-
公开(公告)号：CN104609363B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510026535.0
申请日：2015-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种大面积强疏水柔性薄膜的制备方法，涉及强疏水柔性薄膜。采用微加工方法在硅片上制备出微通道阵列；将带有微沟道阵列的硅片装配到模具底板中；在硅片表面喷上脱模剂和PVDF乳液，然后倒入PDMS胶液，抽真空并预固化；在设定温度的氧气环境中进行化学接枝处理；化学接枝处理完毕，从模具中抽取得到所述大面积强疏水柔性薄膜。通过微成型，把硅片上微沟道阵列转移到PVDF低表面能的聚合物上，获得普遍接触角为145°的强疏水薄膜，通过化学接枝处理，PVDF和PDMS复合层结合牢固，薄膜具有较佳机械强度。获得的薄膜可形成任意弯曲的柔性薄膜。
-
公开(公告)号：CN105470484A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510882909.9
申请日：2015-12-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 石墨烯/二氧化锡复合纳米纤维膜的制备方法与应用，涉及锂离子电池负极材料。制备方法：将石墨烯加入去离子水中并超声处理，在搅拌条件下加入NaOH和氯化锡，混合均匀，得混合溶液，再转移至反应釜中反应后，过滤，清洗，干燥，即得石墨烯/二氧化锡复合纳米颗粒，然后超声分散于甲醇和水的混合溶剂中，再加入PVAc，得纺丝前驱体溶液；将纺丝前驱体溶液进行高压静电纺丝，得PVAc/石墨烯/二氧化锡复合纳米纤维膜，干燥，热处理后，即得多孔的石墨烯/二氧化锡复合纳米纤维膜，复合纳米纤维膜中纤维直径为800～1200nm，长度大于0.5mm。不需添加导电剂和粘结剂，可直接作为电极材料在制备锂离子电池中应用。
-
公开(公告)号：CN104464868A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410808033.9
申请日：2014-12-22
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: GaN肖特基结型核电池及其制备方法，涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、肖特基金属层、SiO2保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层；在n-GaN层上得到两个暴露出n+GaN层的窗口；在整个器件的上表面生长SiO2保护层；在SiO2保护层上腐蚀出用于肖特基接触的窗口；通过光刻和溅射的方法得到肖特基金属层；光刻并腐蚀出用于欧姆接触的窗口；通过光刻和溅射的步骤得到欧姆接触层，退火，得到良好的欧姆接触，SiO2保护层在此过程中起到保护的作用；加上放射性同位素层以形成核电池。
-
公开(公告)号：CN101521142B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910111376.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种芯片式铷灯，涉及一种高频发光装置，尤其是涉及一种不仅可以用于微小型化与芯片式铷原子钟，也可以用于各种传统常规的铷原子钟，同时作为一个光源，也可广泛地应用于各种需要节能低功耗光源的芯片式铷灯。提供一种体积较小、功耗较低和便于携带的芯片式铷灯。为三层结构，从上至下设有上层玻璃片、中层硅片和下层硅片，在中层硅片中央设有一个通孔，在通孔的一边上设有沟道，通孔经沟道与外部连通，在下层硅片底面设有电感线圈，电感线圈两端分别设有接头，两接头外接射频电源；将上层玻璃片、中层硅片与下层硅片上表面键合成一片芯片，中层硅片中央的通孔与上层玻璃片和下层硅片之间构成的腔体内充入铷-87与惰性气体。
-
公开(公告)号：CN101411638B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810180517.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 厦门大学
IPC: A61B17/3211
Abstract: 一种微米级手术刀，涉及一种微型的双模式微纳米切割工具。提供一种可实现微纳米级别的高频的横向与纵向模式切割的微米级手术刀。设有刀体，在刀体中部上下分别设有上下压电超声驱动器，上下压电超声驱动器为压电陶瓷片，压电陶瓷片的厚度为0.5～2mm，长度比刀体宽度长0.1～0.5mm，上下压电超声驱动器的极化方向相反，上下压电超声驱动器之间由导线外接电源；刀体为硅片，硅片上下表面沉积氮化硅薄膜，硅片的厚度为0.2～1mm，每一层氮化硅薄膜的厚度为0.5～3μm，刀体的刀尖部呈倒喇叭形，刀尖部的刀尖偏离刀尖部中线1/5～1/2刀体的宽度，刀尖部的长度为0.1～2cm，刀尖部喇叭口的宽度为0.1μm～1mm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101521142A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910111376.