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公开(公告)号：CN102314034A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110263639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G02F1/167 , H01L27/02
Abstract: 本发明提出一种有源元件、像素结构、驱动电路以及显示面板。该像素结构包括扫描线、数据线、有源元件、第一绝缘层、像素电极、电容电极以及第二绝缘层。有源元件包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中扫描线与栅极电性连接，源极与数据线电性连接。第一绝缘层设置在栅极与沟道之间。像素电极与漏极电性连接。电容电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖第一绝缘层以及电容电极，且位于电容电极与漏极之间。
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公开(公告)号：CN101739960A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910252559.2
申请日：2009-12-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明公开了一种具临界电压偏移补偿功能的电泳显示装置，其包含栅极驱动电路、数据驱动电路、控制器以及像素阵列。栅极驱动电路根据扫描控制信号以提供多个栅极信号。数据驱动电路根据数据控制信号以提供多个数据信号。控制器用来提供扫描控制信号与数据控制信号。像素阵列根据多个栅极信号与多个数据信号以显示影像。在本发明电泳显示装置的运作中，每一画面时间均另包含补偿时段，用来对像素阵列单元的多个数据开关进行临界电压偏移补偿运作，所以可显著提高电泳显示装置的可靠度及使用寿命。
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公开(公告)号：CN102314034B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201110263639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G02F1/167 , H01L27/02
Abstract: 本发明提出一种有源元件、像素结构、驱动电路以及显示面板。该像素结构包括扫描线、数据线、有源元件、第一绝缘层、像素电极、电容电极以及第二绝缘层。有源元件包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中扫描线与栅极电性连接，源极与数据线电性连接。第一绝缘层设置在栅极与沟道之间。像素电极与漏极电性连接。电容电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖第一绝缘层以及电容电极，且位于电容电极与漏极之间。
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公开(公告)号：CN102394247A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110368902.7
申请日：2011-11-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136286 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , H01L27/1255
Abstract: 一种薄膜晶体管元件及显示面板的像素结构与驱动电路。薄膜晶体管元件设置于一基板上。薄膜晶体管元件包括一栅极、一半导体通道层、一栅极绝缘层位于栅极与半导体通道层之间、一源极与一漏极分别位于半导体通道层的两相对侧并分别与半导体通道层部分重叠、一电容电极至少与栅极部分重叠，以及一电容介电层位于电容电极与栅极之间。电容电极、栅极与电容介电层形成一电容元件。
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公开(公告)号：CN101944318A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010269740.7
申请日：2010-08-31
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种移位寄存装置与有源阵列基板。移位寄存装置包括多个彼此串接的移位寄存器。各移位寄存器包括一启始晶体管、一输出晶体管、一电容器、一第一下拉电路及一第二下拉电路。启始晶体管具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，其中第一栅极耦接至前一级移位寄存器，而第一源极耦接至一启始信号。输出晶体管具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，其中第二栅极耦接至第一漏极，第二源极输出一扫描信号，而第二漏极耦接至一第一时钟脉冲信号，并且第二栅极与第二源极之间的电容值大于第二栅极与第二漏极之间的电容值。电容器耦接于第二源极与第二栅极之间。第一下拉电路耦接至第二栅极。第二下拉电路耦接至第二源极。本发明可降低电容器面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102394247B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110368902.7
申请日：2011-11-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136286 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , H01L27/1255
Abstract: 一种薄膜晶体管元件及显示面板的像素结构与驱动电路。薄膜晶体管元件设置于一基板上。薄膜晶体管元件包括一栅极、一半导体通道层、一栅极绝缘层位于栅极与半导体通道层之间、一源极与一漏极分别位于半导体通道层的两相对侧并分别与半导体通道层部分重叠、一电容电极至少与栅极部分重叠，以及一电容介电层位于电容电极与栅极之间。电容电极、栅极与电容介电层形成一电容元件。
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公开(公告)号：CN102520556A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110396188.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77
CPC classification number: H01L33/58 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1255
Abstract: 一种像素结构，其包括第一电极、第一绝缘层、栅极、第二电极、第二绝缘层、半导体层、源极以及漏极、第三电极、第三绝缘层以及像素电极。第一电极位于基板上。第一绝缘层覆盖第一电极。栅极位于第一绝缘层上。第二电极位于第一电极的上方的第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖栅极以及第二电极。半导体层位于栅极上方的第二绝缘层上。源极以及漏极位于半导体层上。第三电极位于第二电极的上方的第二绝缘层上且与第一电极电性连接。第三绝缘层覆盖源极、漏极以及第三电极。像素电极位于第三绝缘层上且与漏极电性连接。
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公开(公告)号：CN101552294B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910135944.9
申请日：2009-05-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管与主动阵列基板。底栅极薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、多个源极与多个漏极。栅绝缘层配置于栅极上。半导体层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方。半导体层与栅极的面积比例约为0.001至0.9。源极彼此电性连接，而漏极彼此电性连接，且源极与漏极彼此电性绝缘。
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公开(公告)号：CN101552294A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910135944.9
申请日：2009-05-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管与主动阵列基板。底栅极薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、多个源极与多个漏极。栅绝缘层配置于栅极上。半导体层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方。半导体层与栅极的面积比例约为0.001至0.9。源极彼此电性连接，而漏极彼此电性连接，且源极与漏极彼此电性绝缘。
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公开(公告)号：CN102402087B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110396107.9
申请日：2011-11-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/167
CPC classification number: H01L29/41733 , G02F1/13624 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开一种像素结构、主动元件阵列基板以及平面显示面板，像素结构包括像素电极以及主动元件。主动元件包括栅极、通道层、源极、漏极、连接电极、第一分支部以及第二分支部。栅极与扫描线电性连接。通道层位于栅极的一侧，且与栅极电性绝缘。源极与数据线电性连接。漏极与像素电极电性连接。源极、漏极与连接电极配置于通道层的部分区域上，连接电极位于源极与漏极之间。第一分支部配置于通道层的部分区域并与连接电极的一端连接，第一分支部环绕位于通道层上的源极。第二分支部配置于通道层的部分区域并与连接电极的另一端连接，且第二分支部环绕位于通道层上的漏极。
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