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公开(公告)号：CN1046174C
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN96116467.0
申请日：1996-08-16
Applicant: 复旦大学
Inventor： 华中一
IPC: H01L21/28 , H01L21/3105
Abstract: 一种制备纳米宽度有机导线的方法，采用扫描隧道显微镜(STM)技术，工作基质采用低压电双稳材料。先把电双稳材料蒸发到基本上成为均匀薄膜，再用STM技术在基体面上按预先设计的点、线或图形扫描，使扫描过的部分从绝缘态变为导电态，从而获得纳米宽度的有机导线或导电图形。由本发明制备的纳米导线，可避免距离小于0.1微米(100钠米)的金属导线间因原子徙动而产生短路的问题。
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公开(公告)号：CN1031851C
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：CN94112234.4
申请日：1994-07-18
Applicant: 复旦大学
Inventor： 华中一
Abstract: 一种利用扫描隧道显微镜(STM)操纵原子以制备超微(纳米级)量子器件的方法，其特点是用STM针尖在晶体表面按某一晶向刻出两条平行沟道，两沟道间的距离为1-3个原子，形成原子链(量子线)。然后，再用STM搬运一个原子放置于原子线上，构成开关器件。另一种方法是用STM在晶体表面刻出沟道后再搬入(填充)其他种类的原子到该沟道内，构成“分子夹层结构”。本发明制备的超微量子器件有清晰的固-固界面，可控制到一个原子的精度，可用于量子线的delta掺杂研究和量子器件集合效应研究，以及其他超微量子器件的基本过程研究。
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公开(公告)号：CN100386470C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510030773.5
申请日：2005-10-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备钙钛矿结构镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3，LSMO)薄膜的方法。本发明以LaAlO3(001)单晶基片为基板，在700-850℃的基板温度下通过渠道火花烧蚀技术，利用La0.7Sr0.3MnO3陶瓷靶在适当的氧气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，生长具有高度c轴取向性的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。所制备的薄膜具有高于室温的居里温度，在室温下具有良好的电学性能和铁磁性能。本发明方法所获得的薄膜在自旋电子器件中具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN1274666C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02111700.4
申请日：2002-05-16
Applicant: 复旦大学
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于有机功能材料技术领域，具体涉及一类复合型的空穴传输材料。复合型的空穴传输材料采用复合型的芳香三胺同系物材料，这种芳香三胺材料有许多种体系，每一种复合体由2～4种芳香三胺同系物分子构成，是一种混合物。每一种混合物中，至少含有1种取代基配置不均衡的分子。本发明的芳香三胺复合体具有优良的空穴传输性能和稳定性，可用于制作高性能的有机电致发光器件，在平面显示器件中有重要用途。
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公开(公告)号：CN1271059C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02111272.X
申请日：2002-04-04
Applicant: 复旦大学
IPC: C07D233/26 , C07D235/16 , C07D235/02 , C07D239/70
Abstract: 本发明属于有机功能分子和分子电子材料技术领域，具体涉及氰基取代的含杂环烯酮缩胺分子材料及其制备方法。该有机分子包括用二氰基取代的或者氮杂一氰基取代的烯酮缩甲硫醇分别与各种二胺反应，制备二氰基取代的或者氮杂一氰基取代含杂环的烯酮缩胺分子材料。本发明制备的烯酮缩胺分子有很好的热稳定性，其中许多分子的熔点在300℃以上。这些有机分子材料具有电双稳特性和特殊的介电性能，可用于制作多种功能器件。此外，这类有机分子还可以作为有机合成中间体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1206157C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02110772.6
申请日：2002-02-05
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00
Abstract: 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向的单分子层。有机分子采用长条形的、含有极性基团的π-共轭分子。这种分子电子器件能够用外加的正反向脉冲电压进行可逆转换，即可擦写，用很低的工作电压读出。本发明的分子电子器件可用作电可擦写的超高密度存贮器、分子开关以及逻辑元件等，在分子计算机中有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN1173978C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01127000.4
申请日：2001-10-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C07D495/10
Abstract: 本发明属分子电子材料技术领域，具体为一种硫杂螺环结构的有机分子电子材料及其制备方法。该有机分子电子材料具有硫杂螺环结构，并通过螺环将两端的结构单元连接起来，两端的结构单元可以是亚芴基、氧化蒽亚基、二氰基二甲基蒽亚基、硫代蒽亚基等。该有机分子材料以DAM为起始原料，在氮气气氛下制备获得。本发明制得的化合物熔点高，达300℃以上，有较高的热稳定性，可用作有机介质、分子半导体和电双稳材料等，在电存贮器、场效应管、过电压保护器和有机集成电路等方面具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN1453302A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN02111484.6
申请日：2002-04-25
Applicant: 复旦大学
IPC: C08J5/18
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种用表面吸附自发聚合技术制备超薄聚合物薄膜的方法。它以具有晶格结构的固体表面为基底，先在其上形成超薄有机单体膜，再聚合成聚合物薄膜。采用本方法可以制备大面积的超薄聚合物有序薄膜，选择合适的基底－单体体系，还可以制备厚度为几个分子层或者单分子层的准二维聚合物有序薄膜。本发明工艺简单，操作方便，适用面广，并且容易批量生产。本发明制备的超薄聚合物有序薄膜可用作光电功能器件的基底和介质薄膜，在纳米电子器件、分子电子器件、单电子器件以及量子电子器件方面有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN1352470A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01132374.4
申请日：2001-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于分子电子器件技术领域,具体涉及一种电可擦写的分子基电双稳薄膜器件及其制作工艺。该分子基电双稳薄膜器件为由底电极、顶电极和有机分子膜构成的夹层结构。底电极和顶电极采用不同金属,有机分子材料采用含杂环的1,1－二氰基乙烯衍生物。该薄膜器件可采用真空热蒸镀方法制作。本电双稳薄膜器件,擦写次数达到数10次至1000次,两种状态的反差超过1000倍,写入时间小于100纳秒,擦除时间小于1微秒。这种电双稳薄膜可用于研制超高密度的电可擦写存贮器、分子基逻辑门以及过电压保护器等,具有广泛的实际应用价值。
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