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公开(公告)号：CN116685192A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310677339.4
申请日：2023-06-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及忆阻器制备技术领域，特别涉及一种铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器，步骤如下：在二氧化硅晶片衬底表面制备叉指电极；将铜纳米线转移至制备了叉指电极的二氧化硅晶片衬底表面上；将二氧化硅晶片衬底及负载的二氧化硅晶片与铜纳米线整体进行退火处理；退火完成后通入的O2气体进行原位快速氧化，即完成制备。本发明提供的铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器为平行结构，介质层位于左电极、右电极之间，相较于垂直结构的常规忆阻器，制备工艺简单,可以一次性制备任意规模的器件。同时，铜纳米线合成之后再经由转移工艺转移到衬底上，使得器件的密度更为可控，最终质量及性能更好，能够应用与未来的大规模存储阵列集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113178504B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110261170.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18 , H01L33/00 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/InGaN多量子阱；该器件具有白光发射通道和不可见光探测通道，白光发射通道具有照明及下行信号调制发射功能，不可见光探测通道具有上行调整信号接收功能，两通道可在单芯片上进行光的独立平行传输，并且实现上行电信号的接收和下行电信号的发送。本发明还提供了一种全双工可见光无线通信系统。本发明实现了Li‑Fi功能的单芯片集成，具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN103137799B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310030135.8
申请日：2013-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超陡峭、对称界面，使量子阱更为接近方势阱，增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡－补偿对层的插入，在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35％以上，克服了不同界面陡峭度的不对称性，大大提高了异质界面的质量，并使超晶格发光效率得到有效提升。
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公开(公告)号：CN115172510B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210803970.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H04B13/02 , H01L31/0304 , H01L31/0264
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，特别涉及一种水电解液的水下通信探测器及其制造方法，探测器包括主探测极板；光响应网络层，形成于所述主探测极板上；所述光响应网络层为复合纳米线组成的一维纳米网络，所述复合纳米线具有吸收外部光子以产生光生电子和光生空穴的功能；辅极板，通过外部电路与主探测极板电连接。本发明提供的探测器以具有光子吸收功能的复合纳米线构成一维光响应网络层，能够提供更大的固液反应界面以及为光生电子转移提供一维的转移通道，不仅能实现自供电，还能有效保护核芯材料；且直接采用水作为电解液，无需防水封装，就能够实现在深海水中长期稳定的循环工作。该器件响应时间短、响应度高，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115800802A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211426594.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，特别涉及电子非亲和摩擦纳米发电机与心脏疾病检测仪及其制备方法。该发电机包括第一摩擦层、第二摩擦层、第一电极以及第二电极；其通过调节同种材料的成分，改变材料得失电子能力，第一摩擦层和第二摩擦层采用同一材料制成，且第一摩擦层和第二摩擦层采用的材料的成分不同，以使第一摩擦层和第二摩擦层的得失电子能力不同，从而实现电子非亲和摩擦纳米发电，利用其对压力的高灵敏性，以提取脉搏波的特征信号点，实现自供能的单点探测人体心率、舒张压和收缩压的功能；另外，其灵敏高，可以探测到脉搏波的细微变化，由于心脏疾病患者的脉搏波形和正常脉搏波形有所区别，其可应用于制备心脏疾病检测仪。
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公开(公告)号：CN103137799A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310030135.8
申请日：2013-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超陡峭、对称界面，使量子阱更为接近方势阱，增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡－补偿对层的插入，在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35％以上，克服了不同界面陡峭度的不对称性，大大提高了异质界面的质量，并使超晶格发光效率得到有效提升。
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