公开(公告)号：CN119797920A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510014947.6

申请日：2025-01-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈万小男 ,  盛捷 ,  费维栋 ,  张幸红 ,  陈大明

IPC: C04B35/524 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提出了一种超高强三维网状石墨烯/非晶碳复合材料及其制备方法，属于碳材料技术领域，该制备方法包括以下步骤：采用两步法，将由丙烯酰胺、水溶性糖类、N，N'‑亚甲基双丙烯酰胺制得的水凝胶依次进行预处理和烧结处理，最后制备得到所述超高强度新型碳材料；其中，所述烧结处理采用放电等离子体烧结或热压烧结。通过本发明的两步法策略，不仅解决了传统方法在微观结构设计上的瓶颈，还显著缩短了制备周期、降低了生产成本，成功制备出具有高强度和优良力学性能的石墨基碳材料，为石墨材料在工业应用中的进一步发展奠定了基础。

公开(公告)号：CN117604302B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311536173.0

申请日：2023-11-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王黎东 ,  邢昌盛 ,  张童 ,  简雨 ,  费维栋

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  B22F1/16 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明提供了一种利用微波制备石墨烯/铜复合粉体及复合材料的方法；属于无机合成和粉末冶金技术领域。本发明要解决现有石墨烯/铜复合粉体制备过程需要经过真空热处理设备耗时长，耗能高的问题。本发明方法：用有机物均匀包裹铜粉，然后放入石英容器中，充入惰性气体，置于微波设备中，调控微波功率和微波时间，待粉体冷却后获得石墨烯/铜复合粉体，经过烧结和变形处理后获得石墨烯/铜复合材料。本发明方法获得了高质量的石墨烯/铜复合粉体和具有优异力学和电学性能的石墨烯/铜复合材料。

公开(公告)号：CN117263171A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311206420.0

申请日：2023-09-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王黎东 ,  武耘仲 ,  李杰 ,  费维栋

IPC: C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  C01B32/949 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明提供了一种掺钼石墨烯及其燃烧合成制备方法，属于石墨烯材料技术领域。本发明提供的掺钼石墨烯燃烧合成制备方法，包括以下步骤：(1)将钼源、碳源和镁系还原剂混合，得到混合物；(2)将所述步骤(1)得到的混合物在无氧气氛中加热点燃，进行燃烧合成反应，得到含掺钼石墨烯的粗产物；(3)将所述步骤(2)得到的含掺钼石墨烯的粗产物依次进行酸洗和水洗，得到掺钼石墨烯。实施例的结果显示，本发明可以控制掺钼石墨烯中钼元素的掺杂比例，掺钼石墨烯呈片状结构，结构完整，结晶性较好，层数为10层以下，钼元素以单质钼和碳化钼两种形式负载在石墨烯表面。

公开(公告)号：CN116818168A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310859589.X

申请日：2023-07-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  费维栋

IPC: G01L5/00 ,  G01N23/2055

Abstract: 一种基于X射线衍射技术的非晶残余应力测量方法，本发明是为了解决现有X射线衍射应力测量方法只能针对晶体材料的问题。非晶残余应力测量方法：一、根据弹性力学原理推导出非晶体材料残余应力的表达式；二、采用应变仪测量多个非晶体材料标样的应力大小，采用X射线衍射仪测得非晶体材料标样的半高峰宽，线性拟合sin2ψ‑半高峰宽后得到直线斜率，计算应力测量系数k；三、在测定方向平面内测出待测非晶体材料在多个不同ψ方位的非晶衍射峰半高峰宽；四、绘制待测非晶体材料的散点图，计算直线斜率；五、代入公式。本发明通过对非晶材料进行测量和标定，得到了非晶残余应力X射线衍射方法的普适公式，通过直线斜率的大小获得应力值的大小。

公开(公告)号：CN115312610B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210963862.9

申请日：2022-08-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 费维栋 ,  高畅 ,  李伟力 ,  赵瑜

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜及其制备方法，涉及电源设备技术领域。所述带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜材料的化学通式为：Zn0.92‑xCux(Fe0.04Li0.04)O；其中x＝0～0.07。本发明提供一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜(ZCFLO薄膜材料)，薄膜的光伏性能得到大幅度提高。最佳掺杂含量的薄膜经过电场极化后的填充因子为83.4％，光电转换效率为14.4％，禁带宽度降低至1.93eV，具有优异的光伏性能。

