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公开(公告)号:CN112131772B
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN202011050763.9
申请日:2020-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明公开了一种应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法,所述方法如下:S1:建立含永磁体的磁保持继电器CAD模型;S2:测量工作磁通路径中的非导磁镀层;S3:在有限元软件中导入CAD模型,对永磁体、轭铁的尺寸进行修改,去除外表面镀层的厚度;S4:紧贴永磁体表面建立非导磁镀层体Vd,设置该体属性为空气;S5:对CAD模型除非导磁镀层体以外的其它各个部分,按照实际零件材料进行材料属性设置,进行仿真类别及参数设置;S6:选择单元类型,分网建立有限元模型、模型计算,仿真结果提取。相较于传统的仿真方法,本发明的静态特性仿真结果更为准确,与实际产品的特性一致性更高。
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公开(公告)号:CN112131772A
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN202011050763.9
申请日:2020-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明公开了一种应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法,所述方法如下:S1:建立含永磁体的磁保持继电器CAD模型;S2:测量工作磁通路径中的非导磁镀层;S3:在有限元软件中导入CAD模型,对永磁体、轭铁的尺寸进行修改,去除外表面镀层的厚度;S4:紧贴永磁体表面建立非导磁镀层体Vd,设置该体属性为空气;S5:对CAD模型除非导磁镀层体以外的其它各个部分,按照实际零件材料进行材料属性设置,进行仿真类别及参数设置;S6:选择单元类型,分网建立有限元模型、模型计算,仿真结果提取。相较于传统的仿真方法,本发明的静态特性仿真结果更为准确,与实际产品的特性一致性更高。
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