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公开(公告)号：CN108363864B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810134768.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3 5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN111856237A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735729.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：对半导体材料施加连续的脉冲同步信号；获取所述半导体材料的瞬态电容变化波形；根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料的指数深能级瞬态谱。本发明相对于率窗等抽样算法、傅里叶等统计算法，直接采用波形数据进行计算，而非估算的结果，可靠性更强，同时利用指数拟合的方法，还原瞬态电容变化波形的特征，寻找最优拟合结果，测试结果更为准确。
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公开(公告)号：CN111766498A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735277.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：根据预设时长确定触发信号曲线数据，触发信号曲线数据包括零电压数据段、过渡曲线数据段、保持幅度数据段，过渡曲线数据段构成平滑的上升沿曲线或下降沿曲线，用于实现零电压数据段和保持幅度数据段之间的平滑过渡；将触发信号曲线数据转化为模拟信号；对模拟信号进行调制形成注入电压信号，以将注入电压信号注入至被测器件。本发明采用零电压注入形式，使注入脉冲信号由零电压沿分段指数函数波形形式构成信号的上升沿和下降沿，消除波形的尖锐边沿，消除其瞬态变化高频畸变，从而保证了触发的瞬态性，又减小了系统的干扰。
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公开(公告)号：CN108303629B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810128665.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法，它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价，尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法：一、开帽得到开帽的双极型晶体管；二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管；三、辐照，并进行原位测试；四、电性能进行分析对比；判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点：能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。
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公开(公告)号：CN108345767A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810135790.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108303629A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810128665.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法，它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价，尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法：一、开帽得到开帽的双极型晶体管；二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管；三、辐照，并进行原位测试；四、电性能进行分析对比；判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点：能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。
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公开(公告)号：CN115831627B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211467957.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。
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公开(公告)号：CN117373518A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311393061.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明的一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法，涉及一种半导体器件特性优化方法。目的是为了克服现有SONOS型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题，本发明具体步骤如下：步骤一、对SONOS型FLASH存储器件进行高压擦除；步骤二、对SONOS型FLASH存储器件进行编程；步骤三、对SONOS型FLASH存储器件进行软擦除；并判断SONOS型FLASH存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和；是则完成处理；否则返回执行步骤二。
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公开(公告)号：CN115831627A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211467957.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。
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公开(公告)号：CN115238561A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210759795.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种研究SiC MOSFET电离总量和单粒子烧毁协同效应的方法，包括：对SiC MOSFET在不同偏置条件下进行电离总剂量辐照试验；记录电离总剂量辐照试验过程中所述SiC MOSFET的电性能变化数据，并分析提取所述SiC MOSFET的关键性能参数；将所述辐照SiC MOSFET进行单粒子烧毁试验，并分析单粒子烧毁试验与电离总剂量辐照之间的协同关系；通过仿真软件研究两者之间的协同作用。本发明通过比较不同条件处理后SiCMOSFET单粒子烧毁后的性能，总结SiC MOSFET的电离总剂量效应与单粒子烧毁效应的影响规律，从而研究两者之间的协同效应。
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