-
公开(公告)号：CN100347329C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510127326.1
申请日：2005-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料及其制备方法，它涉及一种硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料及其制备方法。它解决了现有复合材料中硼酸铝晶须与基体浸润性差，硼酸铝晶须与基体结合强度不高的问题，而且能够有效阻碍界面反应的发生。ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料由ZnO、硼酸铝晶须和铝基或镁基三种原料制成。其制备方法：(一)将硼酸铝晶须加入ZnO溶胶中；(二)制ZnO涂覆的硼酸铝晶须；(三)制备ZnAl2O4包覆的硼酸铝晶须预制块；(四)挤压铸造，即得到ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料。ZnO与硼酸铝反应生成的ZnAl2O4包覆到硼酸铝晶须表面，提高了硼酸铝晶须与基体的浸润性和界面结合强度，使复合材料的力学性能显著提高。
-
公开(公告)号：CN1293214C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510009684.2
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三氧化二铋包覆陶瓷相增强铝基复合材料，它涉及一种新型的复合材料。本发明的铝基复合材料由三氧化二铋、陶瓷相增强体和铝基体三种成分组成，其中陶瓷相增强体的体积分数占总体积分数的5～50%，三氧化二铋的加入量占陶瓷相增强体质量的2～20%。包覆物三氧化二铋基本都在增强体和基体的界面处，并且三氧化二铋和基体铝发生铝热反应，生成低熔点金属铋都分布在增强体和基体的界面处。在复合材料热变形时，温度高于金属铋的熔点270℃，界面处的低熔点金属铋熔化变成液体，在增强体和基体之间起到润滑作用，降低了变形温度和加工成本，减少了陶瓷相增强体的损伤，变形后的复合材料仍有优良的力学性能。
-
公开(公告)号：CN1769511A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510010130.4
申请日：2005-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料，它属于金属基复合材料领域。针对现有复合材料存在增强相与基体的润湿性差、增强相和基体以及基体中的合金元素会发生严重的界面反应和热塑性变形能力较差的不足，本发明的含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由SnO2涂层、陶瓷增强相和铝或镁基体三种成分组成，其中陶瓷增强相的体积占总体积的15～50％，SnO2的加入量占陶瓷增强相质量的2～ 20％。该复合材料可以通过物理或化学方法实现陶瓷增强相表面的SnO2涂覆。SnO2涂覆后可以提高增强相与基体的润湿性，抑制增强相与基体的界面反应，还可以降低复合材料的热塑性变形温度，减少复合材料热加工的成本，热变形后复合材料仍有很好的力学性能。
-
公开(公告)号：CN1648270A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009684.2
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三氧化二铋包覆陶瓷相增强铝基复合材料，它涉及一种新型的复合材料。本发明的铝基复合材料由三氧化二铋、陶瓷相增强体和铝基体三种成分组成，其中陶瓷相增强体的体积分数占总体积分数的5～50％，三氧化二铋的加入量占陶瓷相增强体质量的2～20％。包覆物三氧化二铋基本都在增强体和基体的界面处，并且三氧化二铋和基体铝发生铝热反应，生成低熔点金属铋都分布在增强体和基体的界面处。在复合材料热变形时，温度高于金属铋的熔点270℃，界面处的低熔点金属铋熔化变成液体，在增强体和基体之间起到润滑作用，降低了变形温度和加工成本，减少了陶瓷相增强体的损伤，变形后的复合材料仍有优良的力学性能。
-
公开(公告)号：CN117604318A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311536178.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有取向双峰结构的原位自生石墨烯/铜复合材料及其制备方法，属于铜基复合材料技术领域。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料强度，塑性和导电性能不协调的问题。本发明以树枝状铜粉和/或球状铜粉，和有机物为主要原料，在热处理和烧结过程中，通过将铜粉表面的有机物转化为石墨烯后限制晶粒长大，保留铜粉表面细小的铜颗粒(凸起晶粒结构)，实现石墨烯对不同粒径铜粉的分隔，然后通过轧制和挤压变形等工艺获得取向双峰结构。