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公开(公告)号：CN111223626A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121477.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料组合物包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.65wt％；RH为重稀土元素；原料组合物中不含有Co；wt％为各元素占原料组合物的质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN110571007A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910829486.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料、原料组合物、制备方法、应用、电机。以重量百分比计，该稀土永磁材料包括下述组分：R 28.5-33.0wt％；RH＞1.5wt％；Cu 0-0.08wt％，但不为0wt％；Co 0.5-2.0wt％；Ga 0.05-0.30wt％；B 0.95-1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异，在永磁材料中重稀土元素含量为3.0-4.5wt％的条件下，Br≥12.78kGs，Hcj≥29.55kOe；在永磁材料中重稀土元素含量为1.5-2.5wt％的条件下，Br≥13.06kGs，Hcj≥26.31kOe。
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公开(公告)号：CN110663107B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201880029289.6
申请日：2018-11-05
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法，其特征在于：所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统，所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃，所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃，所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率，提高产品一致性。
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公开(公告)号：CN116403792A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111681329.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、R‑T‑B磁体及其制备方法。该晶界扩散材料包括扩散基体和扩散源；扩散基体包括以下组分：R：28.5～33.5wt.％，R为稀土元素；Ga：0～0.5wt.％；B：0.9～1.02wt.％；Fe：65～70wt.％；扩散源包括以下组分：HR：0～70wt.％但不为0wt.％；所述HR为重稀土元素，所述HR包括Dy和/或Tb；Ga≥10wt.％；Cu：0～10wt.％；Co：0～10wt.％；Al：0～8wt.％；Fe：0～8wt.％。采用本发明的晶界扩散材料制备的R‑T‑B磁体相较于晶界扩散前的扩散基体，矫顽力和温度稳定性有显著的提升，且剩磁基本不变。
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公开(公告)号：CN111451498A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010131961.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: B22F3/10
Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金烧结的脱脂方法，将烧结毛坯装入真空烧结炉的加热区内，对炉内抽真空至真空度低于1Pa时，边通入惰性气体边抽真空，使炉内的气压维持在150～200Pa之间，同时启动加热使炉内升温至200～800℃使烧结毛坯的脂类添加物气化，气化的脂类由惰性气体带动流向螺旋式冷凝井，沿冷却螺旋气道螺旋式前进并冷却至小于100℃，脂类冷凝后回收。通过本发明的方法，真空炉壁上冷凝的脂大大减少，降低了材料中的碳含量，提高材料性能；含脂气体通过螺旋式冷凝井使油脂与气体充分分离，洁净度提高，保护了真空设备，减少设备的维护频率，提高设备使用寿命，减少环境污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110106334A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810306660.0
申请日：2018-04-08
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法，其特征在于：所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统，所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃，所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃，所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率，提高产品一致性。
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公开(公告)号：CN115881377A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111167855.X
申请日：2021-09-27
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。该晶界扩散材料包括烧结体和扩散源；所述的烧结体包括以下组分：R：29～32wt.％，R为稀土元素；M：0.1～2wt.％；M包括Cu、Ga和Co中的一种或多种；B：0.9～1.0wt.％；Fe：65～70wt.％，wt.％为各组分的质量与烧结体总质量的百分比；扩散源包括以下组分：Tb：60～85wt.％；Ga：10～30wt.％；Cu：5～20wt.％，wt.％为各组分的质量与扩散源总质量的百分比。本发明中的晶界扩散材料能够更显著的提高钕铁硼磁体材料的矫顽力，同时维持较高的剩磁以及磁性能的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN111613410B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010501412.9
申请日：2020-06-04
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22F1/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/04 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/30 , C22C38/32 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/50 , C22C38/52 , C22C38/54 , C22C38/60
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体材料、其原料组合物、其制备方法和应用。原料组合物包括R1，0.2～1mas％，主合金A中，其包括RA、且RA包括Nd，RA，27.5～28.5mas％；N1，0～0.3mas％；B，0.94～1.1mas％；Fe，60～71.5mas％；各组分之和为100mas％；主合金B中，其包括RB、且RB包括Nd，RB，29～31mas％；N2，0～0.3mas％；B，0.85～1mas％；Fe，60～70mas％；N1和N2的含量不同时为0；主合金A和主合金B的质量比为50:50～95:5。由该原料组合物制得的钕铁硼磁体材料的晶界连续性提高、三角区面积减少、温度系数降低。
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公开(公告)号：CN111451498B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010131961.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: B22F3/10
Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金烧结的脱脂方法，将烧结毛坯装入真空烧结炉的加热区内，对炉内抽真空至真空度低于1Pa时，边通入惰性气体边抽真空，使炉内的气压维持在150～200Pa之间，同时启动加热使炉内升温至200～800℃使烧结毛坯的脂类添加物气化，气化的脂类由惰性气体带动流向螺旋式冷凝井，沿冷却螺旋气道螺旋式前进并冷却至小于100℃，脂类冷凝后回收。通过本发明的方法，真空炉壁上冷凝的脂大大减少，降低了材料中的碳含量，提高材料性能；含脂气体通过螺旋式冷凝井使油脂与气体充分分离，洁净度提高，保护了真空设备，减少设备的维护频率，提高设备使用寿命，减少环境污染。
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公开(公告)号：CN109735687B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811215366.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法，其特征在于：所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内，所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统，所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统，所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃，所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃，所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率，提高产品一致性。
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