一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110106334A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201810306660.0

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110663107B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201880029289.6

    申请日:2018-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN109735687B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201811215366.5

    申请日:2018-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110663107A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201880029289.6

    申请日:2018-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110106334B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201810306660.0

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN109735687A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201811215366.5

    申请日:2018-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

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