公开(公告)号：CN104040705A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066327.8

申请日：2012-12-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  M·A·古罗恩 ,  C·E·默里

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/66439

Abstract: 提供了一种制造FET器件的方法，其包括如下步骤。在BOX层上方的SOI层中形成纳米线/衬垫，其中所述纳米线悬置在所述BOX上方。沉积包围所述纳米线的HSQ层。使所述HSQ层的包围所述纳米线的(一个或多个)部分交联，其中所述交联使得所述HSQ层的所述(一个或多个)部分收缩，由此在所述纳米线中诱发应变。形成一个或多个栅极，所述栅极保持在所述纳米线中诱发的应变。也提供了一种FET器件，其中每条纳米线具有(一个或多个)第一区域和(一个或多个)第二区域，所述第一区域变形使得所述(一个或多个)第一区域中的晶格常数小于所述纳米线的弛豫晶格常数，所述第二区域变形使得所述(一个或多个)第二区域中的晶格常数大于所述纳米线的弛豫晶格常数。

公开(公告)号：CN103890930A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050984.3

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  M·A·古罗恩 ,  W·E·亨施

IPC: H01L21/82

Abstract: 存储器基元、存储器基元阵列以及制造嵌入式DRAM中的具有多栅晶体管的存储器基元的方法，所述多栅晶体管例如是完全耗尽的finFET或纳米线晶体管。所述存储器基元包括沟槽电容器、非平面晶体管以及将所述沟槽电容器电耦接到所述非平面晶体管的自对准硅化物互连。

公开(公告)号：CN103855091A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625288.7

申请日：2013-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·常 ,  P·常 ,  M·A·古罗恩 ,  J·W·斯雷特

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/1211 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延伸所述第一和第二栅极腔。所述无锗的硅材料被各向同性蚀刻以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述硅锗合金的第一半导体纳米线阵列；并且所述硅锗合金被各向同性蚀刻以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述无锗的硅材料的第二半导体纳米线阵列。用替代栅结构填充所述第一和第二栅极腔。每个替代栅结构可以横向围绕二维半导体纳米线阵列。