一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法

    公开(公告)号:CN105624663B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201511018973.9

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法,它涉及一种制备热控膜层的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的黑化热控膜层存在反应条件苛刻,难以精确控制,制备的膜层易脱落、与基体的结合力差的问题。方法:一、紫铜的预处理;二、溶液沉积法制备热控涂层;三、制备SnO2溶胶;四、制备TiO2溶胶;五、涂层凝胶旋转涂覆;六,升温,得到高吸收率高发射率的黑化热控膜层。本发明制备的高吸收率高发射率的黑化热控膜层的太阳吸收率α大于0.97,发射率ε大于0.92。本发明可获得一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法。

    一种利用气相扩渗法在Ni-Ti-O纳米管上负载碳的方法

    公开(公告)号:CN107557841A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710784468.8

    申请日:2017-09-01

    Abstract: 一种利用气相扩渗法在Ni-Ti-O纳米管上负载碳的方法,它涉及一种负载碳的方法。本发明的目的是要解决现有Ni-Ti-O纳米管导电性差,碳掺杂不均匀,浓度不易控制的问题。方法:一、对NiTi合金进行打磨处理,得到表面光亮的NiTi合金;二、清洗,得到处理后的NiTi合金;三、电解反应,得到反应后的NiTi合金;四、清洗、干燥,得到Ni-Ti-O纳米管;五、气相扩渗,得到Ni-Ti-O/C复合材料。本发明制备的Ni-Ti-O/C复合材料中Ni-Ti-O纳米管的直径为10nm~43nm,面积比电容为36F/m2~49F/m2。本发明适用于制备Ni-Ti-O/C复合材料。

    一种铁@四氧化三铁多形貌复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105562679B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201511019737.9

    申请日:2015-12-29

    Abstract: 一种铁@四氧化三铁多形貌复合材料的制备方法,它属于核‑壳结构复合材料的制备方法,特别涉及一种铁@四氧化三铁多形貌复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的催化剂成本高,制备复杂,降解水体中污染物的效率低的问题。方法:一、制备枝状α‑Fe吸波材料悬浮液;二、水热反应,得到铁@四氧化三铁多形貌复合材料。本发明为了扩展类Fenton氧化法的pH范围,避免Fe离子溶出而产生铁泥等问题,制备出各种结构的铁@四氧化三铁多形貌复合材料。本发明制备的铁@四氧化三铁多形貌复合材料的比表面积为33m2·g‑1~87m2·g‑1。本发明可获得一种铁@四氧化三铁多形貌复合材料的制备方法。

    一种镁合金表面富铁涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN108624875B

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201810591729.9

    申请日:2018-06-08

    Abstract: 一种镁合金表面富铁涂层的制备方法,它涉及一种在镁合金表面制备涂层的方法。本发明的目的是要解决现有镁合金的耐腐蚀性能差的问题。方法:一、制备打磨后的镁合金;二、制备表面沉积铁后的镁合金;三、溶剂热处理,得到表面含有富铁涂层的镁合金。本发明制备的表面含有富铁涂层的镁合金的腐蚀电位为‑0.8V~‑0.5V、腐蚀电流密度为1×10‑6A/cm2~1×10‑8A/cm2,极化电阻1000Ω·cm2~40000Ω·cm2。本发明适用于镁合金表面富铁涂层的制备。

Patent Agency Ranking