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公开(公告)号:CN103091932A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201310016000.6
申请日:2013-01-16
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/35 , H04B10/2537
Abstract: 本发明属于微波光子学技术领域,具体涉及一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应和多泵浦信号的超宽调谐范围的单带通可调谐微波光子滤波器。由激光器、相位调制器、隔离器、N个泵浦源、耦合器、高非线性光纤、环行器、探测器和网络分析仪组成;利用高非线性光纤的受激布里渊散射效应和相位调制器输出信号的相位相反强度相等的特点,通过高非线性光纤的受激布里渊散射效应对相位调制器输出的一阶上边带进行增强或减弱,打破相位调制器输出信号一阶上下边带的强度平衡,从而实现需要频率的信号被滤波输出。通过合理增加泵浦信号的数量,利用高频泵浦信号引起的受激布里渊增益抵消低频泵浦信号引起的受激布里渊损耗,增加滤波器的调谐范围。
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公开(公告)号:CN101915998B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201010234943.2
申请日:2010-07-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域,具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作,为一体脊型结构,沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5;在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204,在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0~30dB范围内,实现对光信号的连续可变衰减。
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公开(公告)号:CN101881785B
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN201010205116.0
申请日:2010-06-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G01P15/125 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明属于微机电系统领域,涉及一种四折叠梁变面积差分电容结构微加速度传感器及其制备方法。由可动质量块、成对的弹簧折叠梁、插指状下电极和微加速度传感器外框组成;在外部载荷的作用方向上,可动质量块的前端和后端通过弹簧折叠梁连接在加速度传感器外框上,可动质量块、弹簧折叠梁、加速度传感器外框为一体结构;在可动质量块的下表面制作有上电极,上电极与插指状下电极间具有一定的空隙,从而组成平板差分电容,上电极通过加速度传感器外框与插指状下电极键合在一起。本发明所述的传感器结构,明显地解决了变间隙结构存在的非线性问题,利于后续检测电路的制作,同时使振动模态更好的分离,提高了器件的抗干扰能力并增加传感器的灵敏度。
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公开(公告)号:CN102163639A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110070874.0
申请日:2011-03-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄石英为衬底,以纳米TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜为基体,以Au、Pt或Ni为金属插指电极,以Al或Ag为光反射层的低表面态密度的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备不同配比的TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜,并在超薄石英衬底上生长成致密的纳米薄膜;再经过高强度紫外清洗机对薄膜进行处理;然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的叉指电极;最后在超薄石英片背面蒸镀一层反射层用以提高光的吸收效率。通过调整TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜的不同配比,可以使本发明探测器的响应峰值在200nm到350nm紫外波段范围内可调。
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公开(公告)号:CN114551727B
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202210157792.8
申请日:2022-02-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于邻二氯苯和2‑巯基吡啶双掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。太阳能电池采用ITO/SnO2/Perovskite/Spiro‑OMeTAD/Ag的n‑i‑p正型结构,其中Perovskite为邻二氯苯和2‑巯基吡啶双掺杂的钙钛矿层。本发明邻二氯苯和2‑巯基吡啶的引入有效钝化了钙钛矿层未配位的Pb2+缺陷,减少了光生载流子的非辐射复合损失;同时增大了晶粒尺寸,减少了晶界,改善了钙钛矿层的结晶性。基于本发明方法制备的钙钛矿太阳能电池具有19.67%的光电转换效率,未封装的电池在室温、30%湿度条件下600h后仍保持原始效率的85%以上,显示出良好的稳定性。
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公开(公告)号:CN118139493A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410246333.6
申请日:2024-03-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于氯仿/异丙醇加工烷基铵盐钝化层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。太阳能电池采用ITO/SnO2/Perovskite/LP/Spiro‑OMeTAD/Ag的n‑i‑p正型结构,其中LP为钝化层。本发明中将具有不同碳链长度的烷基溴化铵钝化材料通过氯仿和异丙醇的混合溶剂进行加工,减少溶剂对钙钛矿表面的破坏,引入的具有合适碳链长度的钝化层材料有效钝化了界面缺陷,减少载流子淬灭,最大限度地减少了非辐射复合位点。本发明制备的钙钛矿太阳能电池具有22.28%的光电转换效率,未封装的电池在室温、30%湿度条件下700h后仍保持原始效率的85%以上,显示出良好的器件稳定性。
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公开(公告)号:CN116322093A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310201573.X
申请日:2023-03-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于非富勒烯受体材料作SnO2界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。所制备的太阳能电池采用ITO/SnO2/BDT‑IC/Perovskite/Spiro‑OMeTAD/Ag的n‑i‑p正型结构。在本发明中,我们提出了一种基于苯并二噻吩为中心核的非富勒烯受体分子BDT‑IC作为SnO2电子传输层的界面修饰层,进而制备钙钛矿太阳能电池的方法。使用本发明所述的材料及器件制备方法,可以有效地钝化电子传输层和钙钛矿界面处的缺陷(例如,未配位的Pb离子),抑制界面载流子的非辐射复合,增加开路电压、短路电流等光伏性能参数优化器件性能。同时,简化器件制备工艺,提高器件稳定性。
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公开(公告)号:CN114583065A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202210206972.0
申请日:2022-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于1,4‑二碘四氟苯掺杂空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。由ITO导电玻璃衬底、SnO2电子传输层、钙钛矿活性层、苯乙基碘化铵表面钝化层、spiro‑OMeTAD空穴传输层和Ag电极组成。本发明是将1,4‑二碘四氟苯掺杂到spiro‑OMeTAD空穴传输层中,利用1,4‑二碘四氟苯与spiro‑OMeTAD中掺杂剂TBP之间形成的卤素键抑制了TBP对钙钛矿的腐蚀,减少了钙钛矿薄膜的缺陷密度。同时,抑制了TBP诱导的spiro‑OMeTAD去掺杂效应,稳固了spiro‑OMeTAD薄膜的导电能力,使电荷可以良好得传输,从而提升了钙钛矿电池器件的性能。
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公开(公告)号:CN113054114B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202110273335.0
申请日:2021-03-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于D‑A型有机小分子掺杂ZnO电子传输层的太阳能电池及其制备方法,属于有机太阳能电池技术领域。电池结构为玻璃/ITO或PET/ITO衬底,低温制备的TPTS掺杂ZnO电子传输层,PBDB‑T‑2F:IT‑4F活性层,氧化钼层和Ag电极,入射光从玻璃/ITO或PET/ITO衬底方向入射。在本发明中我们利用TPTS掺杂来抑制ZnO中的缺陷态和载流子复合,提高ZnO的电子传输和抽取能力,进而改善以ZnO作为电子传输层的聚合物太阳能电池的光伏性能。通过对纯ZnO电子传输层以及TPTS掺杂ZnO电子传输层(TPTS占比1wt%)进行缺陷荧光测试和霍尔效应测试来检验发明所述方法的有效性。
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公开(公告)号:CN109713128B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201811607541.5
申请日:2018-12-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种宽带近红外光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域。由ITO导电玻璃衬底、PTAA空穴传输层、钙钛矿CH3NH3PbI3有源层、PTB7‑Th/F8IC有机异质结层、C60电子传输层、BCP阴极缓冲层和Cu阴极组成。本发明通过将有机给体材料PTB7‑Th与有机受体材料F8IC共混形成异质结,进一步与有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3相结合,从而实现探测器的300~1000nm超宽波长探测并且拥有1ns以下的超快速响应,解决了有机无机杂化钙钛矿材料自身光吸收波段局限于紫外到可见光区域,应用受到诸多方面的限制的问题。
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