滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置

    公开(公告)号:CN1175124C

    公开(公告)日:2004-11-10

    申请号:CN02133101.4

    申请日:2002-09-30

    Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置,它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术,并使工件在10~60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1-1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1-2)组成。在固定盘(1-1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1-3),动盘(1-2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。

    滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置

    公开(公告)号:CN1414135A

    公开(公告)日:2003-04-30

    申请号:CN02133101.4

    申请日:2002-09-30

    Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置,它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术,并使工件在10~60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1-1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1-2)组成。在固定盘(1-1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1-3),动盘(1-2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。

    一种通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑的方法

    公开(公告)号:CN116377414B

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202211666152.6

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 一种通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑的方法,它涉及一种实现零件表面超光滑的方法。本发明要解决传统减材超光滑方法耗时长,且现有DLC沉积技术未实现粗糙度由纳米级降低至亚纳米级的问题。方法:将待处理的零件放入真空室中并抽真空,然后通入乙炔气体,控制真空室内气压,然后通过射频辉光放电在真空室内部产生乙炔等离子体,设置射频功率,并在待处理的零件上施加脉冲电压,在零件表面进行等离子体增强化学气相沉积得到DLC薄膜。本发明用于通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑。

    轴承外套圈批量处理的数值模拟和注入剂量均匀性的方法

    公开(公告)号:CN115130231A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210319133.X

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本发明属于轴承外套圈处理技术领域,公开了一种轴承外套圈批量处理的数值模拟和注入剂量均匀性的方法,轴承外圈批量改性处理过程的数值模拟以及外套圈内表面改性均匀性实验。本发明利用二维PIC模型对轴承外套圈内滚道PIII批量处理过程进行数值模拟,并对轴承套圈PIII批量改性处理的均匀性进行实验研究;采用高压脉冲辉光放电在圆筒内部获得连续的等离子体,等离子体通过二次电子对气体粒子的碰撞产生且随着碰撞的加剧,离子能量逐渐提高;利用SEM对内表面沉积的DLC薄膜膜层厚度进行测试,在内表面形成深度均匀的注入层,在氮气1.5Pa、注入电压20kV情况下,峰值注入深度16.9nm,改性均匀性达到87.3%。

    提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性的方法及验证方法

    公开(公告)号:CN114657527A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210305301.X

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本发明属于PIII批量处理技术领域,公开了一种提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性的方法及验证方法,提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性的方法包括:通过在对轴承内圈进行批量处理时,在端部套圈的外侧放置一与轴承滚道电位相同、并且外径与轴承套圈相近的几何体,并采用射频放电产生等离子体于氮气0.6Pa、注入电压20kV、注入电流3A,气体流量50Sccm、RF功率600W、脉冲宽度15μs、脉冲频率200Hz下进行高轴承内圈PIII批量注入处理,提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性;本发明能够保证位于中间位置的轴承套圈滚道表面均获得较好的注入剂量均匀性。

    一种绝缘材料金属等离子体浸没离子注入与沉积的方法

    公开(公告)号:CN104988468B

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201510446323.8

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 一种绝缘材料金属等离子体浸没离子注入与沉积装置及使用其进行注入与沉积的方法,它涉及一种离子注入处理装置和方法。本发明的目的是要解决现有对绝缘材料进行金属等离子体浸没离子注入时无法实现绝缘材料表面积累电荷的中和,当表面累积电荷量增加一定程度时可能产生“打火”现象,严重时会使设备损坏的问题。装置包括气体等离子体源、金属栅网、高压靶台、被处理绝缘工件、负高压脉冲源、磁导管、金属阴极弧等离子体源和真空室。方法:向真空室内通入氩气,打开气体等离子体源,将气体等离子体源的功率调节至200W~400W,设定工作参数,启动,即完成注入与沉积的方法。本发明适用于在绝缘材料表面进行大面积金属离子注入与沉积。

    一种通过控制鞘层碰撞提高零件离子注入效率的方法

    公开(公告)号:CN104342628A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410583269.7

