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公开(公告)号：CN103449506A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310400908.7
申请日：2013-09-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域，具体涉及一种采用雾化的待反应液和气体反应无机合成Y掺杂CdS稀磁半导体的方法。首先利用醋酸镉溶液、硝酸钇溶液、聚乙烯吡咯烷酮溶液和去离子水配制成待反应液；然后利用超声雾化器将待反应液雾化，在真空泵抽气的作用下使硫化氢气体和雾化的待反应液进入到反应室进行反应，最后，将反应产物进行离心提取，再用去离子水和无水乙醇分别清洗，将得到的掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料保存为固体或液体。该方法可使待反应液与气体均匀接触反应，反应更加精细充分，更加促进掺杂元素有效进入主体材料中，并且合成的稀磁半导体纳米材料具有颗粒大小均一、饱和磁化强度较高等优点。
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公开(公告)号：CN103265063A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310210689.6
申请日：2013-05-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的制备Y掺杂Ag2S稀磁半导体纳米颗粒的方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。首先配置待反应液：取醋酸银溶液、硝酸钇溶液、去离子水混合，在搅拌下注入PVP，再注入NaOH溶液至待反应液的pH值为6.900～7.520；然后进行气液反应：在超声条件下向待反应液中通入H2S气体，使其与待反应液表面充分接触反应30～40min，再微波加热反应10～20min；最后离心提取，清洗；保存为固体或液体。本发明制备的样品饱和磁化强度较高，水溶性好，不含有其他杂质；实验条件简单有效，便于操作，重复性好；Y元素本身不具有磁性，对于磁性来源的理论解释具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114671454B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210285040.X
申请日：2022-03-22
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明的高温高压合成新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料的方法属于铁磁性材料制备的技术领域，首先，组装保压装置，使得保压装置的腔体中自高温端向低温端依次排列为样品原料(6)、样品腔(5)、硬质合金模具(10)、模具钢(4)和加热电阻丝(3)，然后，将组装好的保压装置置于普通两面顶压机内，加压2～4GPa，升温至300～500℃，保压保温60～100分钟，再降温至20～30℃，卸压至0GPa，除去两端的硬质合金冲头(9)，对样品表面进行清理，得到新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN107445194B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710809656.1
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料的制备方法属于量子点纳米材料制备的技术领域，有配制待反应溶液、气体和液体化学反应制备掺铈硫化铜材料、产物提纯等步骤。本发明具有成本低廉、实验装置简易，操作简单等特点，制备的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料具有较高的比电容量，可用于制备超级电容器电极，对于研究能量存储设备具有重要的价值，制备样品的重复性很好，适于工业大规模生产使用。
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公开(公告)号：CN106206068A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610801025.0
申请日：2016-09-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种碳纳米管复合纳米二氧化铈电极材料的制备方法，属于应用于超级电容器的纳米电极材料的技术领域。本发明采用Ce(NO3)3·6H2O作为铈源，通过聚乙烯吡咯烷酮对其进行形貌控制，与此同时，对采购的碳纳米管进行处理，按照碳纳米管与二氧化铈合适的质量之比，将二种溶液混合，进行超声处理，后进行水热反应，最终得到形态为纳米二氧化铈颗粒附着在弯曲回绕的生长在碳纳米管上的复合电极材料。本发明操作步骤简单，制备成本低廉，避免了以往的高温烧结的复杂步骤，获得了比电容量大的复合电极材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103692001A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310665904.1
申请日：2013-12-11
Applicant: 吉林大学
IPC: B23B51/02
CPC classification number: B23B51/02
Abstract: 本发明公开了一种分体式麻花钻，包括钻体和钻头，所述钻头的钻头本体为上端窄下端宽的锥形板，所述钻体的上端设有与所述钻头本体的锥形板相配的锥形槽，所述钻体的上部设有与沉头圆柱销相滑配的横向孔，此横向孔的两端分别设有与所述沉头圆柱销的沉头体和沉头螺钉的沉头体相配的沉孔，所述沉头圆柱销的沉头体内和所述沉头螺钉的沉头体内各设有六方孔，所述沉头螺钉与所述沉头圆柱销体内的螺纹孔相配，所述钻头本体上设的与所述沉头圆柱销相滑配的孔与钻体上部的横向孔相对。本发明具有结构简单，定位准确，制作成本低和更换方便的显著优点。
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公开(公告)号：CN102616831B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210105266.3
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法涉及室温下气液相化学沉积制备纳米材料的技术领域。首先将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水配制成待反应液；其次将待反应液放入密封反应室，缓慢通入过量H2S气体得到沉积溶液；最后微波加热沉积溶液再去离子水和乙醇离心清洗。本发明方法制得的In2S3:Eu3+纳米颗粒具有较高的室温饱和磁化强度，饱和磁化强度能由铕掺杂含量和充入H2S气体快慢得到控制；实验条件稳定易于操作，重复性好，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN102616831A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105266.3
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法涉及室温下气液相化学沉积制备纳米材料的技术领域。首先将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水配制成待反应液；其次将待反应液放入密封反应室，缓慢通入过量H2S气体得到沉积溶液；最后微波加热沉积溶液再去离子水和乙醇离心清洗。本发明方法制得的In2S3:Eu3+纳米颗粒具有较高的室温饱和磁化强度，饱和磁化强度能由铕掺杂含量和充入H2S气体快慢得到控制；实验条件稳定易于操作，重复性好，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN101845651B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910218125.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法属于电化学沉积的方法制备纳米结构材料的技术领域。具体制备过程：采用去离子水、硝酸镉配置电解液；将两片镉箔电极平行的放在水平放置的硅片基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，放入温度控制系统；对电解液进行制冷结冰；放置约一小时后施加-1.5～-0.4V稳定的电压；实时观察基底上生成纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。本发明合成方法简单，制备过程中没有添加任何添加剂；制备成本低，无需模板；制备过程简洁，样品不需经过加热氧化处理；制备过程可控性高，可通过控制生长电压控制样品生长速度。
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公开(公告)号：CN101486442A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910066555.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 吉林大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于用电化学沉积方法制备半导体与金属准一维纳米异质周期结构阵列材料的技术领域。所述的半导体是PbTe或PbSe，金属是Pb；制备过程是，配置含有Pb2+和HTeO2+或HSeO2+的电解液，将其倒入半封闭的电解池中的两个铅箔电极之间；温度在－3.0～－7.0℃对电解液进行制冷结冰；将方波施加到电极上；制备结束用去离子水清洗基底，得到半导体与金属准一维纳米异质周期结构阵列材料。本发明制备成本低，无需模板；材料长径比大，线平行排列；可以通过结冰温度、方波电压控制材料结构。
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