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公开(公告)号：CN101792308B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010109339.7
申请日：2010-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/628
Abstract: 一种壳-芯结构CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法。本发明解决现有CaCu3Ti4O12陶瓷材料在介电损耗降低同时，不能保持高介电常数的问题。本发明陶瓷材料由晶粒和晶界构成，其中晶粒由CCTO组成，晶界由Ga1-xLaxCu3Ti4O12组成，其中x＝0.1～0.5。本发明制备方法：一、制备CCTO溶胶；二、制备La掺杂CCTO溶胶；三、制备CCTO粉末晶体；四、制备壳-芯结构CCTO半成品；五、制备壳-芯结构CCTO陶瓷材料。本发明陶瓷材料的介电常数达到9×103，介电损耗达到0.3。制备方法简单。可用于高频电容器介电元器件。
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公开(公告)号：CN101792308A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010109339.7
申请日：2010-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/628
Abstract: 一种壳-芯结构CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法。本发明解决现有CaCu3Ti4O12陶瓷材料在介电损耗降低同时，不能保持高介电常数的问题。本发明陶瓷材料由晶粒和晶界构成，其中晶粒由CCTO组成，晶界由Ga1-xLaxCu3Ti4O12组成，其中x＝0.1～0.5。本发明制备方法：一、制备CCTO溶胶；二、制备La掺杂CCTO溶胶；三、制备CCTO粉末晶体；四、制备壳-芯结构CCTO半成品；五、制备壳-芯结构CCTO陶瓷材料。本发明陶瓷材料的介电常数达到9×103，介电损耗达到0.3。制备方法简单。可用于高频电容器介电元器件。
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公开(公告)号：CN101607248A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910072484.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/24 , B05D1/36 , B05D3/02 , C04B35/462 , C04B35/472 , B32B9/00
Abstract: 一种高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜的制备方法，它涉及一种钛酸铅基铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的钛酸铅基薄膜在晶化过程中易与电极发生互扩散，在界面处产生缺陷，从而导致铁电性能下降的问题。制备方法：一、在基底上沉积钛酸铅镧钙系铁电薄膜；二、在钛酸铅镧钙系铁电薄膜上沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行热处理，即得高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜。本发明制备过程中基底中间界面层生成了非连续的岛状结构，这种非连续结构的生成增加了钛酸铅基铁电薄膜的形核质点，使铁电薄膜的极化反转更加容易，极大地提高了铁电性能。本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN116818168A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310859589.X
申请日：2023-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L5/00 , G01N23/2055
Abstract: 一种基于X射线衍射技术的非晶残余应力测量方法，本发明是为了解决现有X射线衍射应力测量方法只能针对晶体材料的问题。非晶残余应力测量方法：一、根据弹性力学原理推导出非晶体材料残余应力的表达式；二、采用应变仪测量多个非晶体材料标样的应力大小，采用X射线衍射仪测得非晶体材料标样的半高峰宽，线性拟合sin2ψ‑半高峰宽后得到直线斜率，计算应力测量系数k；三、在测定方向平面内测出待测非晶体材料在多个不同ψ方位的非晶衍射峰半高峰宽；四、绘制待测非晶体材料的散点图，计算直线斜率；五、代入公式。本发明通过对非晶材料进行测量和标定，得到了非晶残余应力X射线衍射方法的普适公式，通过直线斜率的大小获得应力值的大小。
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公开(公告)号：CN115312610B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210963862.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜及其制备方法，涉及电源设备技术领域。所述带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜材料的化学通式为：Zn0.92‑xCux(Fe0.04Li0.04)O；其中x＝0～0.07。本发明提供一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜(ZCFLO薄膜材料)，薄膜的光伏性能得到大幅度提高。最佳掺杂含量的薄膜经过电场极化后的填充因子为83.4％，光电转换效率为14.4％，禁带宽度降低至1.93eV，具有优异的光伏性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571959B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910905831.6
