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公开(公告)号：CN116810619B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310997286.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于微波协助的化学机械抛光装置及利用其抛光CaF2晶片的方法，它涉及抛光装置及抛光方法。它是要解决现有的CaF2光学元件的抛光方法易对晶体表面造成褶皱、划痕、碎裂且抛光效率低的技术问题。本装置包括抛光机、抛光垫、微波发生器、抛光工具、配重块和抛光液容器；抛光垫设置在抛光机的旋转平台上表面；微波发生器设置在旋转平台的下方。抛光方法：一、将待抛光的晶片固定在抛光工具头下侧，将羊毛毡抛光垫置于旋转平台上，滴加金刚砂悬浮液打磨；二、用沥青抛光盘先抛光，再开启微波发生器继续抛光，最后滴加水溶性SiO2胶体继续抛光，得到精抛晶片；三、清洗、吹干。精抛CaF2晶片的粗糙度Ra小于2nm，可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN116810619A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310997286.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于微波协助的化学机械抛光装置及利用其抛光CaF2晶片的方法，它涉及抛光装置及抛光方法。它是要解决现有的CaF2光学元件的抛光方法易对晶体表面造成褶皱、划痕、碎裂且抛光效率低的技术问题。本装置包括抛光机、抛光垫、微波发生器、抛光工具、配重块和抛光液容器；抛光垫设置在抛光机的旋转平台上表面；微波发生器设置在旋转平台的下方。抛光方法：一、将待抛光的晶片固定在抛光工具头下侧，将羊毛毡抛光垫置于旋转平台上，滴加金刚砂悬浮液打磨；二、用沥青抛光盘先抛光，再开启微波发生器继续抛光，最后滴加水溶性SiO2胶体继续抛光，得到精抛晶片；三、清洗、吹干。精抛CaF2晶片的粗糙度Ra小于2nm，可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN116338414B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310632742.5
申请日：2023-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED巨量转移电性能测试装置及测试方法，涉及测试装置技术领域，测试装置包括工作台，工作台上安装有测试组件，还包括外加温度场装置；测试组件包括安装架、安装杆、若干连接杆和若干测试头；测试头包括安装头和探针，探针包括活动杆和容纳杆，容纳杆上设置有容纳孔，活动杆位于容纳孔内的一端设置有永磁体一，容纳孔的孔底设置有永磁体二；安装杆设置在安装架上，相邻两连接杆之间设置有热致伸缩材料。本发明能够减少Micro‑LED损坏的几率；测试组件能够根据需要调整测试头之间的间距，从而在一个测试装置上实现对多个目标基板上不同间距的Micro‑LED的电性测试。
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公开(公告)号：CN115044960B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210393947.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种旋转振荡高温炉，它涉及高温炉。它要解决现有的高温炉传热不稳定、产品易结晶出杂相的技术问题，本发明的旋转振荡高温炉包括支撑架、炉膛、坩埚托、中空套管、坩埚、支撑杆、旋转盘、插销、皮带轮、旋转电机、皮带、升降平台、振动杆、振动电机；坩埚托与其下方的中空套管固定在一起，中空套管通过插销与带有皮带轮的支撑杆连接；旋转电机通过皮带可带动支撑杆转动；振动杆底端固定在升降平台上，顶端与坩埚托底部的距离通过升降平台调整，振动电机与振动杆固定连接可将振动传递给坩埚托。该旋转振荡高温炉可避免因烧结炉炉膛传热原因而导致的晶格错位，也可避免因静态烧结导致产生杂相，提高晶体产品的均一性和质量，可用于高温合成领域。
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公开(公告)号：CN114891506A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210655579.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于能量传递调控的多模态下转换纳米晶及其制备方法和应用，它涉及多模态下转换核壳纳米晶及其制法和应用。它是要解决现有稀土掺杂下转换纳米晶激发光源要求苛刻、防伪级别低的问题。本发明的下转换纳米晶是以β‑NaGd0.60F4:X0.403+纳米晶为内核、以Ce3+和Mn2+掺杂的NaGdF4为外层的核壳结构纳米晶；X＝Eu、Tb或Sm。制法：先制备纳米晶内核，再在核外包覆NaGd0.75F4:Ce0.253+形成核壳纳米晶；再向壳层中引入Mn2+，得到纳米晶。将该纳米晶在基体上成膜，激光激发后，通过不同激活剂粒子的发射波段、发光颜色和激发关闭后随时间表现的荧光颜色变化特征来实现防伪，用于防伪领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103086B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010915048.0
