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公开(公告)号：CN101346030B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810136989.3
申请日：2008-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，放电室通过连接管与过滤室连接。方法：将放电室抽真空到1×10-1Pa的压力，采用4kV的触发脉冲加到触发极上引燃阴极，放电电流为40～200A，过滤磁场强度为200高斯，在过滤室中形成多元阴极弧等离子体。本发明采用的阴极为多个纯金属阴极，加工制备简单，避免了复合多元阴极由于硬度高而制作困难的现象，通过本发明形成的多元阴极弧等离子体的组分种类和密度调整简单。
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公开(公告)号：CN101418430B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810137080.X
申请日：2008-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法，它涉及一种全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法。针对现有全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法处理零件效率低以及处理后零件的耐磨性和抗腐蚀能力差的问题。本发明的中心旋转靶台系统安装在圆筒下端盖上，所述中心旋转靶台系统上方装有工件旋转装置，所述工件旋转装置由圆盘靶台、若干个齿轮轴和若干个齿轮组成；本发明的批量复合处理方法是按照以下步骤实现的：a、真空处理；b、采用高压幅值为20～40kV的脉冲偏压实现Ti离子注入；c、TiN沉积；d、MoS2沉积；e、Ti沉积。本发明的装置提高了单次处理零件的数量；方法提高了其耐磨性和抗腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN101418430A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810137080.X
申请日：2008-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法，它涉及一种全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法。针对现有全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法处理零件效率低以及处理后零件的耐磨性和抗腐蚀能力差的问题。本发明的中心旋转靶台系统安装在圆筒下端盖上，所述中心旋转靶台系统上方装有工件旋转装置，所述工件旋转装置由圆盘靶台、若干个齿轮轴和若干个齿轮组成；本发明的批量复合处理方法是按照以下步骤实现的：a.真空处理；b.采用高压幅值为20～40kV的脉冲偏压实现Ti离子注入；c.TiN沉积；d.MoS2沉积；e.Ti沉积。本发明的装置提高了单次处理零件的数量；方法提高了其耐磨性和抗腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN101346030A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810136989.3
申请日：2008-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，放电室通过连接管与过滤室连接。方法：将放电室抽真空到1×10－1Pa的压力，采用4kV的触发脉冲加到触发极上引燃阴极，放电电流为40～200A，过滤磁场强度为200高斯，在过滤室中形成多元阴极弧等离子体。本发明采用的阴极为多个纯金属阴极，加工制备简单，避免了复合多元阴极由于硬度高而制作困难的现象，通过本发明形成的多元阴极弧等离子体的组分种类和密度调整简单。
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公开(公告)号：CN1858296A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610010136.6
申请日：2006-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铝或铝合金基体表面离子注入与沉积复合强化处理方法，它涉及一种金属材料表面离子注入与沉积复合强化处理方法。它解决了类金刚石碳膜与铝或铝合金基体间残余应力大、结合力和承载能力差，DLC在高速重载条件下耐磨损性能低，易从铝或铝合金基体上剥落的问题。合成方法按以下步骤进行：(一)铝或铝合金超声清洗；(二)铝或铝合金氩离子溅射清洗；(三)钛离子注入；(四)PIIID法沉积Ti；(五)PIIID法沉积TiN；(六)PIIID法沉积Ti(CN)；(七)PIIID法沉积TiC；(八)合成类金刚石碳膜，即得到表面有多层梯度膜的铝或铝合金；步骤(二)至(八)在真空室内进行。本发明中多层梯度膜上的DLC的磨损寿命比相同厚度的单层DLC提高10倍以上，摩擦系数低于0.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1851041A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610010059.4
