公开(公告)号：CN101708828A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910310297.0

申请日：2009-11-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  钟博 ,  黄小萧 ,  张晓东 ,  白宏伟 ,  张涛 ,  于洪明

IPC: C01B21/064 ,  B82B3/00

Abstract: 氮化硼纳米管的提纯方法，它涉及一种纳米管的提纯方法。本发明解决了套娃状氮化硼纳米管中金属催化剂粒子通常被包覆在氮化硼管的内部，不容易被除去的问题。本发明方法如下：将氮化硼纳米管超声处理、过滤，然后将滤渣氧化0.5小时～6小时，得到氧化物，再将氧化物在去离子水中水洗0.5小时～10小时，然后酸洗1小时～50小时，最后再用去离子水洗3次、醇洗1次，然后过滤、烘干，即得纯净的氮化硼纳米管。经过本发明方法提纯后的氮化硼纳米管的质量百分含量可达到95％以上。

公开(公告)号：CN101555162A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910072023.2

申请日：2009-05-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  黄小萧 ,  耿欣 ,  钟博

IPC: C04B41/80 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: Al4SiC4陶瓷的热处理方法，它涉及一种增强陶瓷力学性能的方法，具体涉及一种热处理陶瓷的方法。本发明解决了现有Al4SiC4陶瓷室温下其弯曲强度小的问题。本发明方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度的涨幅为25.7％～80％。

公开(公告)号：CN100503513C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710016886.9

申请日：2007-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 温广武 ,  李敏 ,  宋亮 ,  王鑫宇 ,  文磊 ,  郑佩琦

IPC: C04B35/596 ,  C04B35/563 ,  C04B35/52

Abstract: 本发明涉及一种SiC-BN-C复合材料及其制备方法，其以Si3N4、B4C和C为原料，各成分的重量百分含量分别为6.4%～63.8%、2.5%～24.9%和11.9%～91.1%。制备方法为：按上述重量百分含量取Si3N4粉、B4C粉和C粉进行球磨湿混；立即将混好的物料烘干；将烘干的物料破碎后装入石墨模具中并预压；放入热压炉中，在真空或保护气氛中热压烧结，热压烧结温度为1700℃～2200℃，加压15～30MPa，保温保压30min～2h。或以含有挥发份的无定形碳为碳源，将混合烘干的物料破碎装入钢模具中并施加50～300MPa压力保压10min～2h；然后放入热压炉或气氛烧结炉中，在真空或保护气氛中烧结，温度升高到800℃～1400℃保温30min～2h，烧结温度为1800℃～2200℃，保温30min～2h。本发明材料性能优越，制备工艺简单，生产成本低。

公开(公告)号：CN100439288C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610146280.2

申请日：2006-12-14

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 温广武 ,  覃春林

IPC: C04B35/599 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种Sialon准一维纳米材料，它的原料由以下组分按照重量百分比组成：含氢硅油37%～55%、乙二胺43%～60%，Al粉2%～10%；其制备方法包括以下步骤：a.按照重量百分比取含氢硅油、乙二胺、Al粉，混合，在反应釜中进行反应，反应温度控制在0～100℃的条件下不断搅拌8～12小时，反应形成Si-Al-O-N-C聚合物；b.将上一步骤所得产物置于石墨坩埚中，石墨坩埚放入气氛压力烧结炉中，通入氮气，炉内氮气压力控制在0.5～1.5MPa，控制温度在1200～1500℃的条件下保温2～3小时，在石墨坩埚中结晶形成Sialon准一维纳米材料。其介电性能优异，机械强度高，耐高温性能和导热性好，制备工艺简单、制作成本低，产率高，结晶均匀性好。

公开(公告)号：CN101224876A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810063927.4

申请日：2008-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  温广武 ,  黄小萧 ,  钟博 ,  白宏伟 ,  邢双颖

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/584

Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。

公开(公告)号：CN101104518A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710072702.0

申请日：2007-08-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  张晓东 ,  全保刚 ,  黄小萧 ,  白宏伟 ,  范叶明

IPC: C01B35/08 ,  C01B21/082 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/14

Abstract: 一种纳米SiBON陶瓷粉体的制备方法，它涉及纳米陶瓷粉体的制备方法。它解决了现有SiBON陶瓷粉体制备存在的合成周期较长、工艺繁杂等问题。本发明的方法为：一、将硼酸乙酯、乙醇和苯按照配制混合液，放入三口瓶中；二、向混合液中添加四氯化硅液体；三、维持磁力搅拌，向三口瓶中通氮气流，采用油浴加热方式控制反应温度；四、提高反应温度；五、将凝胶粉末放入管式炉内进行热处理，然后随炉冷却至室温取出经热处理的凝胶粉末；六、将经热处理后的凝胶粉末放入气氛烧结炉内，充入高纯氮气，冷却至室温，即制得SiBON纳米陶瓷粉体。本发明选用的原料容易获取，工艺周期短、操作简便，产物颗粒度在20～50纳米，产物为具有分散性好和非晶态的SiBON纳米陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN1962433A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610151102.9

申请日：2006-12-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  张晓东

IPC: C01B31/36 ,  B82B3/00

Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，它涉及一种带有伴生结构的纳米线及其制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6～24％的碳、53～68％的硅和11～40％的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中，抽真空；(五)向管式加热炉中通入氩气；(六)进行气氛烧结；(七)冷却到室温，即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。

公开(公告)号：CN1293014C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200510010085.2

申请日：2005-06-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  白宏伟 ,  韩兆祥

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C03B32/02

Abstract: 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50%，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。

公开(公告)号：CN1292986C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200510010086.7

申请日：2005-06-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  韩兆祥

IPC: C01B31/36 ,  B82B3/00

Abstract: 一种碳化硅纳米纤维的制备方法，它涉及一种陶瓷纤维的制备工艺。为了解决现有方法反应时间长、获得的SiC纳米纤维纯度低的缺点，本发明按照如下步骤制备SiC纳米纤维：将SiBONC粉末置于气氛保护烧结炉中，在氮气或惰性气体保护下对材料进行热处理，得到SiC纳米纤维，其中热处理温度为1200℃～1900℃，保温时间为0.5～4个小时。本发明制备出的SiC纳米纤维的主要晶相为结晶程度较高的β-SiC，由于在生长过程中没有使用催化剂，纤维的杂质含量极低，纤维的直径在20～200nm之间，长度在几个毫米之间，表面光滑，长径比大于100。

公开(公告)号：CN1240640C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200410013684.5

申请日：2004-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  王静 ,  宋亮

IPC: C04B35/583 ,  C04B41/84 ,  C04B35/622 ,  C04B35/5835

Abstract: 先驱体浸渍裂解制备BN/SiO2复合陶瓷的方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。现有的热压烧结方法存在组织呈现定向排列、性能表现为各向异性等缺点。本发明方法包括：a.以B和BN粉末为原料加工成型；b.在一个氮气大气压的气氛中烧结，烧结温度为1500～1600℃，保温时间4～5小时，得到多孔氮化硼陶瓷；c.浸渍聚碳硅烷溶液，在抽真空的条件下室温浸渍32～40小时；d.800℃氧化裂解；e.再在1300℃、一个大气压的氮气保护条件下烧结2小时，即得BN/SiO2复合材料。用本发明的方法制备的BN/SiO2复合材料组织均匀弥散分布无定向排列，综合性能良好；由于是反应烧结整个过程没有施压，提高了成品率，烧结温度比热压烧结降低300～500℃，降低了成本。