申请日：2020-09-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种近红外宽带吸收的染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法，它涉及上转换基染料敏化太阳能电池光阳极材料及其制备方法。它是要解决现有的上转换基染料敏化太阳能电池对近红外太阳光的吸收带较窄的技术问题。本发明的光阳极由FTO导电玻璃基板、负载N‑719染料的二氧化钛层中间层和NaLuF4@NaErF4@NaLuF4核壳型上转换纳米晶层表层组成。制法：先制备核壳型上转换纳米晶，再通过浸渍法平铺于中间层表面而成。该电极能实现红外750‑850nm、950‑1050nm和1450‑1600nm的宽带吸收并转换成可见光，利用该电极的太阳能电池的光电转化效率为8.5％～8.8％，可用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN110042461B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910358621.X
申请日：2019-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法，本发明涉及磷化锗锌晶体的生长方法。本发明是要解决现有的采用垂直布里奇曼法生长的磷化锗锌晶体易开裂，晶体内部出现裂纹、挛晶缺陷的技术问题。本方法：一、将籽晶和ZnGeP2多晶料放入PBN坩埚中，装入石英安瓿中真空封装；二、将石英安瓿放入晶体生长炉中，升温；三、加热使ZnGeP2多晶料和籽晶部分融化；三、籽晶再生长；四、晶体生长；五、降温，得到磷化锗锌晶体。制备过程中通过调节惰性气体的流量及温度对晶体的生长速率及晶体内部热量的散失速率进行调节。该磷化锗锌晶体内部无裂纹、挛晶缺陷，晶体元件的2μm吸收系数降低至0.02cm‑1，可用于大能量激光输出器件中。
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公开(公告)号：CN109054837B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201810957335.0
申请日：2018-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种稳固的NaYF4:Yb3+/Er3+@BiOCl核壳结构纳米晶的制备方法,本发明涉及NaYF4:Yb3+/Er3+@BiOCl复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的NaYF4:Yb3+/Er3+上转换基染料敏化太阳能电池的光电转换效率低的技术问题。本方法：一、配制BiCl3溶液；二、将NaYF4:Yb3+/Er3+加入到BiCl3溶液中反应，得到BiOCl包覆的NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶；三、将BiOCl包覆的NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶烧结，得到稳固的NaYF4:Yb3+/Er3+@BiOCl核壳结构纳米晶。用该纳米晶制备的染料敏化太阳能电池的光阳极，电池效率比未处理的NaYF4:Yb3+/Er3+提高10％～14％，可用于染料敏化太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN110420652A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910749923.X
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/132
Abstract: 一种NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶及其制备方法，本发明涉及上转换@二维半导体材料及其制备方法。本发明的NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶是以Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶为内核并在核外包覆MoS2构成的。制法；将Na2MoO4·2H2O、SC(NH2)2、H2C2O4加入水中制成壳层原液；再将Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶加入到壳层原液中反应，再转入反应釜中进行水热反应，洗净，干燥，得到NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶。该核壳结构微米晶结构稳定。可用于光催化领域。
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公开(公告)号：CN119081696A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411188531.8
申请日：2024-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种稀土掺杂氟化物纳米晶体表面结构重构的方法，它涉及对纳米晶体表面结构重构的方法，它是要解决现有的消除纳米晶体表面晶格缺陷的方法会增加晶体尺寸、工艺复杂的技术问题，本发明的方法是以油酸和1‑十八烯的混合溶液为溶剂，以含钇、镥、钆、镧等惰性稀土离子的可溶性盐为溶质，配制前驱体溶液；将稀土掺杂氟化物纳米晶体放入前驱体溶液中高温处理，稀土离子填充纳米晶体的阳离子空位，消除表面晶格缺陷，在不改变纳米晶体尺寸的情况下，实现稀土离子发光的增强。可用于晶体发光领域及生物成像领域。
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