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公开(公告)号：CN101845651B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910218125.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法属于电化学沉积的方法制备纳米结构材料的技术领域。具体制备过程：采用去离子水、硝酸镉配置电解液；将两片镉箔电极平行的放在水平放置的硅片基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，放入温度控制系统；对电解液进行制冷结冰；放置约一小时后施加-1.5～-0.4V稳定的电压；实时观察基底上生成纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。本发明合成方法简单，制备过程中没有添加任何添加剂；制备成本低，无需模板；制备过程简洁，样品不需经过加热氧化处理；制备过程可控性高，可通过控制生长电压控制样品生长速度。
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公开(公告)号：CN101845651A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910218125.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法属于电化学沉积的方法制备纳米结构材料的技术领域。具体制备过程：采用去离子水、硝酸镉配置电解液；将两片镉箔电极平行的放在水平放置的硅片基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，放入温度控制系统；对电解液进行制冷结冰；放置约一小时后施加-1.5～-0.4V稳定的电压；实时观察基底上生成纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。本发明合成方法简单，制备过程中没有添加任何添加剂；制备成本低，无需模板；制备过程简洁，样品不需经过加热氧化处理；制备过程可控性高，可通过控制生长电压控制样品生长速度。
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