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公开(公告)号：CN102402087A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110396107.9
申请日：2011-11-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/167
CPC classification number: H01L29/41733 , G02F1/13624 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开一种像素结构、主动元件阵列基板以及平面显示面板，像素结构包括像素电极以及主动元件。主动元件包括栅极、通道层、源极、漏极、连接电极、第一分支部以及第二分支部。栅极与扫描线电性连接。通道层位于栅极的一侧，且与栅极电性绝缘。源极与数据线电性连接。漏极与像素电极电性连接。源极、漏极与连接电极配置于通道层的部分区域上，连接电极位于源极与漏极之间。第一分支部配置于通道层的部分区域并与连接电极的一端连接，第一分支部环绕位于通道层上的源极。第二分支部配置于通道层的部分区域并与连接电极的另一端连接，且第二分支部环绕位于通道层上的漏极。
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公开(公告)号：CN101789450B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010106352.7
申请日：2010-01-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，适于配置于基板上，此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、富硅沟道层、源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。富硅沟道层配置于栅极上方，其中富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群，且该富硅沟道层的膜层深度在10纳米(nanometers，nm)至170nm中的硅含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间。源极与漏极分别与富硅沟道层连接。本发明实施例的薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率与稳定性，此外，本发明实施例的薄膜晶体管可使用较低的工艺温度，具有广泛的应用范围。
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公开(公告)号：CN101957701B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010513210.2
申请日：2010-10-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0416
Abstract: 本发明涉及一种电容式触控面板，在具有配置成二维阵列且以双坐标来表示的触控胞的电容式触控面板中，本发明提供了第三坐标。详细来说，位于列中的触控胞电性连接于第一感应元件，而位于行中的触控胞则电性连接于第二感应单元。第一感应元件可配置于两个或两个以上触控区块内。每一前述这些触控区块具有区块感应元件，以界定区块坐标。在某一触控区块中的部分第一感应元件电性串联于另一触控区块中的相应的第一感应元件，如此，可以减少连接于第一感应元件的接线端点的数目。
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公开(公告)号：CN101739960B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910252559.2
申请日：2009-12-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明公开了一种具临界电压偏移补偿功能的电泳显示装置，其包含栅极驱动电路、数据驱动电路、控制器以及像素阵列。栅极驱动电路根据扫描控制信号以提供多个栅极信号。数据驱动电路根据数据控制信号以提供多个数据信号。控制器用来提供扫描控制信号与数据控制信号。像素阵列根据多个栅极信号与多个数据信号以显示影像。在本发明电泳显示装置的运作中，每一画面时间均另包含补偿时段，用来对像素阵列单元的多个数据开关进行临界电压偏移补偿运作，所以可显著提高电泳显示装置的可靠度及使用寿命。
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公开(公告)号：CN101614896B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910149852.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法。其中，一种具有画素区以及感测区的显示面板包括第一基板、第二基板及显示介质层。第一基板上包括配置有多个画素结构及至少一光电池组件。画素结构数组排列于画素区中，且每一画素结构包括薄膜晶体管及画素电极电性连接薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层与主动层。光电池组件位于感测区中，并包括掺杂半导体层、透明电极层、第一型掺杂富硅介电层及第二型掺杂富硅介电层。掺杂有第一型离子的第一型掺杂富硅介电层与掺杂有第二型离子的第二型掺杂富硅介电层位于掺杂半导体层与透明电极层之间。显示介质层位于第一基板与第二基板之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101604085B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910159195.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L27/144 , H01L21/82 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法，所述紫外光传感器，其是以折射率范围为约1.7至约2.5的富硅介电层当作感光材料，设于紫外光感测下电极与紫外光感测上电极之间。本发明紫外光传感器的制作方法可整合于半导体或平面显示面板的工艺中。
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公开(公告)号：CN101989158A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910160887.X
申请日：2009-07-30
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种电容式触控面板。该电容式触控面板包括一基板、一触控感应区域和一布线区域。该触控感应区域形成于该基板，其包括多个触控感应电极。该布线区域相邻该触控感应区域，其包括导线和覆盖于该布线区域的覆盖层。该覆盖层包括接触孔，触控感应电极向布线区域延伸并通过接触孔与导线电性连接。本发明的电容式触控面板边缘处控制较为准确。
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公开(公告)号：CN101963733A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010277150.9
申请日：2010-09-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: G09G3/3446 , G02F1/167 , G02F2001/1676 , G09G2300/0434
Abstract: 本发明公开了一种电泳式显示元件。在该电泳式显示元件中，太阳能电池形成于基板上；下电极构件形成在太阳能电池上；电泳显示面板形成在下电极构件上，且具有多个电泳单元结构在空间中以矩阵型式排列，每个电泳单元结构包含多个带电粒子可响应所施加的电场而在电泳单元结构中移动；上电极构件形成在电泳显示面板上。下电极构件与上电极构件其中至少之一者包含多个水平开关(IPS)电极。每个水平开关电极相对于对应的电泳单元结构设置，以控制其中的带电粒子沿着平行于电泳显示面板的水平方向的移动。
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公开(公告)号：CN101957701A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010513210.2
申请日：2010-10-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0416
Abstract: 本发明涉及一种电容式触控面板，在具有配置成二维阵列且以双坐标来表示的触控胞的电容式触控面板中，本发明提供了第三坐标。详细来说，位于列中的触控胞电性连接于第一感应元件，而位于行中的触控胞则电性连接于第二感应单元。第一感应元件可配置于两个或两个以上触控区块内。每一前述这些触控区块具有区块感应元件，以界定区块坐标。在某一触控区块中的部分第一感应元件电性串联于另一触控区块中的相应的第一感应元件，如此，可以减少连接于第一感应元件的接线端点的数目。
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公开(公告)号：CN101441347B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810187938.3
申请日：2008-12-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/133 , G02F1/1333 , G06F3/041
Abstract: 一种彩色滤光触控基板的制造方法。首先，在基板上形成一第一膜层，其包括多个第一、第二触控电极及使同一行的第一触控电极电性连接的多条第一桥接线。接着，在基板上形成一第二膜层。第二膜层包括多条第二桥接线，其用以使同一列的第二触控电极电性连接。然后，在第一膜层及第二膜层之间形成一遮光图案层。遮光图案层用以在基板上定义出多个次像素区。之后，在次像素区中形成多个彩色滤光图案层。此外，一种彩色滤光触控基板、一种显示面板及一种显示面板的制造方法亦被提出。
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