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公开(公告)号：CN107003236B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580063098.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01N21/27 , C23C16/52 , G01N21/33 , H01L21/205
Abstract: 提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量区域的浓度的浓度测定方法以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而从被测定对象以光学的方式通过的各波长的光，形成同该接收相应地从所述光接收传感器输出的同第一波长的光相关的信号与同第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN110392936A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201780088206.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/068
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种太阳能电池，不受或实质上不易受UV光的照射历史记录的影响，不存在或实质上不存在使用寿命的劣化。一种将特定条件下的UV劣化防止层设置为层结构要素之一的太阳能电池。UV劣化防止层以使有助于半导体极性的半导体杂质在该UV劣化防止层的层厚方向上进行浓度分布并且在该UV劣化防止层的内部具有浓度分布的极大值(CDMax)的方式含有该半导体杂质，该UV劣化防止层的层厚(d1+d2)在2nm～60nm的范围内，极大值(CDMax)在以下范围内，1×1019个/cm3≤极大值(CDMax)≤4×1020个/cm3···式(1)；极大值(CDMax)的半值(b1)的位置位于从UV劣化防止层的光入射侧的表面起的深度位置(A1)处，该深度位置(A1)在极大值(CDMax)的深度位置(A0)
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公开(公告)号：CN106687800B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580046757.7
申请日：2015-08-24
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量范围的浓度的浓度测定方法以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而以光学的方式从被测定对象通过的各波长的光，形成与该光接收相应地从所述光接收传感器输出的与第一波长的光相关的信号和与第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN109804466A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201680089904.3
申请日：2016-10-07
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L29/78 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种对于工业的进一步发展、实现更放心更安全的社会作出较大贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法驱动。本发明的解决方案之一是一种光传感器，具有受光元件、蓄积电荷的蓄积电容以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容为浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关为LDD/MOS晶体管，并且使其漏极区域中的杂质浓度成为特定的浓度。
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公开(公告)号：CN107112334B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201580062460.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3559 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/14612 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L29/78 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个课题在于提供一种对进一步发展产业、实现更放心更安全的社会作出大的贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法驱动。本发明的一个解决方法是一种光传感器，该光传感器具有受光元件、用于蓄积电荷的蓄积电容、以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容是浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关是非LDD/MOS晶体管，且该传送开关的漏极区域中的杂质浓度为少50％的浓度的非LDD/MOS晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104272719B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201380020301.4
申请日：2013-04-05
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 奥林巴斯株式会社
CPC classification number: H04N5/359 , H04N5/3575 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 即使在读出期间中像素输出发生变动，也输出抗噪性高的信号。提供一种固体摄像装置，其具有：呈二维排列的多个单位像素(9)，它们包含对入射光进行光电转换的PD(11)；FD(13)和输出端子(8)，它们按照多个像素组的每个像素组设置，所述像素组包含一个以上该单位像素(9)，所述输出端子(8)能够单独输出噪声信号以及信号噪声和信号；多条第1传输线(6a)，它们将输出端子(8)共同地连接起来，能够保持基于从该输出端子(8)输出的信号的电压；多条第2传输线(6b)，它们与该第1传输线(6a)并列地设置，能够保持电压；传输线间电容元件(20)，其将该第2传输线(6b)和第1传输线(6a)连接起来；复位开关(16b)，其将各第2传输线(6b)复位为复位电压；读出开关(19)，其设置在各第2传输线(6b)上；以及第3传输线(7)，其经由读出开关(19)将各第2传输线(6b)分别并联连接起来。
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公开(公告)号：CN106537613A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580037174.8
申请日：2015-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/103 , H01L27/144 , G01J1/02
CPC classification number: H01L27/1443 , G01J1/0233 , G01J1/0271 , G01J1/4228 , G01J1/429 , G01J1/44 , G01J2001/0276 , G01J2001/4266 , G01J2001/446 , H01L27/144 , H01L31/035272 , H01L31/103 , H02S40/44
Abstract: 本发明提供一种紫外光用固体受光器件，能够通过简单的构造来高精度地适当地测定对人体有害的紫外光的照射量，还能够容易地与周边电路的传感器形成一体，该紫外光用固体受光器件小型/轻量且成本低，适于携带(mobile)或穿戴(wearable)。解决方案之一具备第一光电二极管(1)、第二光电二极管(2)以及差动电路，该差动电路被输入基于来自这些光电二极管的输出的各个信号，在上述光电二极管(1、2)内以及设置于各光电二极管上的半导体层区域分别设置半导体杂质的最大浓度位置，各光电二极管的受光面上设置有波长选择性不同的光透过层。
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公开(公告)号：CN103988495B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280061057.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 奥林巴斯株式会社
Inventor： 须川成利
CPC classification number: H04N5/363 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，其采用低功耗的电路结构，并且能够除去像素的复位噪声。固体摄像装置(1)具有：像素(2)，其在行列方向上被排列，具有对通过传输单元从光电荷转换元件传输的信号电荷进行电压转换的电荷电压转换端子和对电荷电压转换端子的电压进行复位的第一复位单元；第一信号布线(8)，其连接各列的像素(2)；第一扫描单元(4)，其择一地选择行；以及第二复位单元(11)，其对第一信号布线(8)的电压进行复位，固体摄像装置(1)进行：在由第一扫描单元(4)选择的各行中，将由第一复位单元复位的电荷电压转换端子的电压信号读出并保存到处于悬浮电位状态的第一信号布线(8)中后进行输出的动作；以及将通过传输单元从光电荷转换单元传输了信号电荷的电荷电压转换端子的电压信号读出并保存到处于悬浮电位状态的第一信号布线(8)中后进行输出的动作。
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公开(公告)号：CN104040897A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066587.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 奥林巴斯医疗株式会社
Inventor： 须川成利
CPC classification number: H04N5/378 , H03M1/00 , H03M1/1047 , H03M1/12 , H03M1/124 , H03M1/468 , H03M1/804 , H04M1/00
Abstract: 在按照多个阶段进行模拟数字转换时，在采用逐次比较方式的同时能够得到正确的数字数据。提供一种模拟数字转换器，其具有根据来自计数器(15)的计数信号产生斜坡电压的斜坡波形信号产生部(14)、信号转换部(13)以及控制部(18)，信号转换部(13)具有保持所输入的信号电压的采样保持电路、根据电容值不同的规定数量的电容的连接组合而输出多个偏置电压的逐次比较电容群(16)以及将斜坡电压和偏置电压中的一方与信号电压进行比较的比较部(17)，控制部(18)根据比较部(17)对偏置电压和信号电压的比较结果和比较部(17)对斜坡电压和信号电压的比较结果生成信号电压的数字信号，并且，根据电容的连接组合和斜坡电压取得逐次比较电容群(16)的校准用数据。
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公开(公告)号：CN103210477A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054435.9
申请日：2011-10-28
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L27/12 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0248 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L27/1464 , H01L29/78603
Abstract: 本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。
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