公开(公告)号：CN113314521A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011292879.3

申请日：2020-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟政庭 ,  蔡庆威 ,  程冠伦

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据本发明的半导体器件包括：第一多个全环栅(GAA)器件，位于第一器件区中；和第二多个GAA器件，位于第二器件区中。第一多个GAA器件中的每个包括：沟道构件的第一垂直堆叠件，沿着第一方向延伸；以及第一栅极结构，位于沟道构件的第一垂直堆叠件上方和周围。第二多个GAA器件中的每个包括：沟道构件的第二垂直堆叠件，沿着第二方向延伸；以及第二栅极结构，位于沟道构件的第二垂直堆叠件上方和周围。第一多个GAA器件中的每个包括第一沟道长度，并且第二多个GAA器件中的每个包括小于第一沟道长度的第二沟道长度。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN104979397A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410371169.8

申请日：2014-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简昭欣 ,  钟政庭 ,  陈哲伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括鳍的第一有源区上方的第一金属合金和鳍的第二有源区上方的第二金属合金。导电层位于鳍的沟道区上方。半导体层位于导电层上方。与没有这种导电层或导电层上方的半导体层的沟道区相比，沟道区上方的导电层抑制电流泄漏，并且导电层上方的半导体层降低从源极到漏极的电通量。与没有金属合金作为源极或漏极的半导体器件相比，具有第一金属合金作为源极和漏极中的至少一个的半导体器件需要更低的活化温度。