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法，它涉及一种轴承表面强化处理方法。针对轴承外圈滚道采用等离子体浸没离子注入与沉积处理存在强化层结合力差及均匀性差问题。本发明是这样完成的：将超声清洗后的轴承外圈(3)组成圆筒放到真空室内抽真空，通入碳氢化合物气体，先对圆筒内腔进行高能C离子注入，工作气压为2.0×10－1～6.0×10－1Pa，偏压幅值为10～30kV，脉冲宽度为20～60μs，脉冲频率为50～350Hz，再对圆筒内腔进行类金刚石碳膜薄膜沉积，工作气压为2～8Pa，偏压幅值为2～4kV，脉冲宽度为10～20μs，脉冲频率为2～8kHz。经本发明处理过的轴承外圈滚道具有较好的耐磨性，纳米硬度值为15～20GPa，磨损寿命在200g载荷下为8万转，稳定阶段的摩擦系数为0.08，可实现批量处理。
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公开(公告)号：CN115130231A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210319133.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于轴承外套圈处理技术领域，公开了一种轴承外套圈批量处理的数值模拟和注入剂量均匀性的方法，轴承外圈批量改性处理过程的数值模拟以及外套圈内表面改性均匀性实验。本发明利用二维PIC模型对轴承外套圈内滚道PIII批量处理过程进行数值模拟，并对轴承套圈PIII批量改性处理的均匀性进行实验研究；采用高压脉冲辉光放电在圆筒内部获得连续的等离子体，等离子体通过二次电子对气体粒子的碰撞产生且随着碰撞的加剧，离子能量逐渐提高；利用SEM对内表面沉积的DLC薄膜膜层厚度进行测试，在内表面形成深度均匀的注入层，在氮气1.5Pa、注入电压20kV情况下，峰值注入深度16.9nm，改性均匀性达到87.3％。
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公开(公告)号：CN114657527A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210305301.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于PIII批量处理技术领域，公开了一种提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性的方法及验证方法，提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性的方法包括：通过在对轴承内圈进行批量处理时，在端部套圈的外侧放置一与轴承滚道电位相同、并且外径与轴承套圈相近的几何体，并采用射频放电产生等离子体于氮气0.6Pa、注入电压20kV、注入电流3A，气体流量50Sccm、RF功率600W、脉冲宽度15μs、脉冲频率200Hz下进行高轴承内圈PIII批量注入处理，提高轴承内圈外滚道表面注入均匀性；本发明能够保证位于中间位置的轴承套圈滚道表面均获得较好的注入剂量均匀性。
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公开(公告)号：CN104342628A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410583269.7
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48
Abstract: 一种通过控制鞘层碰撞提高零件离子注入效率的方法，它涉及一种提高零件离子注入效率的方法。本发明的目的是要解决现有使用全方位离子注入批量处理零件时存在通过降低偏压来减小鞘层厚度受到限制，限制批量处理零件的效率的问题。方法：一、超声清洗；二、将超声清洗后的零件放入到真空室中，每两个超声清洗后的零件之间的间距为5cm～15cm，每三个超声清洗后的零件中心的连线所成的图形为等腰三角形或每四个超声清洗后的零件中心的连线为平行四边形；三、零件的全方位离子注入。本发明比常规方法提高4倍～10倍。本发明可获得一种通过控制鞘层碰撞提高零件离子注入效率的方法。
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公开(公告)号：CN104264120A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410583267.8
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48
Abstract: 一种用于轴承内外套圈批量处理的离子注入方法，本发明涉及离子注入批量处理轴承内外套圈的方法，它为了解决现有采用全方位离子注入法处理内外套圈效率低的问题。离子注入方法：一、清洗轴承内套圈；二、轴承内套圈置于双轴式对滚轮之间，相邻轴承内套圈彼此之间紧密接触，打开高压脉冲电源进行溅射清洗；三、向真空室中通入N2气，进行N离子注入；四、清洗轴承外套圈；五、轴承外套圈置于双轴式对滚轮之间，相邻轴承外套圈之间留有间隙，打开高压脉冲电源进行溅射清洗；六、向真空室中通入N2，进行N离子注入处理。通过本发明轴承内外套圈批量处理方法得到的轴承内外套圈剂量分布均匀，一次性处理数量多，提高了离子注入的效率。
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