计算速度的折中，解决了现有方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题；该方法还可以在线性时间复杂度下，获得近似最少的哑元填充数目，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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