一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN103588474B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201310572199.0

    申请日:2013-11-15

    Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法,它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤:一、制备溶胶A;二、制备溶液B;三、制备溶胶C;四、制备溶胶D;五、滴加、搅拌;六、干燥;七:煅烧;八、研磨;九、烧结。优点:一、本发明被包覆相分布均匀,包覆效果好;二、本发明烧结温度低,杂质少,制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别;三、本发明易于操作,降低了30%~50%成本;四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相,铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。

    一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101376598B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200810137246.8

    申请日:2008-09-28

    Abstract: 一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法,它涉及一种薄膜材料的制备工艺。它解决现有技术中制备Bi4-xLaxTi3O12薄膜很难实现沿b轴择优取向,铁电性能差的问题。制备方法:将硝酸镧和次硝酸铋溶于醋酸中,加入乙二醇溶液后,与加入乙二醇溶液的钛酸四丁酯溶液混合搅拌得Bi4-xLaxTi3O12溶胶,然后将此溶胶旋涂到清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si基片上,干燥、焙烧,晶化热处理后得Bi4-xLaxTi3O12薄膜。本发明Bi4-xLaxTi3O12薄膜的制备成膜质量高、结晶温度低、呈现(020)择优取向、有利于提高铁电性能、成本低、工艺简单、适用于工业化生产。

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