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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116810619B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310997286.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于微波协助的化学机械抛光装置及利用其抛光CaF2晶片的方法，它涉及抛光装置及抛光方法。它是要解决现有的CaF2光学元件的抛光方法易对晶体表面造成褶皱、划痕、碎裂且抛光效率低的技术问题。本装置包括抛光机、抛光垫、微波发生器、抛光工具、配重块和抛光液容器；抛光垫设置在抛光机的旋转平台上表面；微波发生器设置在旋转平台的下方。抛光方法：一、将待抛光的晶片固定在抛光工具头下侧，将羊毛毡抛光垫置于旋转平台上，滴加金刚砂悬浮液打磨；二、用沥青抛光盘先抛光，再开启微波发生器继续抛光，最后滴加水溶性SiO2胶体继续抛光，得到精抛晶片；三、清洗、吹干。精抛CaF2晶片的粗糙度Ra小于2nm，可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN116810619A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310997286.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于微波协助的化学机械抛光装置及利用其抛光CaF2晶片的方法，它涉及抛光装置及抛光方法。它是要解决现有的CaF2光学元件的抛光方法易对晶体表面造成褶皱、划痕、碎裂且抛光效率低的技术问题。本装置包括抛光机、抛光垫、微波发生器、抛光工具、配重块和抛光液容器；抛光垫设置在抛光机的旋转平台上表面；微波发生器设置在旋转平台的下方。抛光方法：一、将待抛光的晶片固定在抛光工具头下侧，将羊毛毡抛光垫置于旋转平台上，滴加金刚砂悬浮液打磨；二、用沥青抛光盘先抛光，再开启微波发生器继续抛光，最后滴加水溶性SiO2胶体继续抛光，得到精抛晶片；三、清洗、吹干。精抛CaF2晶片的粗糙度Ra小于2nm，可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN117025211B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN117025211A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN118852723A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411140263.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多孔铂八乙基卟啉复合膜的制备方法及利用其制备的便携式光学氧传感器，它涉及铂八乙基卟啉复合膜的制法及应用。它是要解决现有的氧传感器的灵敏度低、荧光指示剂易泄露的技术问题。复合膜的制法：将铂八乙基卟啉、聚苯乙烯与聚乙二醇混合得到铸膜液；浇铸成膜后在水中浸泡去除聚乙二醇，再真空干燥，得到复合膜，用它作为光学氧传感薄膜制备的便携式光学氧传感器包括光源、气体吸收池和探测器；其中光源是将多孔铂八乙基卟啉复合膜粘贴在LED芯片表面，固定在外壳上，用环氧树脂罩罩住，气体吸收池一端设置反射镜，另一端连接探测器，光源的LED芯片位于反射镜的焦点上。该传感器可便捷、快速、准确地检测氧气，可用于环境检测领域。
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