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公开(公告)号：CN116618994A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310728638.6
申请日：2023-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种用于薄片式传感器敏感芯体的槽式装配装置和槽式装配方法，包括装配工装、第一压块工装和第二压块工装；所述前部包括阳极\阴极金属片校正固定槽位、第一介电绝缘薄片固定校正槽位和第一卡鞘固定校正槽位，所述中部包括敏感芯体装配悬空区，所述后部包括第二卡鞘固定校正槽位、第二介电绝缘薄片固定校正槽位和引线准直槽，所述阳极\阴极金属片校正固定槽位、第一介电绝缘薄片固定校正槽位、第一卡鞘固定校正槽位、第二卡鞘固定校正槽位、第二介电绝缘薄片固定校正槽位和引线准直槽的正中心线重合。通过本发明提供的装配装置及装配方法，可以有效提高薄片式传感器敏感芯体的装配精度和装配效率。
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公开(公告)号：CN115574966A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211077486.X
申请日：2022-09-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用，该传感器包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块，铂敏感栅和前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于陶瓷基底上，其中，用于直写前驱体陶瓷保护层的原料组分包括：45wt％～55wt％的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt％～35wt％的TiB2粉末、1.2wt％～2wt％Y2O3粉末及13.8wt％～23wt％的ZrO2粉末，前驱体陶瓷保护层覆盖在铂敏感栅上，引线设于压块与铂敏感栅之间，并通过焊点实现与铂敏感栅的电性连接。该传感器具有耐高温(50℃至800℃)、小扰动及高温稳定性好等优势，有望突破目前丝网印刷及磁控溅射工艺制备铂薄膜温度传感器所导致的成本高、材料单一及曲面共形困难等瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN115078843A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210510706.7
申请日：2022-05-11
IPC: G01R27/22
Abstract: 本发明涉及温度补偿式片上集成电导率传感器及电导率测量方法，包括：绝缘衬底；温度电极，附着于所述绝缘衬底的中央位置；导温薄膜，覆盖于所述温度电极；一组电压电极，以所述温度电极为中心对称附着于所述温度电极两侧的绝缘衬底上；一组电流电极，以所述温度电极为中心对称附着于相应的电压电极外侧的绝缘衬底上。通过电压差、待测液体的温度、温度与电导率的补偿关系即可计算得到当前待测液体在标定温度下的电导率。
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公开(公告)号：CN114910185A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210289485.5
申请日：2022-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明提供了一种激光热解结合维森堡直写的氧化铟锡高温薄膜传感器，包括：氧化铝绝缘基底、氧化铟锡复合敏感层、铂浆引线、高温抗氧化保护层、银浆焊点和铂丝，其中所述铂浆引线通过丝网印刷于所述氧化铝绝缘基底上；所述氧化铟锡复合敏感层直写于氧化铝绝缘基底上铂浆引线间；所述高温抗氧化保护层通过丝网印刷覆于所述氧化铟锡复合敏感层上；银浆焊点焊接于铂浆引线上与铂丝固连，氧化铟锡复合敏感层是通过氧化铟锡粉末与前驱体陶瓷溶液进行混合，将氧化铟锡薄膜稳定预制于氧化铝绝缘基底上，能够实现薄膜高温稳定性的提高。
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公开(公告)号：CN114812374A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210334927.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供一种TiB2‑SiCN陶瓷高温应变计及其制备方法，所述应变计包括高温合金基底、绝缘层、TiB2‑SiCN应变敏感层和金属引线。以高温合金为基底，在基底上形成绝缘层；直写金属引线；使用TiB2粉末掺杂的PSN2溶液直写敏感栅，在空气中经过热解之后形成TiB2‑SiCN敏感层，并在敏感层表面原位生长氧化保护层。本发明可直接制备在构件表面而不改变构件结构和环境流场，可实现构件表面应力/应变的原位测量；其自生长的氧化保护层可提高传感器在高温、高压、冲刷等恶劣环境中的性能、可靠性和寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119426143B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510034166.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B05D5/12 , G01K7/00 , B05D7/00 , B05D1/38 , B05D3/04 , B05D3/14 , B05D3/00 , B05D1/04 , B41J3/413 , B41J3/407 , B41M5/00