申请日：2019-09-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高速大功率永磁同步电机转子，属于电机技术领域。解决了现有高速大功率永磁同步电机存在的转子护套套装困难、以及预应力无法根据需要进行调节的问题。主要包括转轴、主永磁体、辅助永磁体、定位键、预紧楔形片、预紧螺母和护套；利用预紧螺母对锥形或楔形器件进行轴向挤压，从而根据转子直径和转速大小径向灵活调整作用于永磁体上的预应力。本发明主要应用于电机领域。
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公开(公告)号：CN111664978A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010470968.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种曲面异形件的残余应力表征方法，本发明涉及曲面异形件的残余应力表征方法。本发明的目的是为了解决现有方法对残余应力的测定准确率低的问题。过程为：一、计算该窗口宽度引起的衍射峰的宽化；二、对于球形样品，将球形样品半球进行遮挡，从出射窗口发射的X射线，只有一半的光线照射到球形样品上，不考虑球面曲率的影响，则将直接导致峰位向高角偏移Δθ/4；三、对于平面样品，计算衍射峰位向低角偏移的角度与偏移距离的关系；四、计算出出射窗口沿衍射圆周弧长方向的宽度L照射在球面上的弧长；五、确定各个入射角下球面曲率引起的最终峰位偏移；六、得到球形样品的残余应力。本发明用于材料的残余应力表征领域。
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公开(公告)号：CN111620690A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010519389.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 一种利用构建离子对获得大应变小滞后性的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法，它涉及无铅压电陶瓷领域。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明陶瓷制备：a)利用固相球磨法制备施主(Nb2O5)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.75Sr0.25Ti(1-x)O3-0.5xNb2O5陶瓷粉体；b)在850～950℃温度下预烧粉体；c)将粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密陶瓷。本发明通过在准同型相区的0.75BNT-0.25ST陶瓷进行施主掺杂，在陶瓷晶格内形成Ti3+-Nb5+离子对，利用离子对形成偶极矩使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷，本发明应用于无铅铁电陶瓷领域。
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公开(公告)号：CN105048880A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510560715.7
申请日：2015-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02N15/00
Abstract: 高速磁悬浮交流电机，属于电机领域。为了解决现有无轴承电机控制复杂和体积大的问题。所述电机包括机壳、驱动单元和两个转子径向悬浮及轴向支撑单元；驱动单元和两个转子径向悬浮及轴向支撑单元设置在机壳内、且同轴设置，两个转子径向悬浮及轴向支撑单元分别设置在驱动单元的轴向两侧；所述驱动单元包括驱动定子和驱动转子；所述转子径向悬浮及轴向支撑单元包括悬浮支撑定子和悬浮支撑转子。本发明将现有同类电机中在一起的转矩与磁悬浮力控制绕组进行分离，完全避免了二者在工作时彼此之间干扰。将径向悬浮控制与轴向支撑控制共用一套绕组来实现，减小了电机体积和重量。由于径向悬浮与轴向支撑绕组自行闭合，不需要专门的悬浮与轴向控制装置。
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公开(公告)号：CN102627452A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210141983.1
申请日：2012-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 织构化BiFeO3陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷的制备方法。本发明解决了现有方法制备的BiFeO3陶瓷致密性差的问题。本方法如下：一、制备Fe(NO3)3溶胶；二、制备BiFeO3溶胶；三、制备纳米粉末；四、制备陶瓷片；五、将陶瓷片在800℃～850℃保温2h～6h，即得织构化BiFeO3陶瓷。本方法有效解决了传统固相合成球磨法会打碎Bi2O3纳米棒，无法形成织构的弊端，本发明利用Bi2O3纳米棒的取向性，采用溶胶凝胶燃烧法制备织构化BiFeO3陶瓷，利用陶瓷晶粒的定向排列，在较低的陶瓷烧结温度下，获得致密化的BiFeO3陶瓷。
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