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公开(公告)号：CN101486442A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910066555.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 吉林大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于用电化学沉积方法制备半导体与金属准一维纳米异质周期结构阵列材料的技术领域。所述的半导体是PbTe或PbSe，金属是Pb；制备过程是，配置含有Pb2+和HTeO2+或HSeO2+的电解液，将其倒入半封闭的电解池中的两个铅箔电极之间；温度在－3.0～－7.0℃对电解液进行制冷结冰；将方波施加到电极上；制备结束用去离子水清洗基底，得到半导体与金属准一维纳米异质周期结构阵列材料。本发明制备成本低，无需模板；材料长径比大，线平行排列；可以通过结冰温度、方波电压控制材料结构。
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