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种芯片式铷灯，涉及一种高频发光装置，尤其是涉及一种不仅可以用于微小型化与芯片式铷原子钟，也可以用于各种传统常规的铷原子钟，同时作为一个光源，也可广泛地应用于各种需要节能低功耗光源的芯片式铷灯。提供一种体积较小、功耗较低和便于携带的芯片式铷灯。为三层结构，从上至下设有上层玻璃片、中层硅片和下层硅片，在中层硅片中央设有一个通孔，在通孔的一边上设有沟道，通孔经沟道与外部连通，在下层硅片底面设有电感线圈，电感线圈两端分别设有接头，两接头外接射频电源；将上层玻璃片、中层硅片与下层硅片上表面键合成一片芯片，中层硅片中央的通孔与上层玻璃片和下层硅片之间构成的腔体内充入铷－87与惰性气体。
-
公开(公告)号：CN105470484B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510882909.9
申请日：2015-12-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 石墨烯/二氧化锡复合纳米纤维膜的制备方法与应用，涉及锂离子电池负极材料。制备方法：将石墨烯加入去离子水中并超声处理，在搅拌条件下加入NaOH和氯化锡，混合均匀，得混合溶液，再转移至反应釜中反应后，过滤，清洗，干燥，即得石墨烯/二氧化锡复合纳米颗粒，然后超声分散于甲醇和水的混合溶剂中，再加入PVAc，得纺丝前驱体溶液；将纺丝前驱体溶液进行高压静电纺丝，得PVAc/石墨烯/二氧化锡复合纳米纤维膜，干燥，热处理后，即得多孔的石墨烯/二氧化锡复合纳米纤维膜，复合纳米纤维膜中纤维直径为800～1200nm，长度大于0.5mm。不需添加导电剂和粘结剂，可直接作为电极材料在制备锂离子电池中应用。
-
公开(公告)号：CN106849747A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110220.3
申请日：2017-02-28
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H02N2/142 , F04B43/046 , H02N2/16
Abstract: 一种MEMS压电超声泵，涉及压电超声泵。提供结构简单紧凑、体积微小型化、流量大、可靠性高、适用于微流控装置中的流体驱动、计算机CPU芯片与微器件及微系统的散热、生物医疗中的给药注射、航空航天中的测控等领域的一种MEMS压电超声泵。设有上硅片、下硅片、压电陶瓷片；所述上硅片和下硅片结构相同，上硅片和下硅片为圆环形，上硅片和下硅片上设有圆环形流道，上硅片和下硅片键合后形成MEMS压电超声泵的腔体；所述腔体设有入水口和出水口，压电陶瓷片贴合在下硅片上，相邻压电陶瓷片有间隔，且极化方向相反；在压电陶瓷片上下两面施加振幅相同、相位差为90°的高频交流电压。
-
公开(公告)号：CN104577160A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510026708.9
申请日：2015-01-20
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/56 , H01M8/02 , B81C1/00349 , H01M4/8875
Abstract: 基于MEMS技术的微小型直接甲酸燃料电池的制备方法，涉及直接甲酸燃料电池。采用微加工技术在硅片上制作出蛇形凸起微流道和正方形凸台阵列；将加工后的硅片装配在模具中，注入PDMS胶液，将铜箔嵌入未固化的PDMS材料中，固化后铜箔与PDMS材料一体化，得到PDMS材料的电池阴极流场板，然后将Cr溅射到流场区域和铜箔上，再将Au溅射覆盖Cr，得到带电极电池阴极流场板；采用相同制备方法得到带电极阳极流场板；将喷涂上阳极催化剂和阴极催化剂的PEM与碳纸热压制成膜电极；将切割好的金属板在浓硫酸中钝化并溅射PTFE进行防腐蚀处理，得到金属阳极压板；采用相同制备方法得到金属阴极压板；封装后即得。
-
公开(公告)号：CN104485150A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410804724.1
申请日：2014-12-22
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 多孔硅PN结型核电池及其制备方法，涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层；各层尺寸相同。所述制备方法：在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结；采用电化学阳极氧化的方法在硅片上腐蚀得到多孔硅层；在硅片的两面分别溅射上电极金属层和下电极金属层；在上电极金属层的上方耦合一层放射性同位素层。增加了放射性同位素层辐射出的电子与半导体PN结区的作用面积，并利用多孔硅的量子限制效应使硅的禁带得到展宽，从而提高该核电池的开路电压、短路电流和转换效率。能明显地提高电池的转换效率，在更小的体积内提供更多的电能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.02 seconds)