公开(公告)号：CN111664978A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010470968.6

申请日：2020-05-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵瑜 ,  王召 ,  李伟力 ,  刘超前 ,  费维栋

IPC: G01L1/25 ,  G01N23/20

Abstract: 一种曲面异形件的残余应力表征方法，本发明涉及曲面异形件的残余应力表征方法。本发明的目的是为了解决现有方法对残余应力的测定准确率低的问题。过程为：一、计算该窗口宽度引起的衍射峰的宽化；二、对于球形样品，将球形样品半球进行遮挡，从出射窗口发射的X射线，只有一半的光线照射到球形样品上，不考虑球面曲率的影响，则将直接导致峰位向高角偏移Δθ/4；三、对于平面样品，计算衍射峰位向低角偏移的角度与偏移距离的关系；四、计算出出射窗口沿衍射圆周弧长方向的宽度L照射在球面上的弧长；五、确定各个入射角下球面曲率引起的最终峰位偏移；六、得到球形样品的残余应力。本发明用于材料的残余应力表征领域。

公开(公告)号：CN111620690A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010519389.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李伟力 ,  曹文萍 ,  费维栋

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 一种利用构建离子对获得大应变小滞后性的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法，它涉及无铅压电陶瓷领域。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明陶瓷制备：a)利用固相球磨法制备施主(Nb2O5)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.75Sr0.25Ti(1-x)O3-0.5xNb2O5陶瓷粉体；b)在850～950℃温度下预烧粉体；c)将粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密陶瓷。本发明通过在准同型相区的0.75BNT-0.25ST陶瓷进行施主掺杂，在陶瓷晶格内形成Ti3+-Nb5+离子对，利用离子对形成偶极矩使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷，本发明应用于无铅铁电陶瓷领域。

公开(公告)号：CN111410189A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201910008595.8

申请日：2019-01-04

Applicant: 泉州信和石墨烯研究院有限公司 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 王黎东 ,  费维栋 ,  王诗榕 ,  王璟楠

IPC: C01B32/184 ,  C01F5/02 ,  C01F11/06 ,  C01F7/16

Abstract: 一种石墨烯和无机颗粒复合粉体及其制备方法；属于复合粉体领域。本发明是要解决现有石墨烯与无机颗粒复合粉体制备工艺路线较长、成本高、环保压力大的问题。通过将镁铝合金粉和/或镁粉、碳酸盐粉体和无机颗粒粉体进行均匀混合，将该混合粉体进行自蔓延高温燃烧合成反应，得到石墨烯与无机颗粒的复合粉体。本发明的石墨烯和无机颗粒复合粉体的制备方法同时具备操作方法简单、成本低、环保的优点。本发明适用于石墨烯和无机颗粒复合粉体的工业化生产。该复合物可广泛用做涂料填料、油漆填料、水泥功能添加剂、树脂基复合材料增强体、陶瓷基复合材料增强体、金属基复合材料增强体、模具材料、导电浆料等领域、催化剂载体、储能材料等领域。

公开(公告)号：CN105405684B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201510968802.6

申请日：2015-12-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 亓钧雷 ,  贾赫男 ,  林景煌 ,  郭佳乐 ,  费维栋 ,  冯吉才

IPC: H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 一种等离子处理改善Al集电极的方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有Al集电极材料中由于致密氧化层存在，导致的界面电阻较高，载流子扩散较慢的问题。本发明的方法：对铝箔进行清洗处理，将清洗后的铝箔置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气和氩气并调节压强，在氢气和氩气气氛中升温，调节参数，刻蚀处理；最后通入氩气和甲烷，调节气体流量，压强和射频功率，沉积碳层，即可完成等离子处理。本发明用于等离子处理改善Al集电极的方法。

公开(公告)号：CN104269283B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410583583.5

申请日：2014-10-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 亓钧雷 ,  王旭 ,  张夫 ,  费维栋 ,  冯吉才

IPC: H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯制备方法中，温度过高可能会引起石墨烯结构性质的变化和石墨烯褶皱的形成，阻碍了电荷的传输，使电荷湮灭几率增大，且由于石墨烯的疏水性，使石墨烯与电解液之间不能很好地润湿，导致电荷传导和存储的有效面积大大降低的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节压强并升温，通入碳源气体，进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，进行射频等离子体刻蚀，射频等离子体刻蚀结束后，冷却至室温。本发明用于一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备。