-
公开(公告)号：CN119465110B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510068551.X
申请日：2025-01-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种辐射温度测量的钨铼热电偶的制造方法及钨铼热电偶，包括绝缘层旋涂步骤、敏感芯体制备步骤和封装管壳装配步骤，绝缘层旋涂制备工艺用于将氧化铪溶胶均匀涂覆在钨片和钨铼片的双端面上，经过烧结形成稳定绝缘薄膜；敏感芯体制备工艺用于将钨片和钨铼片搅拌摩擦键合成整体，并分别焊接钨丝和钨铼丝，形成热电偶测温敏感芯体；封装管壳装配工艺用于将敏感芯体装配进不锈钢保护管壳中，并在探头表面涂覆高发射率涂层。通过本发明提供的制造方法，可以快速制备瞬态辐射温度测量上限达3000℃的超高温温度传感器，具有良好的测温稳定性和响应速度，可应用于极端辐射高温环境下温度测量。
-
公开(公告)号：CN119437458A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510034078.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出用于辐射高温测定的银‑铂热电温度传感器及其制备方法，包括自内向外依次设置的光纤、介质浆料过渡层、银电极层、介质浆料绝缘层、铂电极层、介质浆料氧化层和法珀腔结构；光纤、介质浆料过渡层、银电极层、介质浆料绝缘层、铂电极层和介质浆料氧化层一端齐平，另一端的长度自内向外逐层递减；法珀腔结构包括在光纤末端形成的反射镜和通过在光纤末端镀制高反射膜形成的另一反射镜，以及两者之间的腔体。本发明的传感器具有高灵敏度、快速响应和高稳定性的特点，适用于极端环境下的温度监测，极大地扩展了银‑铂热电温度传感器的应用范围。
-
公开(公告)号：CN118565644A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410826245.3
申请日：2024-06-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请公开了一种耐高温的钨铼同轴热电极、热电偶及其应用，由钨铼合金丝电极和钨合金管电极套芯组成，两电极之间隔有一层介电绝缘层。测量端通过研磨和抛光在表面自动生成“热”测量结点，由于摩擦产生若干摩擦焊接结桥接在位于钨铼合金丝和钨合金管之间的介电绝缘层上形成复合材料测量结，在腐蚀和/或气流冲刷的过程中，测量端前端的“热”测量结点失效，钨铼同轴热电极的表面生成新的“热”测量结点。这种同轴结构使钨铼同轴热电极能够在3000℃以上的环境中稳定工作，同时能够减少钨铼同轴热电极的无效面积，并有效减少传统的层状热电偶的边界效应，从而提高测量的准确度。
-
公开(公告)号：CN119437458B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510034078.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出用于辐射高温测定的银‑铂热电温度传感器及其制备方法，包括自内向外依次设置的光纤、介质浆料过渡层、银电极层、介质浆料绝缘层、铂电极层、介质浆料氧化层和法珀腔结构；光纤、介质浆料过渡层、银电极层、介质浆料绝缘层、铂电极层和介质浆料氧化层一端齐平，另一端的长度自内向外逐层递减；法珀腔结构包括在光纤末端形成的反射镜和通过在光纤末端镀制高反射膜形成的另一反射镜，以及两者之间的腔体。本发明的传感器具有高灵敏度、快速响应和高稳定性的特点，适用于极端环境下的温度监测，极大地扩展了银‑铂热电温度传感器的应用范围。
-
公开(公告)号：CN119465110A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510068551.X
申请日：2025-01-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种辐射温度测量的钨铼热电偶的制造方法及钨铼热电偶，包括绝缘层旋涂步骤、敏感芯体制备步骤和封装管壳装配步骤，绝缘层旋涂制备工艺用于将氧化铪溶胶均匀涂覆在钨片和钨铼片的双端面上，经过烧结形成稳定绝缘薄膜；敏感芯体制备工艺用于将钨片和钨铼片搅拌摩擦键合成整体，并分别焊接钨丝和钨铼丝，形成热电偶测温敏感芯体；封装管壳装配工艺用于将敏感芯体装配进不锈钢保护管壳中，并在探头表面涂覆高发射率涂层。通过本发明提供的制造方法，可以快速制备瞬态辐射温度测量上限达3000℃的超高温温度传感器，具有良好的测温稳定性和响应速度，可应用于极端辐射高温环境下温度测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118089970A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311862849.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种抗氧化可拆卸敏感芯体的钨铼热电偶，包括敏感芯体、绝缘基座和封装管壳；所述敏感芯体与一固定机构连接形成一整体结构，所述整体结构的外表面包括氧化锆纳米镀膜；所述敏感芯体通过所述固定机构固定设置在所述绝缘基座上，所述绝缘基座的顶端面设置有方形孔；所述固定机构包括方形块、压片、顶丝以及多个螺丝，所述敏感芯体的底端插入轴向穿孔内，所述顶丝固定所述敏感芯体，所述方形块适配连接到所述方形孔，所述压片通过所述螺丝固定连接绝缘基座的顶端面以压抵固定所述方形块；固定有敏感芯体的绝缘基座整体置入所述封装管壳中，所述敏感芯体暴露在滞止罩中。应用本技术方案可提供一种抗氧化可拆卸敏感芯体的钨铼热电偶。
