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公开(公告)号:CN114322741A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111524535.5
申请日:2021-12-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种激光热解复合增材制造一体化前驱体陶瓷薄膜传感器及其制备方法,以金属构件或绝缘材料作为基底,针对金属构件表面通过逐层激光热解增材技术形成高致密性、高绝缘性以及抗高温的PDC掺杂的复合绝缘膜层,并在复合绝缘膜层上通过维森堡直写PDC掺杂填料的敏感栅,经激光热解增强PDC石墨化的方法获得优良导电性能的应变敏感层,从而开创以PDC材料为基础的高绝缘膜层和优良导电性能的敏感栅与金属基底的激光原位增材一体化制造,实现了PDC复合材料从“液‑固‑功能”转变的激光工艺流程,并成功将其应用于金属材料应变传感。
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公开(公告)号:CN115900986A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211122127.1
申请日:2022-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种圆柱面前驱体陶瓷薄膜温度传感器及其制备装置、制备方法,该温度传感器包括圆柱面基底、陶瓷薄膜敏感栅、焊点、引线和固定件,陶瓷薄膜敏感栅和焊点通过曲面韦森堡直写成型技术共形敷设于圆柱面基底上并经过热解陶瓷化制得,焊点设置在陶瓷薄膜敏感栅上,引线与焊点连接,并且固定件盖合于焊点上。本发明能够实现在轴承、螺栓等圆柱面基底上原位制备陶瓷薄膜温度传感器,其传感器具有原位无损检测、极端环境耐受性强、对待测结构表面特性影响较小等优点;其制备装置和方法具有圆柱面图案化效率高、工艺简单等优点,为高温薄膜传感器走向实际应用提供新思路。
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公开(公告)号:CN115574966A
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202211077486.X
申请日:2022-09-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用,该传感器包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块,铂敏感栅和前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于陶瓷基底上,其中,用于直写前驱体陶瓷保护层的原料组分包括:45wt%~55wt%的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt%~35wt%的TiB2粉末、1.2wt%~2wt%Y2O3粉末及13.8wt%~23wt%的ZrO2粉末,前驱体陶瓷保护层覆盖在铂敏感栅上,引线设于压块与铂敏感栅之间,并通过焊点实现与铂敏感栅的电性连接。该传感器具有耐高温(50℃至800℃)、小扰动及高温稳定性好等优势,有望突破目前丝网印刷及磁控溅射工艺制备铂薄膜温度传感器所导致的成本高、材料单一及曲面共形困难等瓶颈问题。
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