Abstract: 本发明提出了一种制备钨铼超高温辐射温度传感器的敏感层和绝缘层的喷印方法，包括对正负极氧化铝基底预处理后，通过电流体喷印平台依次在正负极氧化铝基底上喷印正负极敏感层，烧结形成正负极敏感芯体。并在此基础上进一步提出了钨铼超高温辐射温度传感器及其制备方法，钨铼超高温辐射温度传感器自下而上包括负极敏感芯体、绝缘层和正极敏感芯体，负极敏感芯体自下而上包括钨/铼26敏感层、负极氧化铝基底、钨/铼26引线和负极氧化铝圆片；正极敏感芯体自上而下包括钨敏感层、正极氧化铝基底、钨引线和正极氧化铝圆片。该传感器测温范围达400℃至3000℃，远超传统传感器的极限温度，满足了航天、冶金等极端环境的需求。
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公开(公告)号：CN119457087A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510059613.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量同轴制造方法，包括：同轴喷印镀膜步骤用于形成内层钨铼丝、中间层介电绝缘薄膜、外层钨热电薄膜的三层同轴结构敏感芯体，以钨铼丝为钨铼同轴热电偶敏感芯体的钨铼内导体层；敏感芯体烧结步骤使绝缘薄膜和钨热电薄膜完全固化，形成同轴热电偶敏感芯体的绝缘层和钨外导体层；封装管壳装配步骤用于将敏感芯体嵌入保护管中，打磨敏感芯体顶端形成测温结点，并在探头端部涂覆高发射率涂层。通过本发明的方法可以快速批量制备瞬态测温上限达3000K、辐射热流测量上限达100 MW/m2的钨铼同轴热电偶，尺寸小成本低响应快，可应用于极端高温环境和温度快速变化环境辐射热流测量。
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公开(公告)号：CN119426143A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510034166.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B05D5/12 , G01K7/00 , B05D7/00 , B05D1/38 , B05D3/04 , B05D3/14 , B05D3/00 , B05D1/04 , B41J3/413 , B41J3/407 , B41M5/00
Abstract: 本发明提出了一种制备钨铼超高温辐射温度传感器的敏感层和绝缘层的喷印方法，包括对正负极氧化铝基底预处理后，通过电流体喷印平台依次在正负极氧化铝基底上喷印正负极敏感层，烧结形成正负极敏感芯体。并在此基础上进一步提出了钨铼超高温辐射温度传感器及其制备方法，钨铼超高温辐射温度传感器自下而上包括负极敏感芯体、绝缘层和正极敏感芯体，负极敏感芯体自下而上包括钨/铼26敏感层、负极氧化铝基底、钨/铼26引线和负极氧化铝圆片；正极敏感芯体自上而下包括钨敏感层、正极氧化铝基底、钨引线和正极氧化铝圆片。该传感器测温范围达400℃至3000℃，远超传统传感器的极限温度，满足了航天、冶金等极端环境的需求。
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公开(公告)号：CN118960844A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411040446.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种温度‑压力‑热流三参量的复合微纳传感器及其制备方法，其中，复合微纳传感器包括敏感芯体和包裹在敏感芯体外的封装壳体，敏感芯体的主体光纤与法珀谐振腔串联，法珀谐振腔远离主体光纤的一端形成压力敏感膜片层，通过压力敏感膜片层和法珀谐振腔的配合对压力进行检测，通过同轴热电偶实现对温度的检测，通过温度可反演计算热流大小，实现了同时对多个参数的监测，具有耐高温、抗电磁干扰、重复性误差小等特点。
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公开(公告)号：CN117870944A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311286251.6
申请日：2023-10-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种具有法珀谐振腔的压力传感器、系统和制作方法，包括固定套、筒体、压力敏感芯片、光纤校准器和蓝宝石光纤；所述筒体内设有具有开口的防护槽；所述压力敏感芯片安装于所述防护槽内并设有复合式法珀谐振腔；所述固定套固定于所述防护槽的开口端以压紧并固定所述压力敏感芯片；所述光纤校准器穿设于所述筒体且与所述法珀谐振腔对准干涉；所述蓝宝石光纤穿设于所述光纤校准器。本发明结构合理，传感器能稳定够满足1400℃以上的超高温环境下的动态压力测量。
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