-
公开(公告)号：CN119426143B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510034166.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B05D5/12 , G01K7/00 , B05D7/00 , B05D1/38 , B05D3/04 , B05D3/14 , B05D3/00 , B05D1/04 , B41J3/413 , B41J3/407 , B41M5/00
Abstract: 本发明提出了一种制备钨铼超高温辐射温度传感器的敏感层和绝缘层的喷印方法，包括对正负极氧化铝基底预处理后，通过电流体喷印平台依次在正负极氧化铝基底上喷印正负极敏感层，烧结形成正负极敏感芯体。并在此基础上进一步提出了钨铼超高温辐射温度传感器及其制备方法，钨铼超高温辐射温度传感器自下而上包括负极敏感芯体、绝缘层和正极敏感芯体，负极敏感芯体自下而上包括钨/铼26敏感层、负极氧化铝基底、钨/铼26引线和负极氧化铝圆片；正极敏感芯体自上而下包括钨敏感层、正极氧化铝基底、钨引线和正极氧化铝圆片。该传感器测温范围达400℃至3000℃，远超传统传感器的极限温度，满足了航天、冶金等极端环境的需求。
-
公开(公告)号：CN119457087A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510059613.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量同轴制造方法，包括：同轴喷印镀膜步骤用于形成内层钨铼丝、中间层介电绝缘薄膜、外层钨热电薄膜的三层同轴结构敏感芯体，以钨铼丝为钨铼同轴热电偶敏感芯体的钨铼内导体层；敏感芯体烧结步骤使绝缘薄膜和钨热电薄膜完全固化，形成同轴热电偶敏感芯体的绝缘层和钨外导体层；封装管壳装配步骤用于将敏感芯体嵌入保护管中，打磨敏感芯体顶端形成测温结点，并在探头端部涂覆高发射率涂层。通过本发明的方法可以快速批量制备瞬态测温上限达3000K、辐射热流测量上限达100 MW/m2的钨铼同轴热电偶，尺寸小成本低响应快，可应用于极端高温环境和温度快速变化环境辐射热流测量。
-
公开(公告)号：CN119426143A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510034166.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B05D5/12 , G01K7/00 , B05D7/00 , B05D1/38 , B05D3/04 , B05D3/14 , B05D3/00 , B05D1/04 , B41J3/413 , B41J3/407 , B41M5/00
Abstract: 本发明提出了一种制备钨铼超高温辐射温度传感器的敏感层和绝缘层的喷印方法，包括对正负极氧化铝基底预处理后，通过电流体喷印平台依次在正负极氧化铝基底上喷印正负极敏感层，烧结形成正负极敏感芯体。并在此基础上进一步提出了钨铼超高温辐射温度传感器及其制备方法，钨铼超高温辐射温度传感器自下而上包括负极敏感芯体、绝缘层和正极敏感芯体，负极敏感芯体自下而上包括钨/铼26敏感层、负极氧化铝基底、钨/铼26引线和负极氧化铝圆片；正极敏感芯体自上而下包括钨敏感层、正极氧化铝基底、钨引线和正极氧化铝圆片。该传感器测温范围达400℃至3000℃，远超传统传感器的极限温度，满足了航天、冶金等极端环境的需求。
-
公开(公告)号：CN118960844A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411040446.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种温度‑压力‑热流三参量的复合微纳传感器及其制备方法，其中，复合微纳传感器包括敏感芯体和包裹在敏感芯体外的封装壳体，敏感芯体的主体光纤与法珀谐振腔串联，法珀谐振腔远离主体光纤的一端形成压力敏感膜片层，通过压力敏感膜片层和法珀谐振腔的配合对压力进行检测，通过同轴热电偶实现对温度的检测，通过温度可反演计算热流大小，实现了同时对多个参数的监测，具有耐高温、抗电磁干扰、重复性误差小等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.015 seconds)