本发明可以通过改变石墨烯含量和大小晶粒铜粉的比例调控取向双峰结构中大小晶粒的比例，获得具有高强度、高塑性和高导电性能的石墨烯/铜复合材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117416950A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311263818.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , B82Y40/00 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种超高电磁屏蔽、综合性能优异的石墨烯基宏观材料及其制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有以石墨烯粉体为原料难以制备高性能石墨烯宏观材料的技术问题。本发明的方法是将含硼物质与石墨烯按0.001：1到0.3：1的质量比混合均匀，高温烧结。本发明可广泛运用于手机、Wi‑Fi，精密电子，宇航船、卫星等航天设备、雷达和军用通讯设备的电磁屏蔽材料。
-
公开(公告)号：CN114804878B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210420330.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于燃烧合成石墨烯的高强碳基材料及制备方法，属于碳基材料领域。本发明要解决现有碳基材料制备工艺复杂、材料力学性能不佳的问题。本发明以高温自蔓延燃烧合成法制备的石墨烯或掺杂石墨烯为原料，经高温烧结制备各向同性高强碳基材料。本发明方法操作较简单，易于进行批量化生产，制备的碳基材料兼具高强、导电、导热、轻质等优势，可用作核石墨、电火花加工用工具电极以及火箭技术用结构材料、超高功率电极、高导热散热构件、高性能坩埚、高温高性能模具等。
-
公开(公告)号：CN114645149A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210281406.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/05 , B22F3/14 , B22F3/18 , C01B32/184 , C22C9/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , B22F1/102 , B22F1/17 , B22F1/142
Abstract: 本发明公开了一种具有复合界面结构的原位自生石墨烯/铜复合材料的制备方法，涉及复合材料领域。该制备方法包括以下步骤：将原料铜在空气中加热氧化，再通过甲酸浸泡，烘干，再经升温碳化处理，最后经SPS烧结得到所述具有复合界面结构的原位自生石墨烯/铜复合材料。本发明以微米级铜粉为原料，通过空气氧化、甲酸酸化的工艺流程，将甲酸铜均匀包覆于原料铜，并通过热处理及SPS烧结的流程，使得甲酸铜分解生成亚微米尺寸铜颗粒以获得双峰晶粒尺度分布的同时，在复合材料界面处均匀引入少量碳，并在铜的催化作用下生成结晶化程度较高、缺陷较少的石墨烯，最后获得一种具有复合界面结构的高强高导的石墨烯/铜复合材料。
-
公开(公告)号：CN109319765B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201710638066.7
申请日：2017-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , H01G11/32 , H01G11/86
Abstract: 生物质燃烧合成石墨烯制备方法及其应用，本发明涉及固体废弃物处理领域和化工合成技术领域。本发明采用燃烧合成的方法利用生物质制备石墨烯；所制备的石墨烯可作为超级电容器材料的应用。本发明将自然界中普遍存在利用价值低的生物质资源化利用制备成石墨烯，降低了工业合成石墨烯的生产成本，从而在催化剂、复合材料、电化学等领域有重要的潜在应用。本发的工艺简单，原料廉价，设备要求和操作非常简单，易于进行批量化生产，增加生物质材料的合理资源化利用方法。
-
公开(公告)号：CN110589809B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810601338.0
申请日：2018-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/182 , C01B32/184 , H01G11/32
Abstract: 本发明公开了一种具有高体积比电容的石墨烯的制备方法，属于储能材料的技术领域。本发明要解决现有的石墨烯材料堆积密度低、体积比电容低的技术问题。本发明方法：一、将碳源均匀分散磷酸水溶液中；二、然后在200℃‑550℃条件下热处理5min‑90min，固液分离，干燥，得到具有高体积比电容的石墨烯。本发明制备的石墨烯材料，浸润性好，堆积密度高，体积比电容大，倍率性能优异，循环稳定等优点。本发明的石墨烯堆积密度1.1‑1.7g cm‑3，体积比电容为170‑500F cm‑3。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.038 seconds)