    申请日:2014-10-27

    CPC classification number: C23C14/48

    Abstract: 一种通过控制鞘层碰撞提高零件离子注入效率的方法,它涉及一种提高零件离子注入效率的方法。本发明的目的是要解决现有使用全方位离子注入批量处理零件时存在通过降低偏压来减小鞘层厚度受到限制,限制批量处理零件的效率的问题。方法:一、超声清洗;二、将超声清洗后的零件放入到真空室中,每两个超声清洗后的零件之间的间距为5cm~15cm,每三个超声清洗后的零件中心的连线所成的图形为等腰三角形或每四个超声清洗后的零件中心的连线为平行四边形;三、零件的全方位离子注入。本发明比常规方法提高4倍~10倍。本发明可获得一种通过控制鞘层碰撞提高零件离子注入效率的方法。

    一种用于轴承内外套圈批量处理的离子注入方法

    公开(公告)号:CN104264120A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410583267.8

    申请日:2014-10-27

    Inventor: 王浪平 王小峰

    CPC classification number: C23C14/48

    Abstract: 一种用于轴承内外套圈批量处理的离子注入方法,本发明涉及离子注入批量处理轴承内外套圈的方法,它为了解决现有采用全方位离子注入法处理内外套圈效率低的问题。离子注入方法:一、清洗轴承内套圈;二、轴承内套圈置于双轴式对滚轮之间,相邻轴承内套圈彼此之间紧密接触,打开高压脉冲电源进行溅射清洗;三、向真空室中通入N2气,进行N离子注入;四、清洗轴承外套圈;五、轴承外套圈置于双轴式对滚轮之间,相邻轴承外套圈之间留有间隙,打开高压脉冲电源进行溅射清洗;六、向真空室中通入N2,进行N离子注入处理。通过本发明轴承内外套圈批量处理方法得到的轴承内外套圈剂量分布均匀,一次性处理数量多,提高了离子注入的效率。

    基于中心对称型的大面积金属等离子体形成装置及方法

    公开(公告)号:CN101358332B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200810137009.1

    申请日:2008-08-27

    Abstract: 基于中心对称型的大面积金属等离子体形成装置及方法,它涉及一种金属等离子体形成装置及金属等离子体形成方法。本发明的目的是针对磁过滤阴极真空弧的引出口径较小难于实现对大尺寸零件处理的问题。本发明的装置四至六个一体式脉冲阴极弧源轴对称分别固定在壳体的上侧壁上。方法一、钛阴极的放电电流为50~200A,流过螺线管的电流大小为1.5~2.5A。方法二、通入40~60sccm的氮气,将工作真空度调到2.0×10-1~3.0×10-1Pa,钛阴极的放电电流为50~200A。方法三、碳阴极的放电电流为50~200A,通入3~7sccm的氩气。本发明的装置可实现大型零件的处理;方法工艺流程简单、提高了生产效率。

    轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法

    公开(公告)号:CN100410418C

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200610010059.4

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法,它涉及一种轴承表面强化处理方法。针对轴承外圈滚道采用等离子体浸没离子注入与沉积处理存在强化层结合力差及均匀性差问题。本发明是这样完成的:将超声清洗后的轴承外圈(3)组成圆筒放到真空室内抽真空,通入碳氢化合物气体,先对圆筒内腔进行高能C离子注入,工作气压为2.0×10-1~6.0×10-1Pa,偏压幅值为10~30kV,脉冲宽度为20~60μs,脉冲频率为50~350Hz,再对圆筒内腔进行类金刚石碳膜薄膜沉积,工作气压为2~8Pa,偏压幅值为2~4kV,脉冲宽度为10~20μs,脉冲频率为2~8kHz。经本发明处理过的轴承外圈滚道具有较好的耐磨性,纳米硬度值为15~20GPa,磨损寿命在200g载荷下为8万转,稳定阶段的摩擦系数为0.08,可实现批量处理。

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