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公开(公告)号：CN110512280A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910859647.2
申请日：2019-09-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种导模法生长封口蓝宝石管的装置及方法，包括熔炉、籽晶(1)、坩埚(5)，以及装在坩埚(5)内的氧化铝熔体原料(6)和模具，其特征在于，所述的模具为组合式的带环形供料缝的钼质模具，包括外筒(2)和内芯(3)，外筒(2)和内芯(3)之间为环形供料缝。方法包括：热场安装、投料、抽真空、充保护气、升温化料、升坩埚供料、引晶、提拉生长、同时保持坩埚上升、生长结束降坩埚停止供料并提拉晶体脱离模具、降温退火等过程，与现有技术相比，本发明能够有效控制整个晶体管上下及壁厚的均匀性，坩埚升高高度控制可通过长晶长度所需原料重量体积和模具高度位置等计算得到，生长过程可见可控，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN110468451A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910859640.0
申请日：2019-09-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种用于导模法生长末端封口蓝宝石管的模具及方法，包括熔炉、籽晶、坩埚，以及装在坩埚内的原料和模具，所述的模具为钼质双层套管双供料通道的模具，包括外筒(1)、内筒(2)和内芯(3)，外筒(1)和内筒(2)之间为外侧供料缝，内筒(2)和内芯(3)之间为内侧供料缝，外筒(1)与内筒(2)固定连接；内芯(3)可在内筒(2)内上下移动。方法包括：热场安装、投料、抽真空、充保护气、升温化料、升坩埚供料、引晶、提拉生长、升坩埚顶起模具内芯实现模具中心台平面铺料、提拉封底、降坩埚停止供料并提拉晶体脱离模具、降温退火等过程。与现有技术相比，本发明坩埚升高高度控制可通过长晶长度和模具高度位置等计算得到，生长过程可见可控，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN108418085A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810072452.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种全晶体光纤及包层制作工艺，包括以下步骤：(1)用微下拉或导模法，或是激光加热基座法得到直径0.1-3mm的晶体光纤；(2)采用微孔晶体生长方法得到长度大于等于光纤长度的微孔晶体，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的晶体套管，套管的芯径略大于光纤的直径；(3)将步骤1得到的晶体光纤插入步骤2得到的微孔晶体或晶体套管中，在微下拉炉或激光加热炉内熔化部分晶体光纤，将晶体光纤作为原料和籽晶，晶体套管为坩埚，熔化的部分晶体光纤在未熔化的晶体光纤表面结晶，完成整个长晶过程。与现有技术相比，本发明能够获得晶体芯和晶体包层的无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有可能获得高功率的晶体光纤激光器。
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公开(公告)号：CN108130591A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711287883.9
申请日：2017-12-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为(DyxLu1-x)2O3，其中x的取值范围为0.00001～0.3，其晶胞参数为1.0411nm，密度为9.42g/cm3。采用光学浮区法生长掺镝氧化镥激光晶体，生长气氛为高纯氩。与现有技术相比，本发明掺镝氧化镥激光晶体可采用InGaN激光二极管泵浦，并且具有较大的黄光荧光分支比，有望实现可见波段的高效黄光输出。该发明可广泛应用于医疗、通讯、显微镜、生物医学等。
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公开(公告)号：CN105603528A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610123698.5
申请日：2016-03-04
