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公开(公告)号：CN102064250B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010554940.7
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN102263369A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110173437.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN101740397B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910218082.6
申请日：2009-12-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种氧化锌(ZnO)基薄膜晶体管(TFT)的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备方法。ZnO基薄膜晶体管由衬底、栅极、绝缘层、ZnO基有源沟道层以及源电极、漏电极构成，绝缘层和ZnO基有源沟道层全部采用MOCVD技术完成材料生长，相对于其它外延技术，其制备的半导体材料质量较高。在MOCVD生长设备中一次完成各层材料生长，可大大简化材料生长工艺，同时能够实现各层半导体材料厚度的精确控制。本发明提出了采用适合工业化生产MOCVD设备生长ZnO基薄膜晶体管的一种工艺方法，解决了其它方法制备ZnO质量不高等关键问题，进而制备出具有较高质量的ZnO基TFT。
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公开(公告)号：CN101521238A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910066784.7
申请日：2009-04-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0304 , H01L31/02 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明属于热光伏技术领域，具体涉及一种基于晶格匹配的GaxIn1－xAs1－ySby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池，由下至上依次包括背电极、N型衬底、N型宽禁带Gax1In1－x1As1－y1Sby1有源层、轻掺杂的P－型窄禁带Gax2In1－x2As1－y2Sby2有源层、重掺杂的P+型宽禁带Gax3In1－x3As1－y3Sby3限制层和栅条形上电极。进一步，在P+型宽禁带限制层和栅条形上电极间增加P型GaSb窗口钝化层，在N型衬底和N型宽禁带有源层间增加N型GaSb背面限制层。应用于低温辐射器热光伏系统的热光伏电池，稳定性好，安全系数高，可以应用于航天、军事、工业、生活等领域。
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公开(公告)号：CN1644754A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410011164.0
申请日：2004-10-19
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 沈阳市超高真空应用技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1180125C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN02100436.6
申请日：2002-01-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/40 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的MOCVD设备及其工艺。本MOCVD反应室由底座法兰盘(1)、反应室侧壁(2)、旋转轴(3)、磁流体轴承(4)、上法兰盘(6)、不锈钢丝网(7)、加热片(9)、衬底片托盘(10)，杂质源气路(11)，副气路(12)(13)、混气室(14)、锌源喷枪(15)、氧源喷枪(16)、匀气套(17)、射频等离子发生器(18)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。
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公开(公告)号：CN1412902A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02144725.X
申请日：2002-12-06
Applicant: 吉林大学
Inventor： 杜国同
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明涉及一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器及其制作方法，由下电极1，n－GaAs衬底2，多层1/4波长的n－AlxGa1－xAs/AlyGa1－yAs(x为0.05－0.2，y为0.5－1)异质薄膜下反射镜3，n－AlzGa1－zAs(z为0.3－0.5)下限制层4，GaAs有源层5，p－AlzGa1－zAs上限制层6，多层1/4波长p－AlxGa1－xAs/AlyGa1－yAs上反射镜7和上电极8，出光窗口9，离子注入高阻区10和非离子注入的电流导通区11构成。导通区11呈漏斗状，由两次钨丝垂直交叉掩膜四面倾斜离子注入形成。该激光器具有低阈值，高均匀性和成品率，低串联电阻等优点。
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公开(公告)号：CN1360417A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN02100437.4
申请日：2002-01-30
Applicant: 吉林大学
Inventor： 杜国同
Abstract: 本发明涉及一类基于短相干长度半导体集成光源的全光波长变换器。波长变换器由信号光光源(1)、偏振控制器(4)、光隔离器(6)、掺铒光纤放大器(8)、短相干长度半导体集成光源(9)和光谱分割器件(10)构成,所需的波长变换光信号是直接由短相干长度半导体集成光源(9)输出的宽谱自发辐射谱通过光谱分割器件(10)选取获得。本发明具有部件少,成本低,且在一定波长范围内可以得到任意波长的输出信号等优点。
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公开(公告)号：CN1173045A
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN96108672.6
申请日：1996-07-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种半导体双异质结发光器件。其结构包括在GaAs或InP单晶片衬底(2)上外延生长出下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)以及发光管上电极(7)、电流注入条区(8)构成发光管(9)部分,同样的外延层及锥形电流注入区(22)、放大器上电极(13)构成行波放大器(11)部分。两部分串接且有各自的电流注入区,构成本发明的半导体集成光源。两部分可用同样工艺过程同时完成。可以大幅度提高输出光功率,且工艺简单、共容性好。
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