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公开(公告)号：CN116313283A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211736873.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及光探测技术领域，特别是一种超导薄膜、采用掠射角沉积的制备方法、超导转变边沿探测器。以解决相关技术中超导转变温度和热容无法同时降低，从而不利于提高能量分辨率，进而不利于传感效率等的提升的问题。一种超导薄膜的制备方法，包括：在基片上形成层叠的第一膜层和第二膜层，第一膜层的材料包括：超导金属材料，第二膜层的材料包括：正常态金属材料；其中，第一膜层和/或第二膜层采用掠射角沉积制备形成。
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公开(公告)号：CN111239479B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010058836.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种集成化自校准辐射功率传感芯片，增加薄膜金属层，薄膜金属层能够将吸收层吸收的辐射功率带来的温度变化转化为电阻变化，通过导电电极测量电阻可以实现辐射功率传感。因此，通过测量薄膜金属层的电阻值可以与热电堆层测得的电压值两种方式所得到的辐射功率进行相互检验，同时向薄膜金属层输入电流，薄膜金属层发热加热热电堆层的热端，通过该热量模拟辐射功率引起的加热，可以实现对传感芯片的校准。
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公开(公告)号：CN111121958B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201911346791.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种光纤与超导光子探测器对准系统及方法。给单模光纤通入额外的红外光(第一红外光)，从而在对准端产生光斑。红外入射光源发出第二红外光照射超导光子探测器芯片，而后形成反射光(第三红外光)沿光路返回从而被下方的红外探测器探测到。通过给单模光纤通入额外的红外光，单模光纤将被以在超导光子探测器芯片正面产生光斑的形式被观察到。从而，实现了将单模光纤的内径与超导光子探测器芯片的探测位置中心对准。并且，通过根据形成的光斑图像与芯片图像的相对位置关系，可以更加准确地调节单模光纤与超导光子探测器芯片的相对位置，从而解决了传统方式可靠性偏低和对准精度偏低的问题，提高了光纤及超导探测器的光子耦合效率。
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公开(公告)号：CN112038215B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010737582.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种石墨烯载流子调控方法以及石墨烯量子霍尔器件。通过对石墨烯层、间隔层与混合层进行载流子调控，使得混合层中的F4TCNQ或/和ZEP520进行扩散，并穿过间隔层到达石墨烯层表面，从而达到调节载流子的目的。此时，在载流子调控过程中，通过混合层中的ZEP520或/和F4TCNQ，可以实现双受主材料调控载流子。从而，通过混合层中的F4TCNQ或/和ZEP520可以对电荷进行吸附转移，降低电荷密度而提高材料的电导率和载流子迁移率，具有很好的稳定性和可控性。
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公开(公告)号：CN111403597B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010123699.6
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件，在制备过程中不需要使用光刻或者电子束曝光，不需要接触光刻胶等有机大分子结构，避免了光刻胶残留等对石墨烯的污染，避免了此等污染造成的石墨烯量子霍尔器件迁移率降低、石墨烯量子霍尔器件电阻量子化不充分引起的阻值偏差等问题。从而，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法，提高了所述石墨烯量子霍尔器件的性能，可用于国家电阻基标准系统和便携式电阻基标准系统。同时，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法不存在与光刻胶相关的步骤，节省了旋涂光刻胶、去除光刻胶等相关步骤，减少了制作过程，简化了工艺，节约了制备成本，提高了制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403597A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010123699.6
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件，在制备过程中不需要使用光刻或者电子束曝光，不需要接触光刻胶等有机大分子结构，避免了光刻胶残留等对石墨烯的污染，避免了此等污染造成的石墨烯量子霍尔器件迁移率降低、石墨烯量子霍尔器件电阻量子化不充分引起的阻值偏差等问题。从而，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法，提高了所述石墨烯量子霍尔器件的性能，可用于国家电阻基标准系统和便携式电阻基标准系统。同时，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法不存在与光刻胶相关的步骤，节省了旋涂光刻胶、去除光刻胶等相关步骤，减少了制作过程，简化了工艺，节约了制备成本，提高了制备效率。
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公开(公告)号：CN111261769A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010061368.4
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种超导光学探测器光学谐振腔，从一端到另一端分别为：基底层、全反射层、二氧化硅层、吸收层和氮化硅层，本申请的超导光学探测器光学谐振腔具有结构简单，每层结构较容易实现的优点。同时，在合理布置各层材料，厚度的情况下，能够得到反射率降低到3％以下。
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公开(公告)号：CN119493054A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411688510.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01R33/035 , G01R33/00
Abstract: 本公开涉及一种基于电流锁定方式的超导量子干涉器及其制备方法，包括：SQUID线圈，SQUID线圈包括第四电感；偏置线圈，与SQUID线圈相耦合，并于基于电流锁定方式的超导量子干涉器上形成偏置端；二级磁通转换线圈，二级磁通转换线圈形成有第二电感和第三电感，第三电感与第四电感相耦合；输入线圈，输入线圈形成有第一电感和第五电感，第一电感与第二电感相耦合，并于超导量子干涉器件上形成输入端；电流锁定反馈线圈，电流锁定反馈线圈形成有第六电感，第六电感与第五电感相耦合，并于超导量子干涉器件上形成有电流锁定反馈端。至少能够并通过多个线圈最大程度地消除环境噪声的影响，避免了环境噪声对于SQUID工作点位置的影响。
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公开(公告)号：CN114709326A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210262323.2
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种超导量子干涉仪及其制备方法，所述超导量子干涉仪包括：衬底；地线层，形成于衬底的表面；第一绝缘层，形成于地线层远离衬底的表面；约瑟夫森结，包括依次层叠的第一超导层、第二绝缘层和第二超导层，作为底电极；第三绝缘层，覆盖裸露的第一绝缘层及约瑟夫森结，第三绝缘层内设有第三通孔及第四通孔，第三通孔暴露出第一超导层，第四通孔暴露底电极；电阻，形成于第三绝缘层远离第一绝缘层的表面；第三超导层，覆盖第三绝缘层填满第三通孔和第四通孔，作为顶电极；第三超导层内设置有开口，开口将第三超导层分隔为通过电阻连接的两部分。通过增设地线超导层，使钉扎的磁通量子限制在第一通孔中，从而降低磁通钉扎的影响。
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公开(公告)号：CN112289920A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181251.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法。每个第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第一端。每个第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第二端。环路结构为具有第一端和第二端的不封闭环路。通过环路结构将第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构与第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构连接，使得SQUID环路中形成串联电感结构。从而，当获得一个磁通的时候，SQUID环路的变化为磁通量子Ф0的整数倍，不会对V‑Ф0曲线(周期是Ф0)有任何改变，进而能有效避免SQUID环路的相位偏移，解决了并联型电感结构导致的相位偏移问题。
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