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法，所述的氧化镓晶体包括氧化镓和掺入在氧化镓中的Ge4+，其掺杂浓度优选为0.1～10mol％；上述的氧化镓晶体由导模法制备而成。与现有技术相比，本发明掺锗氧化镓晶体具有较好的热释光性能，Ge4+掺杂浓度可控；通过采用Ar和CO2混合气氛并结合分不同阶段充入Ar气和CO2气体，有效抑制了生长过程中氧化镓晶体的分解挥发，晶体生长周期短，成本低等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119710926A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411608118.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种铈离子掺杂高熵氟化物闪烁晶体及其制备方法和应用。所述制备方法为：以LaF3、GdF3、CaF2、SrF2、BaF2和CeF3的单晶颗粒或粉末作为原料，并掺杂Ce离子，研磨均匀后获得基质材料，抽真空，再进行高温烧结，确保基质材料完全化料和排杂，再慢降温，进行晶体生长，降至室温，获得铈离子掺杂的高熵氟化物闪烁晶体。所述高熵氟化物闪烁晶体的化学式为Ce:M1M2CaSrBaF12，其中M1、M2为Y、Lu、Gd、La、Lu、Sc、Ce中任意两种。与现有技术相比，本发明制备的LaGdCaSrBaF12高熵晶体具有较低的声子能量和较小5d能级劈裂，可大大降低Ce3+离子5d能级的无辐射跃迁几率降低。此外无序分布的混合型晶体，还在原子、分子和基团尺度上调控Ce3+离子的局域配位结构，使其达到真正的无序。
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公开(公告)号：CN118600525A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410797969.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种生长倍半氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。该热场结构包括：内部形成有空腔的保温部；设置在所述保温部内并利用感应发热的发热部，所述发热部不与所述保温部空腔底部接触；安装在所述发热部内部并容纳晶体的容纳部，所述容纳部不与所述保温部空腔底部接触；以及围绕部分所述保温部设置的负载部。与现有技术相比，本发明既避免了氧化锆热场高温下使得发热体和坩埚材质熔化，又保证了生长的晶体透明，晶体内无挥发、气泡等散射缺陷。
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公开(公告)号：CN117735593A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311536198.0
申请日：2023-11-17
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种铝镁酸钪纳米粉体及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：分别配制钪盐溶液、铝盐溶液、镁盐溶液并按化学式ScAlMgO4配比均匀混合；S2：利用铵盐溶液或氨水调节S1中均匀混合后的溶液pH值为9‑12，接着进行水热反应；S3：水热反应结束后，将水热反应产物过滤、清洗、烘干、研磨，得到铝镁酸钪纳米粉体。与现有技术相比，本发明可大规模生产纯相ScAlMgO4纳米粉体原料，整个制备过程无需通过马弗炉进行高温烧结，既节省能源，降低成本，也避免了高温烧结导致的MgO挥发导致合成的ScAlMgO4原料组分发生变化。
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公开(公告)号：CN115142130B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210772983.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 同济大学
IPC: C30B29/16 , C30B29/64 , C30B15/08 , C30B15/10 , C30B15/02 , C30B13/20 , C30B13/14 , C30B13/08 , C30B27/02
Abstract: 本发明涉及一种微下拉区熔法生长片状氧化镓晶体的方法与生长装置，该方法包括：在加热炉内安装感应热场、感应坩埚、竖直悬挂氧化镓原料棒且其末端置于坩埚底部，将片状氧化镓单晶籽晶固定于籽晶杆顶端；炉内抽真空后充入流动生长气氛，加热升温至原料棒下端在坩埚内区熔，熔体从坩埚嘴处流出，待籽晶与熔体形成稳定熔区后下拉籽晶杆进行等径生长，同时下降原料棒；晶体生长结束将晶体和原料棒拉脱，降至室温。与现有技术相比，本发明在氧化镓晶体生长过程中，仅原料棒下端在坩埚内局部区域熔化，通过缓慢下降原料棒持续向坩埚内补充原
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公开(公告)号：CN113445125B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110796683.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法，装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设置，由独立加热的上温区和下温区组成。本装置采用上、下双温区独立加热，上温区为高温区具有较小的轴向温度梯度，能够有效控制由于熔体温度过高而导致氧化镓原料分解挥发的加剧；下温区为低温区，能够对晶体进行原位退火减少晶体内部应力，上、下温区加热功率相互匹配调节能够更灵活地调控热场的轴向、径向温度梯度。与现有技术相比，本发明能够有效抑制高温晶体生长过程中氧化镓原料的分解挥发，提高晶体的结晶完整性，延长坩埚使用寿命。
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