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公开(公告)号：CN110423934A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910798078.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高温高韧大磁热效应的Ni-Co-Mn-Sn-Cu合金、制备方法及其应用，本发明属于磁性材料技术领域，具体涉及一种高温高韧大磁热效应的Ni-Co-Mn-Sn-Cu合金、制备方法及其应用。本发明要解决现有Ni-Mn-Sn铁磁形状记忆合金体系所存在的脆性大和难以满足较高环境温度下使用的问题。化学通式为Ni48-xCoxMn37Sn9Cu6，其中x为摩尔分数，0＜x≤12且所述合金中元素的摩尔数之和为100。方法：一、备料；二、电弧熔炼；三、均匀化处理最终获得Ni48-xCoxMn37Sn9Cu6磁制冷合金材料。
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公开(公告)号：CN106503700A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611270462.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/00255 , G06K9/00288
Abstract: 基于FPGA的Haar特征多处理架构人脸检测系统及检测方法，属于数据人脸特征检测技术领域。解决了现有人脸特征检测算法复杂，处理器运算速度慢的问题。本发明的图像存储模块用于提取摄像机采集图像中n×n的范围检测窗口内的haar特征，利用haar特征提取人脸特征，并利用人脸特征计算人脸特征每个像素点坐标；并将计算获得的人脸特征每个像素点坐标发送给积分图像生成器，积分图像生成器根据人脸特征每个像素点坐标利用积分图法，计算人脸特征值；并将计算获得的人脸特征值P发送分类器；分类器利用接收的人脸特征值P与特征阈值A×m进行比较，保留大于特征阈值A×m的人脸特征值P。本发明适用于用于人脸检测使用。
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公开(公告)号：CN118621200A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410793108.4
申请日：2024-06-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金及利用其制备应力可控固态储热材料的方法，本发明属于储热合金材料领域，具体涉及一种宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金及利用其制备应力可控固态储热材料的方法。本发明要解决当前相变储热材料所存储的热能随温度自发耗散的问题。方法：制备宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金；马氏体相变行为测试；利用加热台将宽滞后Ti‑Ni‑Zr‑Cu记忆合金加热至高温，使其处于奥氏体相后冷却至室温；对材料施加单轴应力，利用K型热电偶测量其绝热温变。材料可以吸收大于60℃的热能并在单轴应力驱动下发生奥氏体相到马氏体相的转变，产生热效应进行热能存储与释放。
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公开(公告)号：CN117894387A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311565817.9
申请日：2023-11-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于机器学习预测Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys的方法，本发明具体涉及一种基于机器学习预测Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys的方法。本发明是要解决现有技术缺少对Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后ΔThys预测方法的问题。通过第一性原理计算结合机器学习获得全部Ni‑Mn基形状记忆合金的本征值与体积变化率，将其作为关键物理耦合特征加入到Ni‑Mn基形状记忆合金热滞后数据集中，以元素和物理性质为特征，热滞后为标签，建立不同的机器学习模型，进行模型调参与模型选择，最后采用随机森林模型对新型Ni‑Mn基形状记忆合金的热滞后进行预测，通过实验制备，获取新型窄滞后Ni‑Mn基形状记忆合金。
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公开(公告)号：CN110889672B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201911138397.X
申请日：2019-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于深度学习的学生打卡及上课状态的检测系统，涉及深度学习技术应用领域。本发明为了实时准确地检测学生的打卡情况及上课状态，进而提供了一种基于深度学习的学生打卡及上课状态的检测系统。本发明所述检测系统包括数据采集子系统、检测子系统和存储及可视化子系统，首先利用人脸检测网络在图片或视频中找到人脸的位置，再分别进行人脸识别、疲劳检测和表情识别，确定学生身份和上课状态。最后还将数据进行输出，方便老师、家长实时掌握学生的情况并给予相应的指导，提高教学质量。本发明能实时地、同时地检测学生的身份、表情以判断其上课状态，具有网络结构精简、计算量低、检测系统的准确性较高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110649860A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911009938.9
申请日：2019-10-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于FPGA的简化SVPWM算法的实现方法，涉及逆变器控制技术领域。本发明为了解决采用传统SVPWM算法利用FPGA实现时存在运算过程计算量较大、占用大量逻辑单元、运算速度较低的问题。定义两电平三相电压源逆变器电路逆变电路，简化SVPWM算法扇区判断条件，简化SVPWM算法相邻矢量作用时间。本发明方法运算过程计算量较小，不会占用大量逻辑单元，运算速度较高。使用简化SVPWM算法，直接用三相电压进行扇区判断，并计算相邻矢量作用时间。本发明通过modelsim仿真验证了其可行性。
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公开(公告)号：CN105573951A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510990127.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06F13/40
CPC classification number: G06F13/4063
Abstract: 一种针对数据流传输的AHB总线接口系统，本发明涉及针对数据流传输的AHB总线接口系统。本发明是要解决现有方法未能提供一种通用接口而导致IP模块不能与SOC的片上总线相匹配的问题，而提供了一种针对数据流传输的AHB总线接口系统。一种针对数据流传输的AHB总线接口系统，它包括：主控制模块、寄存器组模块、译码控制模块、异常检测模块、突发传输监控模块、提前终止判断模块、分块传输处理模块、Rd_FIFO模块即读FIFO模块和Wr_FIFO模块即写FIFO模块。本发明应用于集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102779855B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210232866.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN102779855A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210232866.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN203706512U
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201420055636.1
申请日：2014-01-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G09B23/06
Abstract: 光电信息综合实验装置，涉及一种光电实验装置，属光电信息实验仪器的改进技术领域。本实用新型是解决了现有光电信息实验装置只能完成单一的一种功能，且可扩展性差的问题，本实用新型的实验工作台的侧面开有三个器件箱安装槽，所述三个器件箱安装槽用于放置光电检测实验器件箱、光纤通信试验器件箱和光纤通信试验器件箱，实验工作台的台面上安装有磁性面包板，光电检测实验器件箱用于放置光电检测实验器件；光纤通信试验器件箱用于放置光纤通信实验器件；光纤传感实验器件箱用于放置光纤传感实验器件；磁力座安装在磁性面包板上，用于在实验时安装光电检测实验器件、光纤通信实验器件或光纤传感实验器件。本实用新型适用于进行光电实验。
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